| Ukrainian | English |
| автоматизована збірка ІС на стрічковому носії з балковими виводами | beam tape-automated assembly |
| автоматична збірка ІС на стрічковому носії | TAB processing |
| аналогова ІС | analog integrated circuit |
| аналогова ІС | analog device |
| апаратура для розробки замовлених ІС | custom facilities |
| багатовивідна ІС | multilead chip |
| багатозондове устаткування для перевірки логічних ІС | logic probe |
| багатокристальна ІС | multichip circuit |
| багатокристальна ІС | multichip |
| багатокристальна ІС | multiple-chip circuit |
| багатокристальна ІС | compound monolithic integration |
| багатокристальна ІС пам'яті | multichip memory |
| багатокристальний метод збірки ІС | multichip assembly technique |
| багаторівнева ІС | multilevel integrated circuit |
| багаторівнева ІС | stacked circuit |
| багаторівнева ІС | multilevel integration |
| багаторівнева ІС | multilayer integrated circuit |
| багатошарова ІС | laminated integrated circuit |
| базовий матричний кристал для виготовлення напівзамовлених ІС | semicustom masterslice |
| базовий технологічний метод виготовлення ІС з прихованим шаром колектора | SBC technique |
| безкорпусна ІС | chip integrated circuit |
| безкорпусна ІС | chip element |
| безкорпусна ІС | naked integrated circuit |
| безкорпусна ІС | naked chip |
| безкорпусна ІС | die integrated circuit |
| безкорпусна ІС | unpackaged chip |
| безкорпусна ІС | packageless integrated microcircuit |
| безкорпусна ІС | bare chip |
| бібліотека моделей компонентів ІС | device model library |
| біполярна ІС | bipolar unit |
| біполярна ІС | bipolar circuit |
| біполярна ІС | bipolar |
| біполярна ІС з аналогічною функцією | bipolar counterpart (напр. по відношенню до певної МОН ІС) |
| біполярна ІС, сумісна з ТТЛ ІС | TTL-compatible bipolar |
| біполярна ІС формувача | bipolar driver |
| біполярна ІС фільтру | bipolar filter |
| електро вакуумна ІС | vacuum integrated circuit |
| варіант реалізації схеми у вигляді напівпровідникової ІС | monolithic version |
| велика гібридна ІС | large-scale hybrid integration |
| велика ІС | IC system |
| велика ІС | highly integrated circuit |
| велика ІС | high-scale integration |
| велика ІС | large-scale integrated circuit |
| велика ІС | LSI circuit |
| велика ІС | LSI |
| велика ІС | large-scale integration device |
| велика ІС | large-scale integration |
| велика ІС | large-scale integrated device |
| велика ІС | grand-scale integration |
| великосерійна ІС | high-volume integration |
| великосерійна ІС | high-volume circuit |
| верифікація проекту ІС | design verification (на різних етапах проектування) |
| верифікація проекту ІС на дотримання проектних норм | design rules verification |
| верифікація проекту ІС на логічному рівні | logic verification |
| верифікація ІС на технічному рівні | circuit-level verification |
| вивід ІС | IC terminal |
| виготовлення у вигляді МОН ІС | horizontal integration (на відміну від МОН ІС з V-подібними канавками) |
| виготовлення у вигляді МОН ІС з V-подібними канавками | vertical integration |
| виготовлення у вигляді VMOH ІС | vertical integration |
| виготовлення ІС за електронно-променевою технологією | electron-beam fabrication |
| виготовлення ІС методом рентгенівської літографії | X-ray fabrication |
| виготовлення ІС методом фотолітографії | photolithographic circuit fabrication |
| виготовлення ІС методом фотолітографії | photofabrication |
| виготовлення ІС методом іонної імплантації | ion-implantation fabrication |
| виготовлення ІС методом іонної імплантації | all-ion-bombardment fabrication |
| вихідна цифрова ІС | digital output |
| власна конструкція спеціалізованих ІС | in-house custom desiccant |
| власна розробка спеціалізованих ІС | in-house custom desiccant |
