| Subject | Russian | German |
| microel. | активный запоминающий элемент на МОП-приборах | aktiver MOS-Speicher |
| microel. | активный запоминающий элемент на МОП-приборах | aktives Speicherelement mit MOS-Feldeffekttransistoren |
| microel. | базовая бистабильная ячейка на МОП-структурах | MOS-Basis-Flipflop |
| microel. | Би-МОП ИС | BIMOS |
| microel. | Би-МОП ИС | MOSBi |
| microel. | Би-МОП ИС | BIMOS-IC |
| microel. | Би-МОП-схема | MOSBi |
| microel. | Би-МОП-схема | BIMOS-IC |
| microel. | Би-МОП-схема | BIMOS |
| microel. | Би-МОП-технология | MOSBi |
| microel. | Би-МОП-технология | BIMOS-Technik |
| microel. | Би-МОП-технология | BIMOS |
| comp. | биполярный МОП-транзистор с изолированным затвором | Bipolar-IGFET (Kombination MOS-Eingangs- und Bipolar-Ausgangstransistor) |
| microel. | БИС на V-МОП-транзисторах | VMOS-LSI-Schaltkreis |
| microel. | БИС на МОП-транзисторах с V-образными изолирующими канавками | VMOS-LSI-Schaltkreis |
| microel. | большая интегральная схема на МОП-структурах | MOS-LSI-Schaltkreis |
| microel. | большая интегральная схема на МОП-структурах | integrierter MOS-Großschaltkreis |
| microel. | большая интегральная схема на МОП-структурах | gruppenintegrierter MOS-Schaltkreis |
| microel. | большая интегральная схема на МОП-структурах | MOS-LSI |
| microel. | высоковольтная МОП ИС | integrierter Hochspannungs-MOS-Schaltkreis |
| microel. | высоковольтная МОП ИС | integrierte Hochspannungs-MOS-Schaltung |
| microel. | высоковольтная МОП ИС с КНС-структурой | Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| microel. | высоковольтная МОП ИС с КНС-структурой | Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| microel. | высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire/High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| microel. | высоковольтная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-SapphireHigh-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor |
| microel. | высококачественные МОП ИС | HMOS-Technik |
| microel. | высококачественные МОП ИС | HMOS |
| microel. | двухдиффузионная вертикальная МОП-структура | vertikale planare DMOS-Struktur Vertical planar Double-Diffused MOS |
| microel. | двухдиффузионная вертикальная МОП-структура | vertikale planere DMOS-Struktur |
| microel., BrE | двухдиффузионная вертикальная МОП-структура | Vertical planar Double-Diffused MOS |
| microel. | двухдиффузионная вертикальная МОП-структура | VDMOS |
| microel. | двухдиффузионная МОП-структура | Double-Diffused MOS |
| microel. | двухдиффузионная МОП-структура | D-MOS |
| microel. | двухдиффузионная МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | VDMOS |
| microel., BrE | двухдиффузионная МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | V-groove Double-Diffused MOS |
| microel. | двухдиффузионная МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-DMOS |
| microel. | двухдиффузионная МОП-структура с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-DMOS-Struktur |
| microel. | двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | DSA-MOS-Technik |
| microel. | двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | Diffusion Self-Aligned MOS |
| microel. | двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | Double-Diffusion Self-Aligned MOS |
| microel. | двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | DSA MOS |
| microel. | двухдиффузионный вертикальный МОП-транзистор | Vertikal-DMOS-Transistor |
| microel. | двухдиффузионный МОП-транзистор | doppeltdiffundierter |
| microel. | двухдиффузионный МОП-транзистор | doppeltdiffundierter MOSFET |
| microel. | двухдиффузионный МОП-транзистор | DMOS-Transistor |
| microel. | двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| microel. | двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | Zweitransistor-FAMOS-Speicherelement |
| microel. | двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| microel. | динамическая МОП-схема | dynamischer MOS-Schaltkreis |
| microel. | динамическая МОП-схема | dynamische MOS-Schaltung |
| comp. | динамическая МОП-схема | MOS-Schaltung in dynamischer Technik |
| microel. | динамический элемент ЗУПВ на комбинированной структуре "МОП-транзистор полевой транзистор с p-n-переходом биполярный транзистор" | JCMOS |
| microel. | инвертор на МОП-транзисторах | MOS-Inverter |
| microel. | инвертор на двух МОП-транзисторах с индуцированным каналом | EE-Inverter |
| microel. | инвертор на двух МОП-транзисторах с обогащением канала | EE-Inverter |
| microel. | инвертор на МОП-транзисторах с разными типами проводимости | komplementärer MOS-Inverter |
| comp. | инжекционные МОП-приборы с составными затворами | MOS-Speicherelektrodentechnik mit Stabelgate (für RePROM, EAROM) |
