| Russian | English |
| метод оксидной изоляции с использованием ионной имплантации | ion-implanted oxide isolated process |
| n-МОП интегральная схема, выполненная методом ионной имплантации | ion-implanted n-type MOS (IIN MOS) |
| МОП-структура, изготовленная методом двойной ионной имплантации | double-implanted MOS |
| МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации | ion-metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации | ion implanted MOS |
| МОП-структура с примесями, введенными методом ионной имплантации | ion implanted MOS |
| МОП-структура с примесями, введенными методом ионной имплантации | ion-metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура, формируемая методом двойной ионной имплантации | double-implanted MOS |
| МОП-структура, формируемая методом ионной имплантации | ion-implanted MOS |
| полевой МОП-транзистор, изготовленный методом двойной ионной имплантации | double-implanted metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| постоянное запоминающее устройство, изготовленное методом ионной имплантации | ion-implanted ROM |
| р-МОП ИС, выполненная методом ионной имплантации | ion-implanted p-type MOS (IIP MOS) |
| структура, формируемая методом ионной имплантации | ion-implanted structure |
| транзистор, изготовленный методом ионной имплантации | ion-implanted transistor |
| транзистор с базой, выполненной методом ионной имплантации | ion-implanted base transistor |