| відмовостійка ІС | fault-tolerant chip |
| відмовостійка ІС | tolerant chip |
| відмовостійка ІС | fault-free chip |
| ВІС з аналоговими і цифровими ІС на одному кристалі | combined analog and digital LSI |
| геометрія масштабованої ІС | scaled geometry |
| геометрія ІС з елементами збільшених розмірів | gross geometry |
| геометрія ІС з елементами субмікронних розмірів | submicron geometry |
| геометрія ІС з елементами субмікронних розмірів | submicrometer geometry |
| густина упакування в кристалі ІС | chip density |
| густина упакування ІС | integrated-circuit density |
| густина упакування ІС | integration density |
| густина упакування ІС | integrated-microcircuit packaging density |
| густина упакування ІС | circuit density |
| густина упакування ІС в еквівалентних логічних елементах | gate density |
| гібридна ІС | hybrid chip |
| гібридна ІС | hybrid film circuit |
| гібридна ІС | hybrid circuit |
| гібридна ІС | hybrid microcircuit |
| гібридна ІС | hybrid integration |
| гібридна ІС | hybrid hybrid-type circuit |
| гібридна ІС | hybrid |
| ГІС, що складається з декількох кристалів ІС | monobrid circuit |
| двохдифузійна технологія МОН ІС з самосуміщеними затворами | self-aligned double-diffusion technique |
| дефектна ІС | dead-on-arrival integrated circuit |
| дослідна ІС | test-manufactured integrated circuit |
| дрібносерійна ІС | low-volume integration |
| еквівалент ІС з малим ступенем інтеграції | discrete IC equivalent (напр. для порівняння складності ВІС) |
| ЕОМ на ІС | microelectronic computer |
| затримка, що використовується для верифікації ІС з урахуванням різниці тривалостей імпульсів | asymmetric delay |
| збірка ІС | integrated-circuit packaging |
| збірка ІС з балковими виводами на платі | beam-lead interconnect packaging |
| збірка ІС на стрічковому носії без балочних виводів | beamless tape packaging |
| збірка ІС на стрічковому носії з балковими виводами | beam tape packaging |
| зв'язуюча ІС | glue chip |
| зв'язуюча ІС | glue |
| небажане зміщення кристалів ІС із заданого положення | dice float |
| зонд для внесення несправностей в ІС | fault inject probe |
| керуюча ІС | control integrated circuit |
| керуюча ІС | governor integrated circuit |
| керуюча ІС | control element |
| комбінація об'єднання біполярних логічних ІС і КМОН ІС на одному кристалі | bipolar logic/complementary MOS combination |
| комбінована технологія ІС на біполярних і МОН-транзисторах | BIMOS technique |
| комерційна ІС | merchant integrated circuit |
| комплект набір з великого числа ІС | multiple chip set |
| комплект набір ІС | chip set |
| комплементарна МОН ІС | CMOS circuit |
| комплементарна МОН ІС фільтру | CMOS filter |
| компонент ІС | integrated-circuit component |
| компонент ІС | integrated component |
| комірка матричної ІС | array element |
| комірка напівпровідникової ІС | monolithic cell |
| комірка інтерфейсної ІС | interface cell |
| конструкція багатокристальних ІС | multiple-chip desiccant |
| конструкція багатокристальних ІС | multichip desiccant |
| конструкція високоякісної ІС | high-performance desiccant |
| конструкція ІС | IC desiccant |
| контроль мінімальних розмірів елементів ІС | linewidth control |
| корекція резисторів напівпровідникових ІС | on-chip trimming |
| корпус кристала ІС | chip package |
| корпус ІС з балковими виводами | beam-lead IC pack |
| кристал багатовивідний ІС | multilead chip |
| кристал матричної ІС | array chip |
| кристал монолітної ІС | monolithic chip |
| кристал на ІС | electronic chip |
| кристал напівпровідникової ІС | semiconductor pellet |
| кристал напівпровідникової ІС | semiconductor chip |
| кристал оптоелектронної ІС | opto chip |
| кристал спеціалізованої ІС | committed chip |
| кристал ІС | microcircuit chip |
| кристал ІС | slice |