| comp. | инжекционные МОП-приборы с составными затворами | SIMOS |
| microel. | ионизационно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | FIMOS |
| microel. | ионизационно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | Floating-gate Ionization-Injection MOS |
| microel. | ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS-IC |
| microel. | ИС на биполярных и МОП-транзисторах | MOSBi |
| microel. | ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| microel. | ИС на двухдиффузионных МОП-транзисторах | DMOS-Schaltkreis |
| microel. | ИС на комплементарных МОП-структурах | CMOS-IS |
| microel. | ИС на комплементарных МОП-транзисторах | komplementärer MOS-Schaltkreis |
| microel. | ИС на МОП-структуре со скрытым каналом | Buried Channel MOS |
| microel. | ИС на n-МОП-транзисторах | NMOS-Schaltung |
| microel. | ИС на n-МОП-транзисторах | NMOS-Schaltkreis |
| microel. | ИС на МОП-транзисторах с нижним затвором | BMOS-Schaltung |
| microel. | ИС на МОП-транзисторах с обогащением и обеднением канала | ED-MOSFET |
| microel. | ИС на МОП-транзисторе со скрытым каналом | BCMOS |
| microel. | ИС на р-МОП-транзисторах | PMOS-Schaltung |
| microel. | ИС на р-МОП-транзисторах | PMOS-Schaltkreis |
| microel. | ИС на р-канальных МОП-транзисторах | MOS-p-Kanal-Netzwerk |
| microel. | ИС составного прибора, объединяющего триак с МОП-транзистором | TRIMOS-Schaltkreis |
| microel. | n-канальная интегральная МОП-схема | integrierter n-Kanal-MOS-Schaltkreis |
| microel. | p-канальная интегральная МОП-схема | integrierte p-Kanal-MOS-Schaltung |
| microel. | p-канальная интегральная МОП-схема | integrierter p-Kanal-MOS-Schaltkreis |
| microel. | n-канальная интегральная МОП-схема | integrierte n-Kanal-MOS-Schaltung |
| microel. | n-канальная МОП-структура | n-Kanal-MOS-Struktur |
| comp. | p-канальная МОП-схема | p-Kanal-MOS-Schaltkreis |
| comp. | p-канальная МОП-схема | pMOS-Schaltkreis |
| comp. | n-канальная МОП-схема | nMOS-Schaltkreis |
| comp. | n-канальная МОП-схема | n-Kanal-MOS-Schaltkreis |
| comp. | n-канальная МОП-технология | n-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | p-канальная МОП-технология | p-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie |
| comp. | p-канальная МОП-технология | pMOS |
| comp. | p-канальная МОП-технология | p-Kanal-MOS |
| comp. | p-канальная МОП-технология | pMOS-Technologie |
| comp. | p-канальная МОП-технология | p-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | n-канальная МОП-технология | nMOS |
| comp. | n-канальная МОП-технология | n-Kanal-MOS |
| comp. | n-канальная МОП-технология | nMOS-Technologie |
| comp. | n-канальная МОП-технология | n-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie |
| comp. | p-канальные МОП-схемы с алюминиевыми затворами | p-AlG-MOS |
| comp. | p-канальные МОП-схемы с алюминиевыми затворами | p-Kanal-Aluminiumgate-MOS-Technologie |
| comp. | p-канальные МОП-схемы с кремниевыми затворами | p-SG-MOS |
| comp. | p-канальные МОП-схемы с кремниевыми затворами | p-SGT |
| comp. | p-канальные МОП-схемы с кремниевыми затворами | p-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie |
| microel. | p-канальный МОП-прибор | p-Kanal-MOS-Bauelement |
| microel. | n-канальный МОП-прибор | n-Kanal-MOS-Bauelement |
| microel. | n-канальный МОП-транзистор | n-Kanal-MOS-Transistor |
| microel. | n-канальный МОП-транзистор | n-Kanal-MOSFET |
| microel. | n-канальный МОП-транзистор | NMOS-Transistor |
| microel. | n-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| microel. | n-канальный МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем, работающий в режиме обеднения | n-Deep-Depletion-Verarmungs-MOS-Transistor |
| microel. | p-канальный полевой МОП-транзистор | p-Kanal-MOSFET |
| microel. | p-канальный полевой МОП-транзистор | p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor |
| microel. | n-канальный полевой МОП-транзистор | n-Kanal-MOSFET |
| microel. | n-канальный полевой МОП-транзистор | n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor |
| microel. | КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| microel. | комбинированная структура на ПЗС и МОП БИС на одном кристалле | Charge-Coupled DeviceMetal-Oxide-Semiconductor Array Integrated Circuit |
| microel. | комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | Cache-Technik |
| microel. | комплементарная МОП ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silicon-on-Sapphire Complementary Metal-Oxide-Semiconductor |
| microel. | комплементарная МОП-структура | CMOS |
| brit. | комплементарная МОП-структура | Complementary MOS |
