Sign in
|
English
|
Terms of Use
Dictionary
Forum
Contacts
Ukrainian
⇄
English
Terms
for subject
Microelectronics
containing
транзистор з
|
all forms
|
exact matches only
|
in specified order only
Ukrainian
English
біполярний
транзистор з
базою у вигляді інверсійного каналу, керованого ефектом поля
bipolar inversion channel FET
біполярний
транзистор з
модульованим затвором
gate-modulated bipolar transistor
(комбінація польового і біполярного транзисторів)
біполярний
транзистор з
резонансним квантовим тунелюванням
bipolar quantum resonant tunneling transistor
біполярний
транзистор з
різкими р–n-переходами
abrupt heterojunction bipolar transistor
біполярний
транзистор з
тунельним бар'єром в емітерній області
barrier-emitter transistor
вертикальний n–р–n-транзистор навантаження з функціонально суміщеними областями
merged vertical n-p-n load
вихідний
транзистор з
розімкненим колектором
open collector output
ВІС з біполярними і МОН-транзисторами на одному кристалі
right-scale integration
гетероструктурний польовий
транзистор з
ізольованим затвором
heterostructure insulated-gate FET
ЗП на МОН-
транзисторах з
плаваючим затвором
floating-gate storage
КМОН-
транзистор з
КНС-структурою
CMOS/SOS device
логічні схеми з поглибленими польовими транзисторами навантажень
buried-load logic
логічні схеми з транзисторами Шоткі
Schottky-transistor logic
МАН-
транзистор з
ізолюючим шаром затвора з оксиду алюмінію
metal-alumina-semiconductor transistor
МОН-
транзистор з
елементами зменшених розмірів
fine-line MOSFET
МОН-
транзистор з
заглибленим оксидним шаром
buried-oxide MOS transistor
МОН-
транзистор з
заземленим затвором
MOSFET grounded gate
МОН-
транзистор з
каналом р-типу
p-channel
MOS
transistor
МОН-
транзистор з
каналом n-типу
n-channel MOS transistor
МОН-
транзистор з
КНС-структурою
SOS/MOS device
МОН-
транзистор з
коротким каналом
short-channel MOSFET
(напр. субмікронної довжини)
МОН-
транзистор з
кремнієвим затвором
silicon-gate
MOS
transistor
МОН-
транзистор з
металевим затвором
metal-gate MOS transistor
МОН-
транзистор з
плаваючим затвором
floating-gate MOS transistor
МОН-
транзистор з
V-подібним затвором
recessed-gate
MOS
transistor
МОН-
транзистор з
V-подібним затвором
grooved-gate MOSFET
МОН-
транзистор з
V-подібними канавками
V-groove
MOS
device
МОН-
транзистор з
V-подібною канавкою
grooved-gate MOS transistor
МОН-
транзистор з
X-подібною структурою
XMOS transistor
МОН-
транзистор з
прихованим каналом
buried-channel
MOS
transistor
МОН-
транзистор з
прихованим каналом
buried-channel MOSFET
МОН-
транзистор з
пропорційно зменшеними розмірами елементів
downward-scaled MOS transistor
МОН-
транзистор з
самосуміщеними затворами
self-aligned MOSFET
МОН-
транзистор з
силіцидними шарами
silicide MOSFET
МОН-
транзистор з
субмікрометровим каналом
submicrometer channel length MOSFET
МОН-
транзистор з
субмікронними розмірами
submicron-scale MOS device
МОН-
транзистор з
щілистою
вертикальної
структурою
T-MOS transistor
МОН-структура з вертикальними транзисторами
vertical MOS
пам'ять на комплементарних МОН-
транзисторах з
КНС-структурою
CMOS/SOS memory
пам'ять на польових
транзисторах з
р–n-переходом і вертикальним каналом
static-induction transistor memory
ПЗЗ на польових
транзисторах з
керуючим р-n-переходом
junction CCD
польовий
транзистор з
блохівськими осциляціями
Bloch FET
польовий
транзистор з
гетеропереходом
heterointerface FET
польовий
транзистор з
гребінчастими затворами
multiple-gate finger FET
польовий
транзистор з
двовимірним електронним газом
two-dimensional electron-gas FET
польовий
транзистор з
каналом р-типу
positive-type FET
польовий
транзистор з
каналом р-типу
p-channel FET
польовий
транзистор з
каналом n-типу
negative FET
польовий
транзистор з
каналом n-типу
n-channel FET
польовий
транзистор з
керівником р–n-переходом
p–n-junction FET
польовий
транзистор з
коротким затвором
short gate-length FET
польовий
транзистор з
коротким каналом
short-channel FET
польовий
транзистор з
кремнієвим затвором
silicon-gate FET
польовий
транзистор з
δ-легованим каналом
δ-doped field-effect transistor
польовий
транзистор з
δ-легованим каналом
δ
-doped
FET
польовий
транзистор з
металевим затвором
metal-gate FET
польовий
транзистор з
нанометровими розмірами елементів
nanometer-scale FET
польовий
транзистор з
негативним опором