| кристал ІС | integrated-microcircuit chip |
| кристал ІС | integrated-circuit pellet |
| кристал ІС | IC chip |
| кристал ІС з малим ступенем інтеграції | individual circuit chip |
| кристал ІС, змонтований на стрічковому носії | die on-tape |
| кристалоносій для монтажу ІС методом переверненого кристала | flip-chip carrier |
| кристалоносій для ІС | IC holder |
| кріогенна логічна ІС | cryologic |
| логічна зв'язуюча ІС | logic glue |
| логічна матрична ІС | logic array device |
| логічна матрична ІС | logic array |
| логічна ІС | logic unit |
| логічна ІС | logic integrated circuit |
| логічна ІС з малим ступенем інтеграції | discrete gate |
| логічна ІС з інжекційним живленням | I2L device |
| логічна ІС з інжекційним живленням | merged integrated circuit |
| логічна ІС з інжекційним живленням | MTL device |
| логічна ІС з інжекційним живленням | I2L circuit |
| логічна ІС на емітерних повторювачах | EFL integrated circuit |
| логічна ІС на основі базового матричного кристала | master-slice logic chip |
| логічна ІС на переходах Джозефсона | Josephson logic device |
| логічна ІС серії "Майкронор" | Micronor integrated circuit |
| логічна ІС, що програмується користувачем | field-programmable logic integrated circuit |
| логічна ІС, що спеціалізується користувачем | AS logic |
| логічний елемент цифровий ІС | digital logic gate |
| логічні ІС | integrated-circuit logic |
| логічні ІС | integrated logic |
| логічні ІС з малим ступенем інтеграції | small-scale integration logic |
| лінійна ІС | linear |
| макет ІС | integrated-circuit mockup |
| макет ІС на основі базового матричного кристала | master slice breadboard |
| малопотужна ТТЛШ ІС | low-power Schottky |
| малопотужна ІС на ТТЛ з діодами Шоткі | low-power Schottky device |
| маніпулятор для ІС | integrated-circuit handler |
| маніпулятор для ІС в DIP-корпусі | DIP handler |
| маркування ІС | chip marking |
| маркування ІС | chip identification |
| матрична n-канальна МОН ІС | negative MOS array |
| матрична n-канальна МОН ІС | n-channel MOS array |
| матрична КМОН ІС з суцільною напівпровідниковою підкладкою | bulk CMOS array |
| матрична спеціалізована ІС | array-based ASIC (напр. на базовому матричному кристалі) |
| матрична ІС | matrix integrated circuit |
| матрична ІС | IC array |
| матрична ІС | array chip |
| матрична ІС | array integrated circuit |
| матрична ІС | array device |
| матрична ІС | array |
| матрична ІС з КНС-структурою | SOS array |
| матрична ІС з одношаровою металізацією | single-layer metal array |
| метод виготовлення біполярних ІС | bipolar approach |
| метод виготовлення ІС з двома рівнями полікристалічного кремнію | two-polysilicon approach |
| метод виготовлення замовлених ІС | customized approach |
| метод виготовлення замовлених ІС | custom approach |
| метод збірки ІС на стрічкових носіях | tape-carrier technique |
| метод проектування матричних ІС з комірками різних типів | polycell layout approach (напр. ТТЛ і ЕСЛ) |
| метод виготовлення МОН ІС з самосуміщеними затворами | self-aligning method |
| метод створення монолітних ІС | monolithic approach |
| метод обробки кристалів ІС на напівпровідниковій пластині | chip processing technique |
| метод пасивації ІС | passivation technology |
| метод подієвого моделювання ІС | event-driven method |
| метод проектування ІС на основі логічних матриць | gate-array approach |
| метод проектування ІС на основі макрокомірок | Macrocell approach |
| метод ізоляції елементів ІС з КНС-структурою | SOS isolation technique |
| мова для автоматизованого проектування ІС | integrated-circuit design language |
| молекулярна ІС | molecular integrated circuit |
| монтаж декількох кристалів ІС в одному корпусі | monobrid |
| монтаж кристалів ІС безпосередньо на друкованій платі | chip-on-board process |