| microel. | комплементарная МОП-структура | MOS-Struktur mit Komplementärstrukturen |
| microel. | комплементарная МОП-структура | komplementäre MOS-Struktur |
| microel. | комплементарная МОП-структура | Complementary Symmetrical MOS |
| microel. | комплементарная МОП-структура | COSMOS, COS/MOS |
| microel., BrE | комплементарная МОП-структура | COS/MOS |
| microel., BrE | комплементарная МОП-структура | COSMOS |
| microel. | комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором | komplementärer Si-Gate-MOS-Schaltkreis |
| microel. | комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором | komplementärer MOS-Schaltkreis mit Si-Gate |
| microel. | комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором | komplementärer MOS-IC mit Si-Gate |
| microel. | комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором | komplementäre MOS-Schaltung mit Si-Gate |
| comp. | комплементарная МОП-технология | Komplementär-MOS-Technik |
| comp. | комплементарная МОП-технология | CMOS CMOS-Technik |
| comp. | комплементарные МОП-схемы на сапфировой подложке | CMOS-auf-Saphir-Technik (Technologie zur Realisierung von CMOS-Schaltungen auf Saphirsubstrat) |
| comp. | комплементарные МОП-схемы на сапфировой подложке | CMOS-SOS |
| microel. | комплементарный МОП-прибор | komplementäres MOS-Bauelement |
| microel. | комплементарный МОП-прибор | MOS-Bauelement mit Komplementärstrukturen |
| microel. | комплементарный МОП-транзистор | CMOSFET |
| microel. | комплементарный МОП-транзистор | COSMOS-Feldeffekttransistor |
| microel. | комплементарный МОП-транзистор | komplementärer MOS-Feldeffekttransistor |
| microel. | комплементарный МОП-транзистор | komplementärer |
| microel. | комплементарный МОП-транзистор | komplementärer MOS-Transistor |
| microel. | комплементарный МОП-транзистор | komplementärer MOSFET |
| microel. | комплементарный МОП-транзистор | CMOS-Feldeffekttransistor |
| microel. | кремниевая МОП-транзисторная ИС | Silizium-MOS Schaltung |
| microel. | кремниевый МОП-транзистор | Silizium-MOSFET |
| microel. | кремниевый МОП-транзистор | Silizium-MOS-Transistor |
| microel. | лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором | Lawineninjektions-MOS-Struktur mit isoliertem Gate |
| microel. | лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором | FAMOS-Struktur |
| microel. | лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором | Avalancheinjektions-MOS-Struktur mit isoliertem Gate |
| microel. | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | SAMOS-Struktur |
| microel. | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | Stacked-Gate Avalanche Injection MOS |
| microel. | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | SAMOS |
| microel. | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | FAMOS |
| microel. | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | FAMOS-Struktur |
| microel. | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором | Floating gate Avalanche injection MOS |
| microel. | лавинно-инжекционные МОП-структуры с многоуровневым затвором | Stacked-gate Injection MOS |
| microel. | лавинно-инжекционные МОП-структуры с многоуровневым затвором | SIMOS |
| microel. | лавинно-инжекционные МОП-структуры с составным затвором | Stacked-gate Injection MOS |
| microel. | лавинно-инжекционные МОП-структуры с составным затвором | SIMOS |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затвором | Bauelement mit FAMOS-Struktur |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затвором | Lawineninjektions-MOS-Bauelement mit isoliertem Gate |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затвором | Avalancheinjektions-MOS-Bauelement mit isoliertem Gate |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-транзистор | Lawineninjektions-MOS-Feldeffekttransistor |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-транзистор | Avalancheinjektions-MOS-Feldeffekttransistor |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с многоуровневым затвором | SIMOS-FET |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с многоуровневым затвором | SAMOS-FET |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | Floating Avalanche Metal Oxide Silicon Transistor |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | FAMOS-FET |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | FAMOST |
| microel. | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с составным затвором | SIMOS-FET |
| comp. | лавино-инжекционные МОП-приборы с составными затворами | MOS-Speicherelektrodentechnik mit Stapelgate (für FROM, EAROM, RePROM) |
| comp. | лавино-инжекционные МОП-приборы с составными затворами | SAMOS |
| microel. | логика на комплементарных МОП-структурах | CMOS-Logik |
