| Russian | German |
| активный запоминающий элемент на МОП-приборах | aktiver MOS-Speicher |
| активный запоминающий элемент на МОП-приборах | aktives Speicherelement mit MOS-Feldeffekttransistoren |
| базовая бистабильная ячейка на МОП-структурах | MOS-Basis-Flipflop |
| Би-МОП ИС | MOSBi |
| Би-МОП ИС | BIMOS |
| Би-МОП ИС | BIMOS-IC |
| Би-МОП-схема | MOSBi |
| Би-МОП-схема | BIMOS-IC |
| Би-МОП-схема | BIMOS |
| Би-МОП-технология | BIMOS-Technik |
| Би-МОП-технология | MOSBi |
| Би-МОП-технология | BIMOS |
| БИС на V-МОП-транзисторах | VMOS-LSI-Schaltkreis |
| БИС на МОП-транзисторах с V-образными изолирующими канавками | VMOS-LSI-Schaltkreis |
| большая интегральная схема на МОП-структурах | gruppenintegrierter MOS-Schaltkreis |
| большая интегральная схема на МОП-структурах | MOS-LSI-Schaltkreis |
| большая интегральная схема на МОП-структурах | integrierter MOS-Großschaltkreis |
| большая интегральная схема на МОП-структурах | MOS-LSI |
| вертикальная V-МОП-структура | Vertikal-MOS |
| вертикальная МОП-структура | Vertical MOS |
| вертикальная МОП-структура | V-groove MOS |
| вертикальная МОП-структура | VMOS |
| вертикальный МОП-транзистор | VMOSFET |
| вертикальный МОП-транзистор | Vertikal-MOSFET (с V-образной изолирующей канавкой) |
| вертикальный МОП-транзистор | VMOST-Transistor |
| вертикальный МОП-транзистор | VMOS-Transistor |
| высоковольтная МОП ИС | integrierter Hochspannungs-MOS-Schaltkreis |
| высоковольтная МОП ИС | integrierte Hochspannungs-MOS-Schaltung |
| высоковольтная МОП ИС с КНС-структурой | Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| высоковольтная МОП ИС с КНС-структурой | Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| высококачественные МОП ИС | HMOS-Technik |
| высококачественные МОП ИС | HMOS |
| горизонтальный МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMOS-Transistor mit lateraler Kanalanordnung |
| двухдиффузионная вертикальная МОП-структура | vertikale planere DMOS-Struktur |
| двухдиффузионная вертикальная МОП-структура | vertikale planare DMOS-Struktur Vertical planar Double-Diffused MOS |
| двухдиффузионная вертикальная МОП-структура | Vertical planar Double-Diffused MOS |
| двухдиффузионная вертикальная МОП-структура | VDMOS |
| двухдиффузионная МОП-структура | Double-Diffused MOS |
| двухдиффузионная МОП-структура | D-MOS |
| двухдиффузионная МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | V-groove Double-Diffused MOS |
| двухдиффузионная МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-DMOS |
| двухдиффузионная МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | VDMOS |
| двухдиффузионная МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-DMOS-Struktur |
| двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | DSA-MOS-Technik |
| двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | Diffusion Self-Aligned MOS |
| двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | Double-Diffusion Self-Aligned MOS |
| двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | DSA MOS |
| двухдиффузионный вертикальный МОП-транзистор | Vertikal-DMOS-Transistor |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | doppeltdiffundierter |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | doppeltdiffundierter MOSFET |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | DMOS-Transistor |
| двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | Zweitransistor-FAMOS-Speicherelement |
| двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| динамическая МОП-схема | dynamischer MOS-Schaltkreis |
| динамическая МОП-схема | dynamische MOS-Schaltung |
| динамический элемент ЗУПВ на комбинированной структуре "МОП-транзистор полевой транзистор с p-n-переходом биполярный транзистор" | JCMOS |
| запоминающая ячейка на МОП-транзисторах | MOS-Speicherzelle |
| запоминающая ячейка на МОП-транзисторе с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Speicherzelle |
| ЗУ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-Speicher |
