| English | Ukrainian |
| acceptor-type semiconductor | напівпровідник з електропровідністю р-типу |
| acceptor-type semiconductor | дірковий напівпровідник |
| barrel-type reactor | циліндровий барабанний реактор (для плазмового травлення) |
| barrier-type CCD | ПЗЗ бар'єрного типу |
| Bridgement-type crystal grower | установка вирощування монокристалів методом Бріджмена |
| Bridgement-type crystal grower | установка вирощування кристалів методом Бріджмена |
| channel type | тип електропровідності каналу (польового транзистора) |
| commonality-type part | стандартний компонент |
| conduction type | тип електропровідності |
| conductivity type | тип питомої електричної провідності |
| conductivity-type conversion | зміна перетворення типу питомої провідності провідника |
| conductivity-type determining dopant | домішка, що визначає тип питомої провідності напівпровідника |
| conductivity-type-determining impurity | домішка, що визначає тип питомої провідності напівпровідника |
| conductivity-type imparting material | легуюча домішка |
| conductivity-type imparting material | матеріал, що визначає тип питомої провідності |
| conductivity-type inversion | інверсія типу питомої провідності |
| D-type flip-flop | D-триггер |
| Darlington-type circuit | схема на парі Дарлінгтона |
| delta-type doping structure | структура з розподілом домішки у вигляді δ-функції |
| depletion-type | такий, що працює в режимі збіднення |
| depletion-type IGFET | польовий транзистор з ізольованим затвором, що працює в режимі збіднення |
| diode-type isolation | ізоляція p–n-переходами |
| donor-type semiconductor | напівпровідник з електропровідністю n-типу |
| donor-type semiconductor | електронний напівпровідник |
| doping type | тип домішкової електропровідності |
| doping type | тип легуючої домішки |
| enhancement-type | такий, що працює в режимі збагачення |
| enhancement-type IGFET | польовий транзистор з ізольованим затвором, що працює в режимі збагачення |
| enhancement-type reaction | стимульована реакція |
| hybrid hybrid-type circuit | гібридна ІС |
| impurity type | тип легуючої домішки |
| impurity type | тип домішкової електропровідності |
| mesa-type diode | діод з мезаструктурою |
| mesa-type diode | мезадіод |
| mesa-type island | меза-острівець |
| mesa-type structure | мезаструктура |
| mesa-type transistor | транзистор з мезаструктурою |
| mesa-type transistor | мезатранзистор |
| MIS-type device | ІС на МДН-транзисторах |
| MIS-type device | МДН-транзистор |
| monolithic-type structure | монолітна структура |
| monolithic-type structure | структура напівпровідникової ІС |
| n-type | n-типу (про електропровідність) |
| n-type | електронна |
| n-type bar | злиток з електропровідністю n-типу |
| N-type characteristic | характеристика N-типу |
| n-type conduction | електропровідність n-типу |
| n-type conduction | електронна електропровідність |
| n-type conductivity | питома провідність n-типу |
| n-type conductivity | електронна питома провідність |
| n-type diffusion | дифузія донорної домішки |
| n-type diffusion | дифузійна область n-типу |
| n-type dopant | донорна домішка |
| n-type dopant atom | донорний атом |
| n-type doping technique | метод легування донорною домішкою |
| n-type impurity | донорна домішка |
| n-type impurity ion | іон донорної домішки |
| n-type ion implantation | імплантація іонів донорної домішки |
| n-type island | острівець з електропровідністю n-типу |
| n-type semiconductor | напівпровідник з електропровідністю n-типу |
| n-type substrate | підкладка з електропровідністю n-типу |
| n-type surface | поверхня з електропровідністю n-типу |
| negative-type photoresist | негативний фоторезист |
| negative-type resist | негативний резист |
| p-type | р-типу (про електропровідність) |
| p-type conduction | електропровідність р-типу |
| p-type conduction | діркова електропровідність |
| p-type conductivity | діркова питома провідність |
| p-type conductivity | питома провідність р-типу |
| p-type diffusion | дифузія акцепторної домішки |
| p-type diffusion | дифузійна область р-типу |
| p-type dopant | акцепторна домішка |
| p-type dopant atom | акцепторний атом |
| p-type impurity | акцепторна домішка |
| p-type impurity ion | іон акцепторної домішки |
| p-type ion implantation | імплантація іонів акцепторної домішки |
| p-type island | острівець з електропровідністю р-типу |
| p-type reach-through | наскрізна область з електропровідністю р-типу |
| p-type semiconductor | напівпровідник з електропровідністю р-типу |
| p-type semiconductor | дірковий напівпровідник |
| p-type substrate | підкладка з електропровідністю р-типу |
| p-type surface | поверхня з електропровідністю р-типу |
| p-type well | кишеня з електропровідністю р-типу |
| part type | тип радіодеталі |
| positive-type FET | польовий транзистор з каналом р-типу |
| positive-type photoresist | позитивний фоторезист |
| positive-type resist | позитивний резист |
| resistance-type heater | резистивний нагрівач |
| S-type characteristic | характеристика S-типу |
| sandwich-type configuration | структура типу "сандвіч" |
| sandwich-type configuration | тришарова структура |
| sphalerite-type structure | кубічна структура типу сфалериту |
| Strongly n-type region | область n+-типу |
| Strongly n-type region | сильнолегована область n-типу |
| switching-type transistor | транзистор перемикача |
| type 0 1, 2, 3 language | мова типу 0 1,2,3 (відповідно до класифікації формальних мов за ієрархією Хомскі) |