| comp. | логические схемы на МОП-транзисторах с диодами Шоттки | Schottky-Dioden-Feldeffekttransistortechnik (GaAs-Schaltungstechnik) |
| comp. | логические схемы на МОП-транзисторах с диодами Шоттки | SDFL |
| microel. | многослойная МОП-схема | Mehrschicht-MOS-Schaltung |
| microel. | многослойная МОП-схема | Mehrschicht-MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП БИС | integrierter MOS-Großschaltkreis |
| microel. | МОП БИС | integrierte MOS-Großschaltung |
| microel. | МОП БИС | gruppenintegrierte MOS-Schaltung |
| microel. | МОП БИС | gruppenintegrierter MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП БИС | MOS-LSI |
| microel. | МОП-вентиль | MOS-Gatter |
| microel. | МОП-вентиль | MOS-Gate |
| microel. | МОП ЗУ | Speicher mit MOS-Strukturen |
| microel. | МОП ЗУ | MOS-Speicher |
| microel. | МОП ЗУ | Speicher in MOS-Technik |
| comp. | МОП ЗУ | unipolarer Speicher |
| microel. | МОП ЗУ с электронно-лучевой адресацией | Beam-Adressed MOS |
| microel. | МОП ЗУ с электронно-лучевой адресацией | BEAMOS |
| microel. | МОП ЗУПВ | MOS-Speicher mit wahlfreiem Zugriff |
| microel. | МОП ЗУПВ | MOS-RAM-Speicher |
| microel. | МОП ЗУПВ ёмкостью 4К | 4-Kbit-MOS-RAM |
| microel. | МОП ИС | MOS-Schaltung |
| microel. | МОП ИС | MOS-Baustein |
| microel. | МОП ИС | MOS-IC |
| microel. | МОП ИС | MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП ИС | MOS-IS |
| microel. | МОП ИС | integrierter MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП ИС | MOS-IG-Schaltkreis |
| microel. | МОП ИС | integrierte MOS-Schaltung |
| microel. | МОП ИС | integrierte Schaltung mit MOS-Strukturen |
| microel. | МОП ИС | integrierte Schaltung in MOS-Technik |
| microel. | МОП ИС | MOS-Bauelement |
| microel. | МОП ИС на сапфире | integrierte MOS-Schaltung in SOS-Technik |
| microel. | МОП ИС на сапфире | integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat |
| microel. | МОП ИС на сапфире | integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat |
| microel. | МОП ИС на сапфировой подложке | integrierte MOS-Schaltung in SOS-Technik |
| microel. | МОП ИС на сапфировой подложке | integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat |
| microel. | МОП ИС на сапфировой подложке | integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat |
| microel. | МОП ИС на сапфировой подложке с комплементарными структурами | integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat mit Komplementärstrukturen |
| microel. | МОП ИС на сапфировой подложке с комплементарными структурами | integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat mit Komplementärstrukturen |
| microel. | МОП ИС с двухуровневым поликремниевым затвором | Doppel-Poly-Si-Gate-Schaltkreis |
| microel. | МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | Gate-Injection MOS |
| microel. | МОП ИС с комплементарными структурами | integrierter MOS-Schaltkreis mit Komplementärstrukturen |
| microel. | МОП ИС с комплементарными структурами | integrierte MOS-Schaltung mit Komplementärstrukturen |
| microel. | МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | MOS-SGT-Schaltkreis |
| brit. | МОП ИС с самосовмещённым затвором | Self-Aligned Gate MOS |
| microel. | МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | HDMOS |
| microel. | МОП ИС, усиленные биполярными элементами | BeMOS |
| microel. | МОП-компонент | MOS-Baustein |
| microel. | МОП-компонент | MOS-Bauelement |
| microel. | МОП-конденсатор | MOS-Kondensator |
| microel. | МОП-конденсатор | MOS-Kapazität |
| microel., BrE | МОП-конденсатор с двумя дискретными значениями ёмкости | Binary Capacitor |
| microel. | МОП-конденсатор с двумя дискретными значениями ёмкости | BICAP |
| microel. | МОП-кристалл | MOS-Element |
| microel. | МОП-кристалл | MOS-Kristall |
| microel. | МОП-кристалл | MOS-Chip |
| microel. | МОП-логика | MOS-Logik |
| microel. | МОП-микроматрица | MOS-Schaltung in Micromatrix-Technik |
| microel. | МОП-микроматрица | MOS-Schaltkreis in Micromatrix-Technik |
| comp. | МОП ОЗУ | Lese-SchreibSpeicher in unipolarer Metalloxidhalbleitertechnik |
| comp. | МОП ОЗУ | unipolarer RAM |
| comp. | МОП ОЗУ | MOS-RAM |
| microel. | МОП-память | MOS-Speicher |
| microel. | МОП-память большой ёмкости | MOS-Speicher mit großer Speicherkapazität |
| microel. | МОП-память большой ёмкости | MOS-Großraumspeicher |
| microel. | МОП-переключатель | MOS-Schalter |
| microel. | МОП-переключатель | MOS-Schaltbauelement |
| microel. | МОП-прибор | Bauelement mit MOS-Strukturen |
| microel. | n-МОП-прибор | NMOS-Bauelement |
| microel. | n-МОП-прибор | n-MOS-Bauelement |
| microel. | МОП-прибор | MOS-Bauelement |