| ЗУ на МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Speicher |
| ЗУ на МОП-структурах | MOS-Speicher |
| инвертор на МОП-транзисторах | MOS-Inverter |
| инвертор на двух МОП-транзисторах с индуцированным каналом | EE-Inverter |
| инвертор на двух МОП-транзисторах с обогащением канала | EE-Inverter |
| инвертор на МОП-транзисторах с разными типами проводимости | komplementärer MOS-Inverter |
| ионизационно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | FIMOS |
| ионизационно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | Floating-gate Ionization-Injection MOS |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | MOSBi |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS-IC |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| ИС на двухдиффузионных МОП-транзисторах | DMOS-Schaltkreis |
| ИС на комплементарных МОП-структурах | CMOS-IS |
| ИС на комплементарных МОП-транзисторах | komplementärer MOS-Schaltkreis |
| ИС на МОП-структуре со скрытым каналом | Buried Channel MOS |
| ИС на n-МОП-транзисторах | NMOS-Schaltung |
| ИС на n-МОП-транзисторах | NMOS-Schaltkreis |
| ИС на МОП-транзисторах с нижним затвором | BMOS-Schaltung |
| ИС на МОП-транзисторах с обогащением и обеднением канала | ED-MOSFET |
| ИС на МОП-транзисторе со скрытым каналом | BCMOS |
| ИС на р-МОП-транзисторах | PMOS-Schaltung |
| ИС на р-МОП-транзисторах | PMOS-Schaltkreis |
| ИС на р-канальных МОП-транзисторах | MOS-p-Kanal-Netzwerk |
| ИС составного прибора, объединяющего триак с МОП-транзистором | TRIMOS-Schaltkreis |
| n-канальная интегральная МОП-схема | integrierter n-Kanal-MOS-Schaltkreis |
| p-канальная интегральная МОП-схема | integrierte p-Kanal-MOS-Schaltung |
| p-канальная интегральная МОП-схема | integrierter p-Kanal-MOS-Schaltkreis |
| n-канальная интегральная МОП-схема | integrierte n-Kanal-MOS-Schaltung |
| n-канальная МОП-структура | n-Kanal-MOS-Struktur |
| p-канальный МОП-прибор | p-Kanal-MOS-Bauelement |
| n-канальный МОП-прибор | n-Kanal-MOS-Bauelement |
| n-канальный МОП-транзистор | n-Kanal-MOS-Transistor |
| n-канальный МОП-транзистор | n-Kanal-MOSFET |
| n-канальный МОП-транзистор | NMOS-Transistor |
| n-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| n-канальный МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем, работающий в режиме обеднения | n-Deep-Depletion-Verarmungs-MOS-Transistor |
| n-канальный полевой МОП-транзистор | n-Kanal-MOSFET |
| p-канальный полевой МОП-транзистор | p-Kanal-MOSFET |
| p-канальный полевой МОП-транзистор | p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor |
| n-канальный полевой МОП-транзистор | n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с каналом p-типа в качестве активного элемента и с n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| комбинированная структура на ПЗС и МОП БИС на одном кристалле | Charge-Coupled DeviceMetal-Oxide-Semiconductor Array Integrated Circuit |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | Cache-Technik |
| комплементарная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire Complementary Metal-Oxide-Semiconductor |
| комплементарная МОП-структура | Complementary Symmetrical MOS |
| комплементарная МОП-структура | CMOS |
| комплементарная МОП-структура | COSMOS, COS/MOS |
| комплементарная МОП-структура | MOS-Struktur mit Komplementärstrukturen |
| комплементарная МОП-структура | COS/MOS |
| комплементарная МОП-структура | komplementäre MOS-Struktur |
| комплементарная МОП-структура | COSMOS |
| комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором | komplementärer MOS-Schaltkreis mit Si-Gate |
| комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором | komplementärer MOS-IC mit Si-Gate |
| комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором | komplementärer Si-Gate-MOS-Schaltkreis |
| комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором | komplementäre MOS-Schaltung mit Si-Gate |
