транзистор з

Terms for subject Microelectronics containing транзистор з | all forms | exact matches only | in specified order only

Ukrainian	English
біполярний транзистор з базою у вигляді інверсійного каналу, керованого ефектом поля	bipolar inversion channel FET
біполярний транзистор з модульованим затвором	gate-modulated bipolar transistor (комбінація польового і біполярного транзисторів)
біполярний транзистор з резонансним квантовим тунелюванням	bipolar quantum resonant tunneling transistor
біполярний транзистор з різкими р–n-переходами	abrupt heterojunction bipolar transistor
біполярний транзистор з тунельним бар'єром в емітерній області	barrier-emitter transistor
вертикальний n–р–n-транзистор навантаження з функціонально суміщеними областями	merged vertical n-p-n load
вихідний транзистор з розімкненим колектором	open collector output
ВІС з біполярними і МОН-транзисторами на одному кристалі	right-scale integration
гетероструктурний польовий транзистор з ізольованим затвором	heterostructure insulated-gate FET
ЗП на МОН-транзисторах з плаваючим затвором	floating-gate storage
КМОН-транзистор з КНС-структурою	CMOS/SOS device
логічні схеми з поглибленими польовими транзисторами навантажень	buried-load logic
логічні схеми з транзисторами Шоткі	Schottky-transistor logic
МАН-транзистор з ізолюючим шаром затвора з оксиду алюмінію	metal-alumina-semiconductor transistor
МОН-транзистор з елементами зменшених розмірів	fine-line MOSFET
МОН-транзистор з заглибленим оксидним шаром	buried-oxide MOS transistor
МОН-транзистор з заземленим затвором	MOSFET grounded gate
МОН-транзистор з каналом р-типу	p-channel MOS transistor
МОН-транзистор з каналом n-типу	n-channel MOS transistor
МОН-транзистор з КНС-структурою	SOS/MOS device
МОН-транзистор з коротким каналом	short-channel MOSFET (напр. субмікронної довжини)
МОН-транзистор з кремнієвим затвором	silicon-gate MOS transistor
МОН-транзистор з металевим затвором	metal-gate MOS transistor
МОН-транзистор з плаваючим затвором	floating-gate MOS transistor
МОН-транзистор з V-подібним затвором	recessed-gate MOS transistor
МОН-транзистор з V-подібним затвором	grooved-gate MOSFET
МОН-транзистор з V-подібними канавками	V-groove MOS device
МОН-транзистор з V-подібною канавкою	grooved-gate MOS transistor
МОН-транзистор з X-подібною структурою	XMOS transistor
МОН-транзистор з прихованим каналом	buried-channel MOS transistor
МОН-транзистор з прихованим каналом	buried-channel MOSFET
МОН-транзистор з пропорційно зменшеними розмірами елементів	downward-scaled MOS transistor
МОН-транзистор з самосуміщеними затворами	self-aligned MOSFET
МОН-транзистор з силіцидними шарами	silicide MOSFET
МОН-транзистор з субмікрометровим каналом	submicrometer channel length MOSFET
МОН-транзистор з субмікронними розмірами	submicron-scale MOS device
МОН-транзистор з щілистою вертикальної структурою	T-MOS transistor
МОН-структура з вертикальними транзисторами	vertical MOS
пам'ять на комплементарних МОН-транзисторах з КНС-структурою	CMOS/SOS memory
пам'ять на польових транзисторах з р–n-переходом і вертикальним каналом	static-induction transistor memory
ПЗЗ на польових транзисторах з керуючим р-n-переходом	junction CCD
польовий транзистор з блохівськими осциляціями	Bloch FET
польовий транзистор з гетеропереходом	heterointerface FET
польовий транзистор з гребінчастими затворами	multiple-gate finger FET
польовий транзистор з двовимірним електронним газом	two-dimensional electron-gas FET
польовий транзистор з каналом р-типу	positive-type FET
польовий транзистор з каналом р-типу	p-channel FET
польовий транзистор з каналом n-типу	negative FET
польовий транзистор з каналом n-типу	n-channel FET
польовий транзистор з керівником р–n-переходом	p–n-junction FET
польовий транзистор з коротким затвором	short gate-length FET
польовий транзистор з коротким каналом	short-channel FET
польовий транзистор з кремнієвим затвором	silicon-gate FET
польовий транзистор з δ-легованим каналом	δ-doped field-effect transistor
польовий транзистор з δ-легованим каналом	δ-doped FET
польовий транзистор з металевим затвором	metal-gate FET
польовий транзистор з нанометровими розмірами елементів	nanometer-scale FET
польовий транзистор з негативним опором	negative resistance FET