| microel. | n-МОП-прибор | n-MOS-Bauelement NMOS-Bauelement |
| microel. | МОП-прибор в режиме обеднения | MOS-Bauelement in Entblößungsmode |
| microel. | МОП-прибор в режиме обеднения | MOS-Bauelement in Verarmungsmode |
| microel. | МОП-прибор в режиме обогащения | MOS-Bauelement in Verstärkungsmode |
| microel. | МОП-прибор в режиме обогащения | MOS-Bauelement in Anreicherungsmode |
| microel. | МОП-прибор на GaAs | GaAs-MOS-Bauelement |
| microel. | МОП-прибор на арсениде галлия | GaAs-MOS-Bauelement |
| microel. | МОП-прибор с алюминиевым затвором | MOS-Bauelement mit Al-Gate |
| microel. | МОП-прибор с алюминиевым затвором | MOS-Bauelement mit Al-Steuerelektrode |
| microel. | МОП-прибор с алюминиевым затвором | Al-Gate-MOS-Bauelement |
| microel. | МОП-прибор с кремниевым затвором | MOS-Bauelement mit Si-Steuerelektrode |
| microel. | МОП-прибор с кремниевым затвором | Si-Gate-MOS-Bauelement |
| microel. | МОП-прибор с кремниевым затвором | MOS-Bauelement mit Si-Gate |
| comp. | n-МОП процесс | nMOS-Herstellungsverfahren |
| comp. | n-МОП процесс | nMOS-Prozeß |
| microel. | МОП-процессор | MOS-Mikroprozessor |
| microel. | МОП-регистр | MOS-Schieberregister |
| microel. | МОП-резистор | MOS-Widerstand |
| microel. | n-МОП-структура | n-Kanal-MOS-Struktur |
| microel. | n-МОП-структура | n-MOS-Struktur |
| microel. | МОП-структура | Metall-Oxid-Silizium-Struktur |
| microel. | МОП-структура | MOS-Struktur |
| microel. | МОП-структура | Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur |
| microel. | V-МОП-структура | V-groove MOS |
| microel. | МОП-структура | Metall-SiO2-Silizium-Struktur |
| microel. | V-МОП-структура | Vertical MOS |
| microel. | V-МОП-структура | VMOS |
| brit. | МОП-структура с вертикальными транзисторами | Vertical MOS |
| gen. | МОП-структура с изолированным затвором | Insulated Gate MOS |
| comp. | МОП-структура с лавинной инжекцией и плавающим затвором | MOS-Speicherelektrodentechnik mit schwimmendem Gate (z. B. für RePROM) |
| comp. | МОП-структура с лавинной инжекцией и плавающим затвором | FAMOS |
| comp. | МОП-структура с регулируемым порогом | MOS-Technik mit einstellbarem Transistorschwellwert (Isolierschicht-FET für Speicherzelle) |
| brit. | МОП-структура с самосовмещённым затвором | Self-Aligned Gate MOS |
| comp. | МОП-структуры с самосовмещёнными затворами | MOS-Technik mit selbstjustierendem Transistorgate |
| comp. | МОП-структуры с самосовмещёнными затворами | SAGMOS |
| microel. | n-МОП-схема | NMOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП-схема | Schaltkreis mit MOS-Strukturen |
| microel. | n-МОП-схема | NMOS-Schaltung |
| comp. | n-МОП схема | n-Kanal-MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП-схема | MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП-схема | MOS-Schaltung |
| comp. | n-МОП схема | nMOS-Schaltkreis |
| comp. | МОП-схема | unipolarer Schaltkreis |
| microel. | МОП-схема с кремниевым затвором | Si-Gate-MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП-схема с кремниевым затвором | MOS-Schaltkreis mit Si-Gate |
| microel. | МОП-схема с кремниевым затвором | MOS-IG mit Si-Gate |
| comp. | МОП-схема с уменьшенной площадью кристалла | MOS-Schaltung mit linear reduzierten Dimensionen |
| comp. | МОП-схема с уменьшенной площадью кристалла | maßstäblich verkleinerter MOS-Schaltkreis |
| comp. | МОП-схема с уменьшенной площадью кристалла | skalierter MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП-схема с уменьшенной площадью кристалла и элементами пропорционально уменьшенных размеров | skalierter MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП-схемы с удвоенной плотностью упаковки | High-performance Double-density MOS |
| comp. | МОП-технология | Metalloxidhalbleitertechnologie |
| comp. | n-МОП технология | n-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie |
| comp. | n-МОП технология | nMOS-Technologie |
| comp. | n-МОП технология | n-Kanal-MOS |
| comp. | n-МОП технология | nMOS |
| comp. | p-МОП технология | p-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | p-МОП технология | pMOS-Technologie |
| comp. | p-МОП технология | p-Kanal-MOS |
| comp. | V-МОП технология | VMOS |
| comp. | V-МОП технология | Vertikal-MOS |
| comp. | V-МОП технология | V-Graben-MOS-Technologie |
| comp. | p-МОП технология | pMOS |
| comp. | p-МОП технология | p-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie |
| microel. | V-МОП-технология | V-Graben-MOS-Technologie |
| microel. | V-МОП-технология | VMOS |
| microel. | V-МОП-технология | VMOS-Technik |
| microel. | n-МОП-технология | n-MOS-Technik NMOS-Technik |
| microel. | V-МОП-технология | V-groove MOS |
| microel. | V-МОП-технология | Vertical MOS |