| комплементарный МОП-прибор | komplementäres MOS-Bauelement |
| комплементарный МОП-прибор | MOS-Bauelement mit Komplementärstrukturen |
| комплементарный МОП-транзистор | komplementärer |
| комплементарный МОП-транзистор | komplementärer MOS-Transistor |
| комплементарный МОП-транзистор | CMOSFET |
| комплементарный МОП-транзистор | COSMOS-Feldeffekttransistor |
| комплементарный МОП-транзистор | komplementärer MOS-Feldeffekttransistor |
| комплементарный МОП-транзистор | komplementärer MOSFET |
| комплементарный МОП-транзистор | CMOS-Feldeffekttransistor |
| кремниевая МОП-транзисторная ИС | Silizium-MOS Schaltung |
| кремниевый МОП-транзистор | Silizium-MOSFET |
| кремниевый МОП-транзистор | Silizium-MOS-Transistor |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором | FAMOS-Struktur |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором | Lawineninjektions-MOS-Struktur mit isoliertem Gate |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором | Avalancheinjektions-MOS-Struktur mit isoliertem Gate |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | Stacked-Gate Avalanche Injection MOS |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | SAMOS-Struktur |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | SAMOS |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | FAMOS-Struktur |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | FAMOS |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | Floating gate Avalanche injection MOS |
| лавинно-инжекционные МОП-структуры с многоуровневым затвором | Stacked-gate Injection MOS |
| лавинно-инжекционные МОП-структуры с многоуровневым затвором | SIMOS |
| лавинно-инжекционные МОП-структуры с составным затвором | Stacked-gate Injection MOS |
| лавинно-инжекционные МОП-структуры с составным затвором | SIMOS |
| лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затвором | Lawineninjektions-MOS-Bauelement mit isoliertem Gate |
| лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затвором | Bauelement mit FAMOS-Struktur |
| лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затвором | Avalancheinjektions-MOS-Bauelement mit isoliertem Gate |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор | Lawineninjektions-MOS-Feldeffekttransistor |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор | Avalancheinjektions-MOS-Feldeffekttransistor |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с многоуровневым затвором | SIMOS-FET |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с многоуровневым затвором | SAMOS-FET |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | FAMOS-FET |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | Floating Avalanche Metal Oxide Silicon Transistor |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | FAMOST |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с составным затвором | SIMOS-FET |
| логика на комплементарных МОП-структурах | CMOS-Logik |
| логическая ИС на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-Logik-IS |
| логическая ИС на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-Logik-IC |
| логическая схема на МОП-транзисторах | logische MOS-Transistor-Schaltung |
| логическая схема на МОП-транзисторах | logischer MOS-Schaltkreis |
| логическая схема на МОП-транзисторах | logische MOS-Schaltung |
| логические МОП ИС с углублёнными нагрузочными транзисторами | Buried-Load Logic MOS |
| логические МОП ИС с углублёнными нагрузочными транзисторами | BL2MOS |
| логический вентиль на МОП-транзисторах | MOS-Gatter |
| логический вентиль на МОП-транзисторах | MOS-Gate |
| логический элемент на МОП-транзисторах | MOS-Gatter |
| логический элемент на МОП-транзисторах | MOS-Gate |
| многослойная МОП-схема | Mehrschicht-MOS-Schaltung |
| многослойная МОП-схема | Mehrschicht-MOS-Schaltkreis |
| МОП БИС | gruppenintegrierter MOS-Schaltkreis |
| МОП БИС | integrierte MOS-Großschaltung |
| МОП БИС | gruppenintegrierte MOS-Schaltung |
| МОП БИС | integrierter MOS-Großschaltkreis |