negative resistance FET
польовий
транзистор з
неоднорідним модульованим легуванням
modulation-doped FET
польовий
транзистор з
плаваючим затвором
floating-gate FET
польовий
транзистор з
V-подібним затвором
V-gate FET
польовий
транзистор з
прихованим каналом
buried-channel FET
польовий
транзистор з
резонансним тунелюванням
resonant tunneling FET
польовий
транзистор з
р–n-переходом як затвор
junction-gate FET
польовий
транзистор з
р–n-переходом як затвор
junction FET
польовий
транзистор з
самосуміщеним затвором
self-aligned
gate
FET
польовий
транзистор з
тунельним переносом
tunneling-transfer FET
(носіїв)
польовий
транзистор з
ізольованим затвором
insulated-gate FET
польовий
транзистор з
ізольованим затвором
IGFET
польовий
транзистор з
ізольованим затвором, що працює в режимі збагачення
enhancement-type IGFET
польовий
транзистор з
ізольованим затвором, що працює в режимі збіднення
depletion-type IGFET
статичний індукційний
транзистор з
поверхневим затвором
surface-gate
structure
SIT
технологія виготовлення транзисторів з епітаксійною базою
epibase technology
технологія логічних ІС з транзисторами Шоткі
Schottky transistor logic technology
технологія польових транзисторів з р–n-переходами
J-FET technology
технологія створення польових транзисторів з силіцидним затвором
silicide-gate technology
технологія транзисторів з високою рухливістю електронів
high-electron mobility transistor technology
технологія ІС
операційних підсилювачів
на польових
транзисторах з
діелектричною ізоляцією
DIFET process
тонкоплівковий
транзистор з
кремнієвим самосуміщеним затвором
self-aligned silicon gate TFT
транзистор з
балковими виводами
beam-lead transistor
транзистор з
балістичним перенесенням носіїв заряду
ballistic transistor
транзистор з
вертикальною структурою
vertical transistor
транзистор з
високою рухливістю електронів
high-electron mobility transistor
транзистор з
виступаючими електродами
stepped electrode transistor
транзистор з
глибокозбідненим шаром
deep depletion transistor
транзистор з
горизонтальною структурою
lateral transistor
транзистор з
дифузійним емітером і базою
diffused-emitter-and-base transistor
транзистор з
дротяним монтажем
chip-and-wire transistor
транзистор з
дрібними переходами
shallow-junction transistor
транзистор з
емітером коміркового типу
mesh-emitter transistor
транзистор з
епітаксійною базою
epibase transistor
транзистор з
КНС-структурою
silicon-on-sapphire transistor
транзистор з
колектором, шунтованим діодом Шоткі
clamped transistor
транзистор з
контрольованими пастками
trap-controlled transistor
транзистор з
мезаструктурою
mesa-type transistor
транзистор з
мезаструктурою
mesa transistor
транзистор з
металевою базою
metal-base transistor
транзистор з
мілкими переходами
shallow-junction transistor
транзистор з
негативним повним опором
negative-impedance transistor
транзистор з
переходами
junction transistor
транзистор з
переходом колектора на бар'єрі Шоткі
Schottky-diode clamped transistor
транзистор з
переходом колектора на бар'єрі Шоткі
Schottky-barrier collector transistor
транзистор з
переходом колектора на бар'єрі Шоткі
Schottky collector transistor
транзистор з
поверхневим бар'єром
surface-barrier transistor
транзистор з
поверхневим зарядом
surface-charge transistor
транзистор з
проникною базою
permeable-base transistor
транзистор з
резонансним затвором
resonant-gate transistor
транзистор з
р–n-переходами
junction transistor
транзистор з
тунельним емітером
tunnel emitter transistor
транзистор з
функціонально-суміщеними областями
merged transistor
транзистор з
іонно-імплантованою базою
ion-implanted base transistor
тривимірний
транзистор з
щілинною структурою
3D trench transistor
(для мегабітових ЗП)
ТТЛ з транзисторами Шоткі
Schottky-coupled
transistor
logic
інтегральний
транзистор з
ізолюючим охоронним кільцем
GIMIC transistor
інтегральні логічні схеми на
транзисторах з
суміщеними областями
merged transistor logic
ІС на комплементарних МОН-
транзисторах з
КНС-структурою
CMOS/SOS device
ІС на МОН-
транзисторах з
КНС-структурою
SOS/MOS device
ІС на
транзисторах з
відкритим колектором
open-collector integrated circuit
ІС на
транзисторах з
суміщеними областями
MTL device
ІС, яка суміщає МОН-і біполярні
транзистори з
потужним виходом
MOSBIP integrated circuit
Get short URL