| microel. | V-МОП-технология | VMOS-Technologie |
| comp. | n-МОП технология | n-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | МОП-технология | MOS |
| microel. | МОП-технология с двойной диффузией | MOS-Technologie mit Doppeldiffusion |
| microel. | МОП-технология с двойной диффузией | D/MOS-Technologie |
| comp. | МОП-технология с изоляцией V-канавками | Vertikal-MOS |
| comp. | МОП-технология с изоляцией V-канавками | V-Graben-MOS-Technologie |
| comp. | МОП-технология с изоляцией V-канавками | VMOS |
| comp. | МОП-технология с обогащением активных элементов и обеднением нагрузок | ED-MOS-Technik (MOSÉET-Schaltungstechnik mit Anreicherungstyp-Schalttransistor und Verarmungstyp-Lasttransistor) |
| comp. | МОП-технология с обогащением активных элементов и обеднением нагрузок | ED-MOS |
| comp. | МОП-транзистор | Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor (MISFET mit SiO2-Gateisolierung) |
| microel. | МОП-транзистор | MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор | Metall-Oxid-Feldeffekttransistor |
| comp. | U-МОП транзистор | U-Gruben-MOS-Transistor (Modifikation des VMOS-FET) |
| tech. | МОП-транзистор | MOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор | Metall-Oxid-Silizium-FET |
| microel. | n-МОП-транзистор | NMOS-Transistor |
| microel. | U-МОП-транзистор | U-Gruben-MOS Transistor |
| microel. | V-МОП-транзистор | VMOSFET |
| microel. | V-МОП-транзистор | VMOST-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор | integrierter MOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор | Metal Oxide Silicon Field-Effect Transistor |
| microel. | V-МОП-транзистор | VMOS-Transistor |
| comp. | МОП-транзистор | MOSFET M |
| microel. | МОП-транзистор в режиме обеднения с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии с самосовмещением | DSAMOST |
| microel. | МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии с самосовмещением | DSA-MOSFET |
| comp. | МОП-транзистор, изготовленный по планарной технологии | MOSFET mit Oberflächenstruktur |
| comp. | МОП-транзистор, изготовленный по планарной технологии | Planar-MOS-Feldeffekttransistor |
| comp. | МОП-транзистор, изготовленный по планарной технологии | Planar-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования | Double-Implanted MOS |
| microel. | МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования | DIMOS |
| microel. | МОП-транзистор логического уровня | Logik-Level-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор, работающий в режиме глубокого обеднения | Deep-Depletion-MOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | MOSFET vom Verarmungstyp |
| microel. | МОП-транзистор во встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | MOS-Transistor vom Verarmungstyp |
| microel. | МОП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| el. | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungs-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| microel. | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | AMOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | Anodized Metal-Oxide-Semiconductor FET |
| microel. | МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | AMOS-Feldeffekttransistor |
| microel. | МОП-транзистор с вертикальной структурой | Vertikal-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с вертикальным каналом | Vertikal-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем | Deep-Depletion-MOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения | Depletion Load Transistor |
| microel. | V-МОП-транзистор с горизонтальной структурой | VMOS-Transistor mit lateraler Kanalanordnung |
| microel. | V-МОП-транзистор с горизонтальным каналом | VMOS-Transistor mit lateraler Kanalanordnung |
| microel. | МОП-транзистор с изолированным затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode |
| microel. | МОП-транзистор с изолированным затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate |
| microel. | МОП-транзистор с изолированным затвором | IGFET |
| microel. | МОП-транзистор с изолирующим оксидом, стабилизированным слоем фосфоросиликатного стекла | MPOS |
| microel. | МОП-транзистор с изолирующим оксидом, стабилизированным слоем фосфоросиликатного стекла | Metal Phosphorsilicate Glass Oxide Semiconductor |
| microel. | МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstsperrender FET |
| microel. | МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstsperrender |
| microel. | МОП-транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-MOSFET |