| МОП БИС | MOS-LSI |
| МОП-вентиль | MOS-Gatter |
| МОП-вентиль | MOS-Gate |
| МОП ЗУ | Speicher in MOS-Technik |
| МОП ЗУ | Speicher mit MOS-Strukturen |
| МОП ЗУ | MOS-Speicher |
| МОП ЗУ с электронно-лучевой адресацией | Beam-Adressed MOS |
| МОП ЗУ с электронно-лучевой адресацией | BEAMOS |
| МОП ЗУПВ | MOS-Speicher mit wahlfreiem Zugriff |
| МОП ЗУПВ | MOS-RAM-Speicher |
| МОП ЗУПВ ёмкостью 4К | 4-Kbit-MOS-RAM |
| МОП ИС | MOS-IC |
| МОП ИС | MOS-Schaltkreis |
| МОП ИС | MOS-Schaltung |
| МОП ИС | integrierter MOS-Schaltkreis |
| МОП ИС | integrierte MOS-Schaltung |
| МОП ИС | integrierte Schaltung in MOS-Technik |
| МОП ИС | integrierte Schaltung mit MOS-Strukturen |
| МОП ИС | MOS-IG-Schaltkreis |
| МОП ИС | MOS-IS |
| МОП ИС | MOS-Baustein |
| МОП ИС | MOS-Bauelement |
| МОП ИС на сапфире | integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat |
| МОП ИС на сапфире | integrierte MOS-Schaltung in SOS-Technik |
| МОП ИС на сапфире | integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat |
| МОП ИС на сапфировой подложке | integrierte MOS-Schaltung in SOS-Technik |
| МОП ИС на сапфировой подложке | integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat |
| МОП ИС на сапфировой подложке | integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat |
| МОП ИС на сапфировой подложке с комплементарными структурами | integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat mit Komplementärstrukturen |
| МОП ИС на сапфировой подложке с комплементарными структурами | integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat mit Komplementärstrukturen |
| МОП ИС с двухуровневым поликремниевым затвором | Doppel-Poly-Si-Gate-Schaltkreis |
| МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | Gate-Injection MOS |
| МОП ИС с комплементарными структурами | integrierter MOS-Schaltkreis mit Komplementärstrukturen |
| МОП ИС с комплементарными структурами | integrierte MOS-Schaltung mit Komplementärstrukturen |
| МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | MOS-SGT-Schaltkreis |
| МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | HDMOS |
| МОП ИС, усиленные биполярными элементами | BeMOS |
| МОП-компонент | MOS-Baustein |
| МОП-компонент | MOS-Bauelement |
| МОП-конденсатор | MOS-Kondensator |
| МОП-конденсатор | MOS-Kapazität |
| МОП-конденсатор с двумя дискретными значениями ёмкости | Binary Capacitor |
| МОП-конденсатор с двумя дискретными значениями ёмкости | BICAP |
| МОП-кристалл | MOS-Element |
| МОП-кристалл | MOS-Kristall |
| МОП-кристалл | MOS-Chip |
| МОП-логика | MOS-Logik |
| МОП-матрица | Matrix mit MOS-Strukturen |
| МОП-матрица | MOS-Matrix |
| МОП-микроматрица | MOS-Schaltung in Micromatrix-Technik |
| МОП-микроматрица | MOS-Schaltkreis in Micromatrix-Technik |
| МОП-память | MOS-Speicher |
| МОП-память большой ёмкости | MOS-Speicher mit großer Speicherkapazität |
| МОП-память большой ёмкости | MOS-Großraumspeicher |
| МОП-переключатель | MOS-Schalter |
| МОП-переключатель | MOS-Schaltbauelement |
| МОП-прибор | MOS-Bauelement |
| n-МОП-прибор | NMOS-Bauelement |
| n-МОП-прибор | n-MOS-Bauelement |
| МОП-прибор | Bauelement mit MOS-Strukturen |
| n-МОП-прибор | n-MOS-Bauelement NMOS-Bauelement |
| МОП-прибор в режиме обеднения | MOS-Bauelement in Entblößungsmode |
| МОП-прибор в режиме обеднения | MOS-Bauelement in Verarmungsmode |
| МОП-прибор в режиме обогащения | MOS-Bauelement in Verstärkungsmode |
| МОП-прибор в режиме обогащения | MOS-Bauelement in Anreicherungsmode |
| МОП-прибор на GaAs | GaAs-MOS-Bauelement |
| МОП-прибор на арсениде галлия | GaAs-MOS-Bauelement |
| МОП-прибор с алюминиевым затвором | MOS-Bauelement mit Al-Steuerelektrode |
| МОП-прибор с алюминиевым затвором | MOS-Bauelement mit Al-Gate |
| МОП-прибор с алюминиевым затвором | Al-Gate-MOS-Bauelement |
| МОП-прибор с кремниевым затвором | MOS-Bauelement mit Si-Steuerelektrode |
| МОП-прибор с кремниевым затвором | Si-Gate-MOS-Bauelement |