| морфологія ІС | integrated morphology |
| мікропотужна ІС | micropower integration |
| навантаження на ІС | IC stress |
| навантажувальна здатність логічної ІС | logic gain |
| надвелика ІС | system component |
| надвелика ІС | very large-scale integrated-circuit device |
| надвелика ІС | very large-scale integration device |
| надвелика ІС | VLSI circuit |
| надвелика ІС | very large-scale integration |
| надвелика ІС | IC system |
| надпровідникова ІС | superconductor integrated circuit |
| надпровідникова ІС | superconducting integrated circuit |
| надшвидкодіюча надшвидкісна ІС | VHSI circuit |
| надшвидкодіюча надшвидкісна ІС | very high-speed integration |
| напівзамовлена ІС | semicustom |
| напівзамовлена ІС | semicustom integration |
| напівзамовлена ІС | semicustomized integrated circuit |
| напівзамовлена ІС | semicustom part |
| напівзамовлена ІС | semicustom integrated circuit |
| напівзамовлена ІС | semi custom (на основі базового матричного кристала) |
| напівзамовлена ІС з архітектурою на основі стандартних комірок | standard cell-based semicustom integrated circuit |
| напівзамовлена ІС на основі базового матричного кристала | master slice semicustom |
| нескомутована ІС | uncommitted integrated circuit |
| об'єднане середовище підтримки проекту ІС | integrated project support environment |
| оптична ІС | optical integration |
| оптична ІС | optical integrated circuit |
| організація кристала ІС | chip organization (розміщення елементів на кристалі ІС) |
| орієнтація кристала ІС | die orientation |
| пам'ять на одному кристалі з іншою ІС | on-chip memory |
| пам'ять, сумісна з ІС на ЕЗЛ | emitter-coupled logic compatible memory (за рівнями сигналів) |
| панель для ІС | lead |
| панель для ІС в корпусі | packaging socket |
| панель для ІС в корпусі | package receptacle |
| панель для ІС в корпусі з матричними виводами | pin grid array socket |
| панель для ІС в корпусі з матричними виводами | PGA socket |
| панель для ІС в плоскому корпусі з дворядним розташуванням виводів | dual in-line package receptacle |
| панель для ІС в плоскому корпусі з дворядним розташуванням виводів | DIP receptacle |
| панель для ІС в плоскому корпусі з дворядним розташуванням виводів | DIL receptacle |
| панель для ІС в плоскому корпусі з однорядним розташуванням виводів | single-in-line package socket |
| панель для ІС в плоскому корпусі з однорядним розташуванням виводів | single-in-line socket |
| панель для ІС в плоскому корпусі з чотирирядовим розташуванням виводів | QUIP socket |
| панель для ІС в плоскому корпусі з чотирирядовим розташуванням виводів | quad-in-line package socket |
| пасивація поверхні ІС | integrated-circuit passivation |
| перешкодостійка ІС | noise-immunity integrated circuit |
| периферійна ІС | support chip |
| периферійна ІС | peripheral chip |
| периферійна ІС | peripheral device |
| периферійна ІС | peripheral |
| периферійна ІС формувача | peripheral driver |
| планування ІС на площині | floorplanning |
| плата багатокристальної ІС | multichip carrier |
| плата для монтажу ІС | IC card |
| плата для монтажу ІС в DIP-корпусах | DIP board |
| плата з логічними ІС | logic card |
| плоский корпус з п'ятьма виводами для потужних лінійних ІС | Pentawatt |
| повністю замовлена ІС | full-custom integrated circuit |
| повністю замовлена ІС | full custom |
| послідовність перевірки блоку при тестуванні ВІС ІС | block check sequence |
| послідовність технологічних операцій виготовлення ІС | fabrication sequence |
| пристрій для демонтажу ІС | integrated-circuit remover (напр. з кристалоносія) |
| пристрій для захисту МОН ІС від пошкодження статичною електрикою | MOS saver |
| пристрій для позиціонування кристалів ІС | chip positioner |
| пристрій на ІС | integrated circuit unit |