| microel. | p-МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstperrender pMOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с инжекционным плавающим затвором | Gate-Injektions-MOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с каналом р-типа | pMOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmung-MOS-FET |
| microel. | МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET |
| microel. | МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с каналом n-типа | NMOS-Transistor |
| el. | МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MOSFET |
| el. | МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSfET |
| microel. | МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Anreicherungs-MOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с молибденовым затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit Molybdän-Steuerelektrode |
| microel. | МОП-транзистор с молибденовым затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit Molybdän-Gate |
| microel. | МОП-транзистор с нижним затвором | Back-gate-FET |
| microel. | МОП-транзистор с нижним затвором | BMOS-FET |
| microel. | МОП-транзистор с нижним затвором | BMOS-Feldeffekttransistor |
| microel. | МОП-транзистор с низким пороговым напряжением | Low-threshold-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с обеднением канала | Verarmungs-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с обеднением канала | MOS-Transistor vom Verarmungstyp |
| microel. | МОП-транзистор с обеднением канала | MOSFET vom Verarmungstyp |
| microel. | МОП-транзистор с обеднением канала | Depletion-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с обогащением канала | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| microel. | МОП-транзистор с обогащением канала | selbstsperrender FET |
| microel. | МОП-транзистор с обогащением канала | selbstsperrender |
| microel. | МОП-транзистор с обогащением канала | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| microel. | МОП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMOST-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMOSFET |
| microel. | МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с U-образной изолирующей канавкой | U-Gruben-MOS Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с плавающим затвором | Floating-Gate-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | FLOTOX-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с поликремниевым затвором | Silicongatetransistor |
| microel. | МОП-транзистор с поликремниевым затвором | Siliziumtortransistor |
| microel., BrE | МОП-транзистор с поликремниевым затвором | Silicon Gate Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с поликремниевым затвором | SGT |
| microel. | МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением | ATMOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением | ATMOS-FET |
| microel. | МОП-транзистор с регулируемым порогом | Adjustable Threshold MOS |
| microel. | МОП-транзистор с регулируемым порогом | ATMOS |
| microel. | МОП-транзистор с самосовмещённым затвором, полученный методом двойной диффузии | MOSFET mit Diffusionsselbsteinstellung |
| microel. | МОП-транзистор с вертикальной щелевой структурой | T-MOS-Transistor (для формирования ячеек динамических ЗУПВ) |
| microel. | n-МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender NMOS-Transistor |
| microel. | МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender |
| microel. | МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender FET |
| microel. | МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| microel. | МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletionlasttransistor |
| microel. | МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletion Load Transistor |
| el. | МОП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-MOSFET |
| microel. | МОП-транзисторная ИС | MOS-Schaltung |
| microel. | n-МОП-транзисторная ИС | NMOS-Schaltung |
| microel. | МОП-транзисторная ИС | integrierter MOS-Schaltkreis |
| microel. | n-МОП-транзисторная ИС | NMOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП-транзисторная ИС | MOS-IS |
| microel. | МОП-транзисторная ИС | MOS-Schaltkreis |
| microel. | МОП-транзисторная ИС | MOS-IC |
| microel. | n-МОП-транзисторная ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | nMOS-SGT-Schaltkreis |
| microel. | МОП транзисторная ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | nMOS-SGT-Schaltkreis |
| microel. | МОП-транзисторная логика | MOS-Logik |
| microel. | МОП-транзисторный ключ | MOSFET-Schalter |
| microel. | МОП-транзисторный ключ | MOSFET-Schaltstufe |
| microel. | МОП-транзисторный ключ | MOS-Schalter |
| microel. | МОП-элемент | MOS-Element |
| comp. | мощный МОП-транзистор | MOS-Feldeffekt-Leistungstransistor |