| МОП-прибор с кремниевым затвором | MOS-Bauelement mit Si-Gate |
| МОП-процессор | MOS-Mikroprozessor |
| МОП-регистр | MOS-Schieberregister |
| МОП-резистор | MOS-Widerstand |
| МОП-структура | MOS-Struktur |
| МОП-структура | Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur |
| n-МОП-структура | n-Kanal-MOS-Struktur |
| V-МОП-структура | V-groove MOS |
| МОП-структура | Metall-SiO2-Silizium-Struktur |
| V-МОП-структура | Vertical MOS |
| n-МОП-структура | n-MOS-Struktur |
| МОП-структура | Metall-Oxid-Silizium-Struktur |
| V-МОП-структура | VMOS |
| МОП-структура на сапфире | MOS-SOS-Struktur |
| МОП-структура на сапфировой подложке | MOS-Struktur in SOS-Technik |
| МОП-структура на сапфировой подложке | MOS-Struktur auf Saphirsubstrat |
| МОП-структура, полученная методом двойного ионного легирования | Double-Implanted MOS |
| МОП-структура, полученная методом двойного ионного легирования | DIMOS |
| МОП-структура, полученная методом ионной имплантации | Ion-Implanted MOS |
| МОП-структура, полученная методом ионной имплантации | IIMOS |
| МОП-структура с горизонтальной изолирующей V-канавкой | Lateral VMOS |
| МОП-структура с горизонтальными изолирующими V-канавками | LVMOS |
| МОП-структура с двойной диффузией | doppeldiffundierte MOS-Struktur |
| МОП-структура с двойной диффузией | doppeltdiffundierte MOS-Struktur |
| МОП-структура с двойной диффузией | D/MOS-Struktur |
| МОП-структура с двойным поликремниевым затвором | Doppel-Poly-Si-Gate-MOS-Struktur |
| МОП-структура с диффундированной платиной | platindiffundierte MOS-Struktur |
| МОП-структура с диффундированной платиной | Platinum-Diffused MOS |
| МОП-структура с диффундированной платиной | PLATMOS |
| МОП-структура с зарядовой связью | ladungsgekoppelte MOS-Struktur |
| МОП-структура с изолированным затвором | MOS-Struktur mit isoliertem Gate |
| МОП-структура с изолированным затвором | MOS-Struktur mit isolierter Steuerelektrode |
| МОП-структура с изолированным затвором | IGMOS |
| МОП-структура с изолированным металлическим затвором | Metall-Isolator-Oxid-Halbleiter Metal-Insulator-Oxide-Semiconductor |
| МОП-структура с изолированным металлическим затвором | Metall-Isolator-Oxid-Halbleiter |
| МОП-структура с изолированным металлическим затвором | Metal-Insulator-Oxide-Semiconductor |
| МОП-структура с изолированным металлическим затвором | MIOS-Struktur |
| МОП-структура с инжекционным плавающим затвором | Gate-Injection MOS |
| МОП-структура с инжекционным плавающим затвором | GIMOS |
| МОП-структура с инжекционным плавающим затвором | Injektionsgate-MOS-Struktur |
| МОП-структура с каналом n-типа | n-Kanal-MOS-Struktur |
| МОП-структура с кремниевым затвором | MOS-Struktur mit Si-Steuerelektrode |
| МОП-структура с кремниевым затвором | MOS-Struktur mit Si-Gate |
| МОП-структура с кремниевым затвором | Silicon Gate Oxide Semiconductor |
| МОП-структура с кремниевым затвором | SGOS |
| МОП-структура с многоуровневыми затворами | Sampling Funktion |
| МОП-структура с нижним затвором | Backgate-MOS-Struktur |
| МОП-структура с нижним затвором | BMOS-Struktur |
| МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | V-groove MOS |
| МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | Vertical MOS |
| МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | VMOS |
| МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-MOS-Struktur |
| МОП-структура с U-образной изолирующей канавкой | MOS-Struktur mit U-förmigen Gräben |
| МОП-структура с U-образной изолирующей канавкой | U-groove MOS |
| МОП-структура с U-образной изолирующей канавкой | UMOS |
| МОП-структура с регулируемым пороговым напряжением | MOS-Struktur mit einstellbarem Transistorschwellwert |
| МОП-структура с регулируемым пороговым напряжением | Adjustable Threshold MOS |
| МОП-структура с регулируемым пороговым напряжением | ATMOS |
| МОП-структура с регулируемым порогом | ATMOS |
| МОП-структура с самосовмещёнными затворами | Self-Aligned Gate MOS |