| пристрій подачі і переміщення ІС | integrated-circuit handler |
| програма створення надшвидкісних ІС | VHSIC program |
| програмована логічна ІС з перепалюваними перемичками | fuse-based platinum |
| програмована логічна ІС з перепалюваними перемичками | fuse platinum |
| програмована логічна ІС на основі ЕЗППЗП | EEPROM-based platinum |
| програмована ІС | programmable integrated circuit |
| проектування багатокристальних ІС | multiple-chip desiccant |
| проектування багатокристальних ІС | multichip desiccant |
| проектування компонентів ІС | device desiccant |
| проектування ІС | integrated-circuit engineering |
| проектування ІС | IC desiccant |
| проектування ІС з використанням послідовних регістрових передач | level-sensitive scan desiccant |
| радіаційно-стійка ІС | radiation-hardened integrated circuit |
| рамка для припаювання кристала ІС | sealing preform |
| реалізація апаратура на основі замовлених ІС | custom implementation |
| реалізація ІС у вигляді замовлених приладів | customization |
| р-канальна МОН ІС | p-channel MOS array |
| робота ІС | integrated-circuit performance |
| розводка на кристалі логічної ІС | logic chip wiring |
| самосуміщена ІС | self-aligned integrated circuit |
| середня ІС | MSI circuit |
| середня ІС | medium-scale integration |
| серія ЕЗЛ ІС | ECL line |
| серія малопотужних ІС | low-power series |
| серія швидкодіючих ІС | high-speed series |
| серія ІС | chip family |
| серія ІС з блоковою структурою | block-structured family |
| система перевірки ІС і логічних матриць з використанням зовнішньої логіки | logic analysis system |
| смужкова ІС | stripline integrated circuit |
| спеціалізація ІС | customization |
| спеціалізація ІС з використанням двошарової металізації | double-layer metal personalization |
| спеціалізована ІС | dedicated-designed integration |
| спеціалізована ІС | special |
| спеціалізована ІС | dedicated integration |
| спеціалізована ІС | committed chip |
| спеціалізована ІС | dedicated circuit |
| спеціалізована ІС | dedicated-design circuit |
| спеціалізована ІС | ASIC |
| спеціалізована ІС | application specific integrated circuit |
| спеціалізована ІС на бібліотечних елементах | standard-cell based ASIC |
| спеціалізована ІС, що випускається великими партіями | high-volume special |
| спеціалізована ІС, що випускається малими партіями | low-volume special |
| спосіб розміщення однієї ІС на іншій | piggyback fashion (для економії площі плати) |
| співвідношення між швидкодією ІС і потужністю розсіяння | speed/power ratio |
| стандартна матрична ІС | standardized array |
| стандартна ІС | jellybean |
| стандартна ІС | standard integration |
| стандартна ІС | standard-product integration |
| стандартна ІС | off-the-shelf integrated circuit |
| стандартна ІС | catalogue integrated circuit |
| створення замовлених ІС | custom implementation |
| створення системи на ІС | system integration |
| створення спеціалізованих ІС | custom implementation |
| структура кристала ІС з дрібними областями | shallow chip structure |
| структура кристала ІС з мілкими областями | shallow chip structure |
| структура напівпровідникової ІС | semiconductor structure |
| структура напівпровідникової ІС | SIC structure |
| структура напівпровідникової ІС | monolithic-type structure |
| структура напівпровідникової ІС | monolithic structure |
| структура напівпровідникової ІС з повітряною ізоляцією | air-isolation monolithic structure |
| структура ІС | integrated circuit structure |
| структура ІС | integrated-circuit pattern |
| структура ІС | chip structure |
| структура ІС з вертикальною інтеграцією | vertically integrated structure |
| структура ІС з трьома рівнями полікристалічного кремнію | triple-poly structure |
| структура ІС з щілистою ізоляцією | trench isolation structure |