польовий транзистор з неоднорідним модульованим легуванням	modulation-doped FET
польовий транзистор з плаваючим затвором	floating-gate FET
польовий транзистор з V-подібним затвором	V-gate FET
польовий транзистор з прихованим каналом	buried-channel FET
польовий транзистор з резонансним тунелюванням	resonant tunneling FET
польовий транзистор з р–n-переходом як затвор	junction-gate FET
польовий транзистор з р–n-переходом як затвор	junction FET
польовий транзистор з самосуміщеним затвором	self-aligned gate FET
польовий транзистор з тунельним переносом	tunneling-transfer FET (носіїв)
польовий транзистор з ізольованим затвором	insulated-gate FET
польовий транзистор з ізольованим затвором	IGFET
польовий транзистор з ізольованим затвором, що працює в режимі збагачення	enhancement-type IGFET
польовий транзистор з ізольованим затвором, що працює в режимі збіднення	depletion-type IGFET
статичний індукційний транзистор з поверхневим затвором	surface-gate structure SIT
технологія виготовлення транзисторів з епітаксійною базою	epibase technology
технологія логічних ІС з транзисторами Шоткі	Schottky transistor logic technology
технологія польових транзисторів з р–n-переходами	J-FET technology
технологія створення польових транзисторів з силіцидним затвором	silicide-gate technology
технологія транзисторів з високою рухливістю електронів	high-electron mobility transistor technology
технологія ІС операційних підсилювачів на польових транзисторах з діелектричною ізоляцією	DIFET process
тонкоплівковий транзистор з кремнієвим самосуміщеним затвором	self-aligned silicon gate TFT
транзистор з балковими виводами	beam-lead transistor
транзистор з балістичним перенесенням носіїв заряду	ballistic transistor
транзистор з вертикальною структурою	vertical transistor
транзистор з високою рухливістю електронів	high-electron mobility transistor
транзистор з виступаючими електродами	stepped electrode transistor
транзистор з глибокозбідненим шаром	deep depletion transistor
транзистор з горизонтальною структурою	lateral transistor
транзистор з дифузійним емітером і базою	diffused-emitter-and-base transistor
транзистор з дротяним монтажем	chip-and-wire transistor
транзистор з дрібними переходами	shallow-junction transistor
транзистор з емітером коміркового типу	mesh-emitter transistor
транзистор з епітаксійною базою	epibase transistor
транзистор з КНС-структурою	silicon-on-sapphire transistor
транзистор з колектором, шунтованим діодом Шоткі	clamped transistor
транзистор з контрольованими пастками	trap-controlled transistor
транзистор з мезаструктурою	mesa-type transistor
транзистор з мезаструктурою	mesa transistor
транзистор з металевою базою	metal-base transistor
транзистор з мілкими переходами	shallow-junction transistor
транзистор з негативним повним опором	negative-impedance transistor
транзистор з переходами	junction transistor
транзистор з переходом колектора на бар'єрі Шоткі	Schottky-diode clamped transistor
транзистор з переходом колектора на бар'єрі Шоткі	Schottky-barrier collector transistor
транзистор з переходом колектора на бар'єрі Шоткі	Schottky collector transistor
транзистор з поверхневим бар'єром	surface-barrier transistor
транзистор з поверхневим зарядом	surface-charge transistor
транзистор з проникною базою	permeable-base transistor
транзистор з резонансним затвором	resonant-gate transistor
транзистор з р–n-переходами	junction transistor
транзистор з тунельним емітером	tunnel emitter transistor
транзистор з функціонально-суміщеними областями	merged transistor
транзистор з іонно-імплантованою базою	ion-implanted base transistor
тривимірний транзистор з щілинною структурою	3D trench transistor (для мегабітових ЗП)
ТТЛ з транзисторами Шоткі	Schottky-coupled transistor logic
інтегральний транзистор з ізолюючим охоронним кільцем	GIMIC transistor
інтегральні логічні схеми на транзисторах з суміщеними областями	merged transistor logic
ІС на комплементарних МОН-транзисторах з КНС-структурою	CMOS/SOS device
ІС на МОН-транзисторах з КНС-структурою	SOS/MOS device
ІС на транзисторах з відкритим колектором	open-collector integrated circuit
ІС на транзисторах з суміщеними областями	MTL device
ІС, яка суміщає МОН-і біполярні транзистори з потужним виходом	MOSBIP integrated circuit

Get short URL