| МОП-структура с самосовмещёнными затворами | SAMOS |
| МОП-структура с самосовмещёнными затворами | SAMOS-Struktur |
| МОП-структура с самосовмещёнными затворами | SAGMOS |
| планарная МОП-структура с укороченным каналом | KMOS-Struktur |
| МОП-структура с четырёхкратным самосовмещением | QSAMOS |
| МОП-структура со скрытым каналом | Buried Channel MOS |
| МОП-структура типа "кремний на сапфире" | MOS-SOS-Struktur |
| n-МОП-схема | NMOS-Schaltkreis |
| n-МОП-схема | NMOS-Schaltung |
| МОП-схема | Schaltkreis mit MOS-Strukturen |
| МОП-схема | MOS-Schaltung |
| МОП-схема | MOS-Schaltkreis |
| МОП-схема с кремниевым затвором | Si-Gate-MOS-Schaltkreis |
| МОП-схема с кремниевым затвором | MOS-Schaltkreis mit Si-Gate |
| МОП-схема с кремниевым затвором | MOS-IG mit Si-Gate |
| МОП-схема с уменьшенной площадью кристалла и элементами пропорционально уменьшенных размеров | skalierter MOS-Schaltkreis |
| МОП-схемы с удвоенной плотностью упаковки | High-performance Double-density MOS |
| n-МОП-технология | n-MOS-Technik NMOS-Technik |
| V-МОП-технология | V-groove MOS |
| V-МОП-технология | VMOS-Technik |
| V-МОП-технология | VMOS-Technologie |
| V-МОП-технология | VMOS |
| V-МОП-технология | Vertical MOS |
| V-МОП-технология | V-Graben-MOS-Technologie |
| МОП-технология с двойной диффузией | MOS-Technologie mit Doppeldiffusion |
| МОП-технология с двойной диффузией | D/MOS-Technologie |
| МОП-транзистор | Metall-Oxid-Feldeffekttransistor |
| МОП-транзистор | Metall-Oxid-Silizium-FET |
| U-МОП-транзистор | U-Gruben-MOS Transistor |
| V-МОП-транзистор | VMOS-Transistor |
| V-МОП-транзистор | VMOSFET |
| МОП-транзистор | integrierter MOS-Transistor |
| МОП-транзистор | Metal Oxide Silicon Field-Effect Transistor |
| V-МОП-транзистор | VMOST-Transistor |
| n-МОП-транзистор | NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор | MOSFET |
| МОП-транзистор в режиме обеднения с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии с самосовмещением | DSAMOST |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии с самосовмещением | DSA-MOSFET |
| МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования | Double-Implanted MOS |
| МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования | DIMOS |
| МОП-транзистор логического уровня | Logik-Level-MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме глубокого обеднения | Deep-Depletion-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | MOS-Transistor vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | MOSFET vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор во встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-MOSFET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | AMOSFET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | Anodized Metal-Oxide-Semiconductor FET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | AMOS-Feldeffekttransistor |
| МОП-транзистор с вертикальной структурой | Vertikal-MOSFET |
| МОП-транзистор с вертикальным каналом | Vertikal-MOSFET |
| МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем | Deep-Depletion-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения | Depletion Load Transistor |
| V-МОП-транзистор с горизонтальной структурой | VMOS-Transistor mit lateraler Kanalanordnung |
| V-МОП-транзистор с горизонтальным каналом | VMOS-Transistor mit lateraler Kanalanordnung |
| МОП-транзистор с изолированным затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode |
| МОП-транзистор с изолированным затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate |
| МОП-транзистор с изолированным затвором | IGFET |
| МОП-транзистор с изолирующим оксидом, стабилизированным слоем фосфоросиликатного стекла | MPOS |
| МОП-транзистор с изолирующим оксидом, стабилизированным слоем фосфоросиликатного стекла | Metal Phosphorsilicate Glass Oxide Semiconductor |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstsperrender |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstsperrender FET |