| структура ІС з ізоляцією щілинами | recessed structure |
| ступінь інтеграції логічної ІС | logic complexity |
| ступінь інтеграції ІС | circuit complexity level |
| ступінь інтеграції ІС | integrated-circuit density |
| ступінь інтеграції ІС | integration density |
| ступінь інтеграції ІС | integrated-microcircuit packaging density |
| ступінь інтеграції ІС | circuit complexity |
| ступінь інтеграції ІС | chip density |
| субмікронна геометрія ІС | submicron geometry |
| субмікронна геометрія ІС | submicrometer geometry |
| субмікронна технологія ІС | submicron IC technology |
| суміщена ІС | compatible integrated circuit |
| супервелика ІС | superchip |
| технологія автоматизованої збірки ІС з використанням стрічки-носія | tape automated bonding |
| технологія автоматизованої збірки ІС на стрічковому носії | tape-automated-bonding technology |
| технологія автоматизованої збірки ІС на стрічковому носії | TAB technology |
| технологія аналогових ІС | analog technology |
| технологія біполярних ІС з самосуміщеними областями | BSA technology |
| технологія біполярних ІС з самосуміщеними областями і полікремнієвими резисторами | bipolar |
| технологія біполярних ІС з самосуміщеною маскою і нітридною пасивацією | NSA process |
| технологія біполярних ІС з функціонально суміщеними областями | merged bipolar technology (напр. технологія І2Л-схем) |
| технологія високовольтних ІС | high-voltage process |
| технологія ЕЗЛ ІС | ECL technology |
| технологія замовлених ІС | custom-design technology |
| технологія збірки ІС на стрічковому носії | film-carrier technology |
| технологія p-канальних МОН ІС | p-channel technology |
| технологія n-канальных МОН ІС | n-channel technology |
| технологія КМОН ІС | CMOS technology |
| технологія КМОН ІС | CMOS technique |
| технологія КМОН ІС з КНС-структурою | CMOS/SOS processing |
| технологія КМОН ІС з КНС-структурою | SOS/CMOS process |
| технологія КМОН ІС з КНС-структурою | CMOS-on-sapphire process |
| технологія КМОН ІС з охоронними кільцями | guard-banded CMOS process |
| технологія КМОН ІС з підвищеною густиною упаковки | closed CMOS process |
| технологія КМОН ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | SOS/CMOS process |
| технологія КМОН ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | CMOS-on-sapphire process |
| технологія комплементарних МОН ІС | CMOS technique |
| технологія логічних ІС | logic technology |
| технологія логічних ІС з транзисторами Шоткі | Schottky transistor logic technology |
| технологія масштабованих іонно-легованих n-МОН ІС з кремнієвими затворами і двома шарами полікристалічного кремнію | scaled Poly 5 process |
| технологія масштабованих іонно-легованих n-МОН ІС з кремнієвими затворами і двома шарами полікристалічного кремнію | Poly 5 process |
| технологія масштабованих ІС | scaled process technology |
| технологія масштабування ІС з полікремнієвим затвором | scaled poly |
| технологія МНОН ІС | nitride process |
| технологія p-МОН ІС | p-channel technology |
| технологія n-МОН ІС | n-channel technology |
| технологія МОН ІС з двома шарами полікристалічного кремнію | poly-squared MOS process |
| технологія МОН ІС з дворівневими полікремнієвими затворами | double-layer polysilicon gate MOS process |
| технологія МОН ІС з металевими затворами | metal-gate MOS process |
| технологія МОН ІС з молібденовими затворами | Mo-gate MOS process |
| технологія виготовлення МОН ІС з низькою пороговою напругою | low VT process |
| технологія МОН ІС з одним полікремнієвим затвором | single poly process |
| технологія МОН ІС з плаваючими кремнієвими затворами | floating-gate silicon process |
| технологія МОН ІС з V-подібними канавками | V-groove technology |
| технологія МОН ІС з V-подібними канавками | V-groove MOS process |