| microel. | мощный МОП-транзистор | Leistungs-MOSFET |
| microel. | мощный МОП-транзистор | Power-MOSFET |
| microel. | мощный МОП-транзистор | Hochleistungs-MOSFET |
| comp. | мощный МОП-транзистор | Hochleistungs-MOS-Feldeffekttransistor |
| microel. | мощный МОП-транзисторный ключ | MOS-Leistungsschalter |
| microel. | нагрузочный МОП-транзистор | IMOS-FET-Widerstand |
| comp. | оперативное запоминающее устройство на МОП-структурах | Lese-SchreibSpeicher in unipolarer Metalloxidhalbleitertechnik |
| comp. | оперативное запоминающее устройство на МОП-структурах | unipolarer RAM |
| comp. | оперативное запоминающее устройство на МОП-структурах | MOS-RAM |
| comp. | память на МОП-структурах | unipolarer Speicher |
| comp. | планарный МОП-транзистор | MOSFET mit Oberflächenstruktur |
| comp. | планарный МОП-транзистор | Planar-MOS-Feldeffekttransistor |
| sew. | полевой МОП-транзистор | LL-MOSFET (для нагрузочной линии Александр Рыжов) |
| comp. | прибор на МОП-структурах | Bauelement auf Basis einer Metallgate-Oxidisolator-Halbleiterschicht-Kombination |
| comp. | прибор на МОП-структурах | MOS-Bauelement |
| microel. | прибор на n-МОП-структуре | n-MOS-Bauelement |
| microel. | прибор на n-МОП-структуре | NMOS-Bauelement |
| microel. | прибор на n-МОП-структуре | n-MOS-Bauelement NMOS-Bauelement |
| comp. | процесс изготовления n-МОП схем | nMOS-Herstellungsverfahren |
| comp. | процесс изготовления n-МОП схем | nMOS-Prozeß |
| comp. | р-МОП | p-Kanal-MOS |
| comp. | р-МОП | pMOS |
| comp. | р-МОП | p-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | р-МОП | pMOS-Technologie |
| comp. | р-МОП | p-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie |
| microel. | система разработки МОП ИС | MOS Implementation System |
| microel. | составной прибор, объединяющий триак с МОП-транзистором | TRIMOS |
| microel. | способ формирования МОП-структур с многократным совмещением | MSA-Technik |
| microel. | схема на МОП-микроматрице | MOS-Schaltkreis in Micromatrix-Technik |
| comp. | схема на p-МОП структурах | pMOS-Schaltkreis |
| comp. | схема на p-МОП структурах | p-Kanal-MOS-Schaltkreis |
| microel. | схема на р-канальных МОП-транзисторах | MOS-p-Kanal-Netzwerk |
| comp. | техника комплементарных МОП-структур | CMOS-Technik |
| comp. | технология высоко производительных МОП-структур | HMOS-Technologie |
| comp. | технология высокопроизводительных n-канальных МОП-схем | Hochleistungs-MOS |
| comp. | технология высокопроизводительных n-канальных МОП-схем | Hochleistungsn-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | технология высокопроизводительных n-канальных МОП-схем | HMOS |
| comp. | технология изготовления n-канальных МОП-схем с кремниевыми затворами | n-SG-MOS |
| comp. | технология изготовления n-канальных МОП-схем с кремниевыми затворами | n-SGT |
| comp. | технология изготовления n-канальных МОП-схем с кремниевыми затворами | n-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie |
| comp. | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| comp. | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | D-MOS |
| comp. | технология изготовления МОП-схем | MOS-Technologie |
| comp. | технология изготовления МОП-схем | MOS-Technik |
| el. | технология МОП ЗУ со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS |
| brit. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами | Self-Aligned Gate MOS |
| brit. | технология МОП ИС со скрытым оксидом | Buried Oxide MOS |
| comp. | технология n-МОП схем с кремниевыми затворами и высокой плотностью упаковки | hochdichte n-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie |
| comp. | технология n-МОП схем с кремниевыми затворами и высокой плотностью упаковки | HMOS-Technologie |
| microel. | усовершенствованная МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | Metal Oxide Silicon Advanced IC |
| microel. | усовершенствованная МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | MOSAIC-Schaltung |
| microel. | усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | Advanced Polysilicon Self-Aligned |
| microel. | усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | APSA |
| tech. | участок сток-исток МОП-транзистора | Drain-Source-Strecke |
| microel. | формирователь видеосигналов на МОП-структуре | MOS-Bildsensor |
| microel. | формирователь видеосигналов на ПЗС с МОП-структурой | CCD-MOS-Bildsensor |
| microel. | элемент И НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NAND-Gatter |
| microel. | элемент ИЛИ НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NOR-Gatter |
| microel. | запоминающая ячейка двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| microel. | ячейка на МОП-структурах | MOS-Zelle |