| p-МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstperrender pMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с инжекционным плавающим затвором | Gate-Injektions-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | pMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmung-MOS-FET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Anreicherungs-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с молибденовым затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit Molybdän-Steuerelektrode |
| МОП-транзистор с молибденовым затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit Molybdän-Gate |
| МОП-транзистор с нижним затвором | Back-gate-FET |
| МОП-транзистор с нижним затвором | BMOS-FET |
| МОП-транзистор с нижним затвором | BMOS-Feldeffekttransistor |
| МОП-транзистор с низким пороговым напряжением | Low-threshold-MOSFET |
| МОП-транзистор с обеднением канала | MOS-Transistor vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор с обеднением канала | MOSFET vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор с обеднением канала | Verarmungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с обеднением канала | Depletion-MOSFET |
| МОП-транзистор с обогащением канала | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор с обогащением канала | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор с обогащением канала | selbstsperrender FET |
| МОП-транзистор с обогащением канала | selbstsperrender |
| МОП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-MOSFET |
| МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-Transistor |
| МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMOSFET |
| МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMOST-Transistor |
| МОП-транзистор с U-образной изолирующей канавкой | U-Gruben-MOS Transistor |
| МОП-транзистор с плавающим затвором | Floating-Gate-Transistor |
| МОП-транзистор с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | FLOTOX-Transistor |
| МОП-транзистор с поликремниевым затвором | Siliziumtortransistor |
| МОП-транзистор с поликремниевым затвором | Silicon Gate Transistor |
| МОП-транзистор с поликремниевым затвором | Silicongatetransistor |
| МОП-транзистор с поликремниевым затвором | SGT |
| МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением | ATMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением | ATMOS-FET |
| МОП-транзистор с регулируемым порогом | Adjustable Threshold MOS |
| МОП-транзистор с регулируемым порогом | ATMOS |
| МОП-транзистор с самосовмещённым затвором, полученный методом двойной диффузии | MOSFET mit Diffusionsselbsteinstellung |
| МОП-транзистор с вертикальной щелевой структурой | T-MOS-Transistor (для формирования ячеек динамических ЗУПВ) |
| n-МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender |
| МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender FET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletionlasttransistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletion Load Transistor |
| МОП-транзисторная ИС | MOS-Schaltkreis |
| МОП-транзисторная ИС | MOS-Schaltung |
| n-МОП-транзисторная ИС | NMOS-Schaltkreis |
| n-МОП-транзисторная ИС | NMOS-Schaltung |
| МОП-транзисторная ИС | integrierter MOS-Schaltkreis |
| МОП-транзисторная ИС | MOS-IS |
| МОП-транзисторная ИС | MOS-IC |
| n-МОП-транзисторная ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | nMOS-SGT-Schaltkreis |
| МОП транзисторная ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | nMOS-SGT-Schaltkreis |
| МОП-транзисторная логика | MOS-Logik |
| МОП-транзисторный ключ | MOSFET-Schalter |
| МОП-транзисторный ключ | MOSFET-Schaltstufe |
| МОП-транзисторный ключ | MOS-Schalter |
| МОП-элемент | MOS-Element |
| мощный МОП-транзистор | Power-MOSFET |
| мощный МОП-транзистор | Leistungs-MOSFET |
| мощный МОП-транзистор | Hochleistungs-MOSFET |
| мощный МОП-транзисторный ключ | MOS-Leistungsschalter |
| нагрузочный МОП-транзистор | IMOS-FET-Widerstand |