| технологія МОН ІС з полікремнієвими затворами | silicon-gate technology |
| технологія МОН ІС з полікремнієвими затворами | polysilicon-gate technology |
| технологія МОН ІС з полікремнієвими затворами | polysilicon-gate process |
| технологія МОН ІС з полікремнієвими затворами | Poly-Si process |
| технологія МОН ІС з резисторами навантажень з полікристалічного кремнію | polysilicon-load technology |
| технологія МОН ІС з самосуміщеними двошаровими затворами з дисиліциду титану і полукремнію | Stalicide process |
| технологія МОН ІС з самосуміщеними дифузійними областями стоку і витоку | self-aligned source-drain diffusion technology |
| технологія МОН ІС з самосуміщеними затворами | self-registered gate process |
| технологія МОН ІС з самосуміщеними затворами | self-aligned gate process |
| технологія МОН ІС з самосуміщеними затворами з полікристалічного кремнію | polysilicon self-aligned technology |
| технологія МОН ІС з трьома шарами полікристалічного кремнію | triply-poly process |
| технологія МОН ІС із затворами з тугоплавкого металу | refractory metal MOS process |
| технологія монолітних ІС | monolithic technology |
| технологія монолітних ІС | monolithic technique |
| технологія надшвидкісних надшвидкодіючих ІС | VHSIC technology |
| технологія напівзамовлених ІС | semicustom process |
| технологія напівпровідникових ІС | monolithic technology |
| технологія напівпровідникових ІС | monolithic technique |
| технологія напівпровідникових ІС з оксидною ізоляцією | oxide-isolated monolithic technology |
| технологія програмованих біполярних ІС ЗП з плавкими перемичками | stacked fuse bipolar process |
| технологія р-МОН ІС з кремнієвими затворами | p-channel Si-gate technology |
| технологія ТТЛ ІС | TTL technology |
| технологія формування на одній кремнієвій пластині ІС різних типів | shared silicon technology |
| технологія цифрових ІС | digital technology |
| технологія швидкодійних ІС | high-speed technology |
| технологія ІС | integration technology |
| технологія ІС | microcircuit technology |
| технологія VMOH ІС | V-groove technology |
| технологія ІС | integrated technique |
| технологія ІС власного виробництва | in-house process |
| технологія ІС з використанням легування золотом | gold-doped process |
| технологія ІС з використанням трьох фотошаблонів | tri-mask technique |
| технологія ІС з використанням трьох фотошаблонів | three-mask process |
| технологія ІС з високою густиною упакування | high-density technology |
| технологія ІС з елементами зменшених розмірів | fine-line technology |
| технологія ІС з елементами мікронних розмірів | micrometer-dimension process |
| технологія ІС з КВС-структурою | silicon-in-sapphire technology |
| технологія ІС з КНД-структурою | silicon-on-insulator technology |
| технологія ІС з КНС-структурою | silicon-on-sapphire technology |
| технологія ІС з КНС-структурою | sapphire dielectric isolation process |
| технологія ІС з повітряною ізоляцією | air-isolation process |
| технологія ІС з пропорційно зменшеними розмірами елементів | scaled process technology |
| технологія ІС з субмікронними елементами | submicron IC technology |
| технологія ІС з субнаносекундною швидкодією | subnanosecond technology |
| технологія ІС з ізоляцією р–n-переходами | junction-isolated process |
| технологія ІС на арсеніді галію | gallium arsenide technology |
| технологія ІС на базовому матричному кристалі типу нескомутованої логічної матриці | ULA technology |
| комбінована технологія ІС на біполярних і МОН-транзисторах | BIMOS technology |
| комбінована технологія ІС на біполярних і МОН-транзисторах | bi-MOS technology |
| комбінована технологія ІС на біполярних і польових транзисторах | bi-FET technology |
| технологія ІС на ЕЗЛ | ECL technology |
| технологія ІС на КВД-структурі | silicon-in-insulator technology |
| технологія KMOH ІС на напівпровідниковій підкладці | bulk CMOS process (без епітаксійного шару) |
| технологія ІС на основі базового кристала типу матриці логічних елементів | gate-array technology |
| технологія ІС на основі базового кристала типу матриці логічних елементів | cell array technology |
| технологія ІС на основі базового матричного кристала | master-slice technology |
| технологія ІС на основі базового матричного кристала | master slice process |
| технологія ІС операційних підсилювачів на польових транзисторах з діелектричною ізоляцією | DIFET process |
| технологія ІС на ТТЛ | TTL technology |
| технологія ІС на ТТЛ з діодами Шоткі | Schottky TTL technology |
| технологія ІС на цілій напівпровідниковій пластині | full-slice technology |
| технологія ІС на І2Л | MTL technology |
| технологія ІС із застосуванням однократної дифузії | single-diffused planar technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній в діелектрику" | silicon-in-insulator technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній в сапфірі" | silicon-in-sapphire technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній на діелектрику" | silicon-on-insulator technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | sapphire dielectric isolation process |
| тонкоплівковий резистор, сформований на кристалі напівпровідникової ІС | on-circuit thin-film |
| транзистор ІС | integrated circuit transistor |
| транзисторно-транзисторна логічна ІС з діодами Шоткі | Schottky part |
| транзисторно-транзисторна логічна ІС з діодами Шоткі | Schottky |
| тривимірна ІС | three-dimensional integrated circuit |
| тривимірна ІС | 3D integrated circuit |
| трьохдифузійна ІС | three-diffusion integrated |
| ТТЛ ІС з діодами Шоткі | Schottky TTL integrated circuit |
| ТТЛ ІС з діодами Шоткі | Schottky |
| ультравелика ІС | super chip |
| ультравелика ІС | super large-scale integration |
| ультравелика ІС | ultra chip |
| ультравелика ІС | ultra-large-scale integrated device |
| ультравелика ІС | ultralarge-scale integration |
| ультравелика ІС | hyper chip |
| ультравелика ІС | extra large-scale integration |
| ультрашвидкодіюча ІС | ultra high-speed integration |
| ультрашвидкодіюча ІС | UHSI circuit |
| установка термоциклювання ІС | "yo-yo" |
| устаткування для великосерійного виробництва ІС | major IC facilities |
| устаткування для збірки ІС на вивідних рамках | lead-frame assembly system |
| устаткування для збірки ІС на стрічковому носії | tape-carrier system equipment |
| устаткування для монтажу ІС в DIP-корпуси | DIP/IC insertion tool |
| устаткування для обробки напівпровідникових пластин в процесі виробництва ІС | IC processor |
| устаткування для потокової обробки напівпровідникових пластин в процесі виробництва ІС | in-line IC processor |
| формування малюнка на кристалі ІС | chip patterning |
| формування рельєфу на кристалі ІС | chip patterning |
| фотонна ІС | photonic integrated circuit |
| фотоприйомна ІС | photo-integrated circuit |
| функціональна ІС | functional integrated circuit |
| фільтр на логічній ІС з інжекційним живленням | integrated-injection logic filter |
| характеристики ІС | integrated-circuit performance |
| хвильовий метод моделювання ІС | waveform approach |
| цифрова ІС | digital unit |
| цифрова ІС | digital integrated circuit |
| шаблон для виготовлення ІС | IC mask |
| швидкодійні логічні ІС з дифузією золота | gold transistor logic |
| швидкодіюча ІС | high-speed integrated circuit |
| швидкодіюча ІС | fast chip |
| ізопланарна технологія ІС з елементами пропорційно зменшених розмірів | scaled Isoplanar |
| ізопланарна технологія ІС з елементами пропорційно зменшених розмірів | Isoplanar S |
| інтерфейсна ІС | interface unit |
| інтерфейсна ІС | interface device |