| нормально-закрытый МОП-транзистор | selbstsperrender Typ |
| нормально-закрытый МОП-транзистор | selbstsperrender |
| нормально-закрытый МОП-транзистор | selbstsperrender MOSFET |
| нормально-закрытый p-МОП-транзистор | selbstperrender pMOS-Transistor |
| нормально-закрытый р-МОП-транзистор | selbstperrender pMOS-Transistor |
| нормально-открытый МОП-транзистор | selbstleitender |
| нормально-открытый n-МОП-транзистор | selbstleitender NMOS-Transistor |
| нормально-открытый МОП-транзистор | selbstleitender Typ |
| нормально-открытый МОП-транзистор | selbstleitender MOSFET |
| однотипные МОП ИС | Einkanal-MOS-Schaltkreise (с каналом или n-типа, или р-типа) |
| однотипные МОП ИС | Einkanal-MOS (с каналом или n-типа, или р-типа) |
| однотранзисторная запоминающая ячейка ППЗУ на лавинно-инжекционном МОП-транзисторе с многоуровневым затвором | SIMOS-1-Transistor-Speicherelement |
| однотранзисторная запоминающая ячейка ППЗУ на лавинно-инжекционном МОП-транзисторе с составным затвором | SIMOS-1-Transistor-Speicherelement |
| планарный МОП-транзистор | Planar-MOSFET |
| планарный МОП-транзистор с каналом типа | NMOS-Planartransistor |
| планарный МОП-транзистор с каналом n типа | NMOS-Planartransistor |
| полевой МОП-транзистор | MOSFET |
| полевой МОП-транзистор | MOS-Feldeffekttransistor |
| полевой МОП-транзистор с двойным затвором | MOS-Doppelgatefeldeffekttransistor |
| полевой МОП-транзистор с двойным затвором | Doppelgate-MOSFET |
| полевой МОП-транзистор с индуцированным каналом | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| полевой МОП-транзистор с индуцированным каналом | MOS-Feldeffekttransistor vom Anreicherungstyp |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOSFET vom Verarmungstyp |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOS-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOS-Feldeffekttransistor vom Entblößungstyp |
| прибор на n-МОП-структуре | n-MOS-Bauelement |
| прибор на n-МОП-структуре | NMOS-Bauelement |
| прибор на n-МОП-структуре | n-MOS-Bauelement NMOS-Bauelement |
| р-МОП-инвертор | p-MO-Inverter |
| р-МОП-схема | PMOS-Schaltung |
| р-МОП-схема | PMOS-Schaltkreis |
| р-МОП-технология | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| р-МОП-транзистор | p-Kanal-MOSFET |
| р-МОП-транзистор | pMOS-Transistor |
| р-МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstperrender pMOS-Transistor |
| р-МОП-транзисторная ИС | PMOS-Schaltung |
| р-МОП-транзисторная ИС | PMOS-Schaltkreis |
| р-канальный МОП-транзистор | p-Kanal-MOS-Transistor |
| р-канальный МОП-транзистор | p-Kanal-MOSFET |
| р-канальный МОП-транзистор | PIGFET |
| р-канальный МОП-транзистор | pMOS-Transistor |
| р-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором | p-Kanal-Si-Gate-FET |
| система разработки МОП ИС | MOS Implementation System |
| составной прибор, объединяющий триак с МОП-транзистором | TRIMOS |
| специализированная МОП ИС | MOS-ASIC |
| способ формирования МОП-структур с многократным совмещением | MSA-Technik |
| схема на МОП-микроматрице | MOS-Schaltkreis in Micromatrix-Technik |
| схема на р-канальных МОП-транзисторах | MOS-p-Kanal-Netzwerk |
| усовершенствованная МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | Metal Oxide Silicon Advanced IC |
| усовершенствованная МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | MOSAIC-Schaltung |
| усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | Advanced Polysilicon Self-Aligned |
| усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | APSA |
| формирователь видеосигналов на МОП-структуре | MOS-Bildsensor |
| формирователь видеосигналов на ПЗС с МОП-структурой | CCD-MOS-Bildsensor |
| элемент И НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NAND-Gatter |
| элемент ИЛИ НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NOR-Gatter |
| запоминающая ячейка двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| ячейка на МОП-структурах | MOS-Zelle |
