English | Ukrainian |
air-isolation process | технологія ІС з повітряною ізоляцією |
all-ion-implant process | іонне легування |
all-ion-implant process | іонна імплантація |
all-planar process | планарна технологія |
Auger process | Оже-процес |
Auger process | процес Оже |
batch process | груповий процес |
bias and hardness process | термообробка під навантаженням |
bonding process | термокомпресія |
bonding process | приєднання (напр. виводів) |
BOX process | процес BOX (фірмова назва технології ізоляції елементів ЗП заглибленим оксидом кремнію) |
bulk CMOS process | технологія KMOH ІС на напівпровідниковій підкладці (без епітаксійного шару) |
bumping process | технологія формування стовпчикових виводів |
chip-on-board process | монтаж кристалів ІС безпосередньо на друкованій платі |
closed CMOS process | технологія КМОН ІС з підвищеною густиною упаковки |
CMOS-on-sapphire process | технологія КМОН ІС з КНС-структурою |
CMOS-on-sapphire process | технологія КМОН ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" |
composite cell logic process | метод проектування логічних ВІС на основі базових матричних кристалів |
contact process | технологія виготовлення контактів |
contact process | контактна літографія |
conventional process | стандартна технологія |
3-D process | потрійна дифузія |
deep oxide isolation process | глибока ізоляція оксидом |
DIFET process | технологія ІС операційних підсилювачів на польових транзисторах з діелектричною ізоляцією |
diffused eutectic aluminum process | дифузія алюмінію для формування алюмінієвої евтектики (для програмування ППЗП) |
direct synthesis and crystal pull process | технологія прямого синтезу і витягання монокристала |
double ion-implanted process | подвійна двократна іонна імплантація |
double-diffused process | подвійна двократна дифузія |
double-layer polysilicon gate MOS process | технологія МОН ІС з дворівневими полікремнієвими затворами |
epitaxial growth process | епітаксія |
epitaxial growth process | епітаксійне вирощування |
epitaxial deposition process | осадження епітаксійного шару |
flip-over process | метод переверненого кристала |
floating-gate silicon process | технологія МОН ІС з плаваючими кремнієвими затворами |
front-end process | технологія обробки напівпровідникових пластин (для формування кристалів ІС) |
gold-doped process | технологія ІС з використанням легування золотом |
guard-banded CMOS process | технологія КМОН ІС з охоронними кільцями |
heterogeneous process | гетерогенний процес |
high-voltage process | технологія високовольтних ІС |
HMOS process | технологія HMOS (фірмова назва процесу виготовлення високоякісних МОН ВІС) |
imaging process | формування рельєфу |
imaging process | формування малюнка |
implantation process | іонне легування |
implantation process | іонна імплантація |
in-process handling | технологічне маніпулювання (напр. транспортування, завантаження, розвантаження) |
in-process wafer | оброблювана напівпровідникова пластина |
in-house process | технологія ІС власного виробництва |
interconnection process | формування міжз'єднань |
inverted meniscus process | метод зворотного меніска (для вирощування полікремнієвої плівки) |
ion plating process | електролітичний метод нанесення покриттів |
isoplanar-S, -Z, -2 process | ізопланарна технологія (S, Z, 2-модифікації подальшого розвитку процесу) |
junction-isolated process | технологія ІС з ізоляцією р–n-переходами |
laser-recrystallized process | лазерна рекристалізація |
layout process flow | маршрут проектування топології |
lithographic process | літографія |
lost wafer process | процес травлення підкладки (Технологія, яка використовує селективне травлення для видалення більшої частини підкладки і частини дифузійного шару, що залишилася) |
low VT process | технологія виготовлення МОН ІС з низькою пороговою напругою |
low-pressure process | процес, що проводиться при низькому тиску газоподібного середовища |
major process | базова технологія |
masking process | технологія формування маскуючого шару |
masking process | метод нанесення фоторезистної маски |
master slice process | технологія ІС на основі базового матричного кристала |
mesa-isolation process | метод ізоляції мезаструктурами |
metal-gate MOS process | технологія МОН ІС з металевими затворами |
microbipolar LSI process | технологія біполярних ВІС з низькою споживаною потужністю |
micrometer-dimension process | технологія ІС з елементами мікронних розмірів |
mid-film process | технологія товстоплівкових ГІС з високою густиною упакування |
Minimod process | метод "мінімод" (для збірки ІС на стрічкових носіях) |
mixed-process amplifier | підсилювач, підготовлений за комбінованою технологією |
mixed-process device | лінійна ІС, виготовлена за комбінованою технологією (така, що містить біполярні і польові транзистори) |
mixed-process linear | лінійна ІС, виготовлена за комбінованою технологією |
Mo-gate MOS process | технологія МОН ІС з молібденовими затворами |
MOS-process characterization | параметри характеристики МОН-технології |
MOS-process characterization | визначення параметрів МОН-технології |
nitride process | технологія МНОН ІС |
nitride process | метод формування шару нітриду кремнію |
nitrideless process | безнітридна технологія |
NSA process | технологія біполярних ІС з самосуміщеною маскою і нітридною пасивацією |
oxide isolated process | оксидна ізоляція |
oxide isolated process | ізоляція оксидом |
oxide-film isolation process | ізоляція елементів ІС оксидною плівкою |
oxygen refilling process | процес заповнення кисневих вакансій |
patterning process | формування рельєфу |
patterning process | формування малюнка |
phosphorous buried-emitter process | метод формування емітерних прихованих шарів, легованих фосфором |
photoablative process | процес фотоабляції |
photoablative process | фотоабляція |
photolithography process | оптична літографія |
photolithography process | фотолітографія |
photoresist process | оптична літографія |
photoresist process | фотолітографія |
planar oxidation process | ізоляція оксидом |
planar oxidation process | оксидна ізоляція |
planar oxidation process | технологія "Планокс" (для виготовлення МОН ВІС) |
Planox process | технологія "Планокс" (для виготовлення МОН ВІС) |
plasma etch process | плазмове травлення |
Poly I process | процес "Полі I" (для виготовлення n-МОН ІС з кремнієвими, затворами і одним шаром полікремнію) |
Poly II process | процес "Полі II" (для виготовлення n-МОН ІС з кремнієвими затворами і двома шарами полікремноію) |
Poly 5 process | технологія масштабованих іонно-легованих n-МОН ІС з кремнієвими затворами і двома шарами полікристалічного кремнію |
poly-oxide process | комбінована ізоляція елементів ІС полікристалическим кремнієм і оксидом кремнію |
Poly-Si process | технологія МОН ІС з полікремнієвими затворами |
polysilicon-gate process | технологія МОН ІС з полікремнієвими затворами |
poly-squared MOS process | технологія МОН ІС з двома шарами полікристалічного кремнію |
process certification | атестація технологічного процессу |
process characterization tool | прилади для контролю якості технологічного процесу |
process chart | технологічна карта |
process compatibility | технологічна сумісність |
process ing compatibility | технологічна сумісність |
process control gate | пост контролю технологічного процесу |
process control visual | післяопераційний візуальний контроль |
process descriptor | дескриптор процессу |
process desiccant | проектування технології виготовлення приладів |
process-development chip | тестовий кристал для розробки технологічного процесу |
process development wafer | тестова пластина, яка застосовується при розробці технологічного процесу |
process engineering | технологія |
process evaluation | оцінка технологічного процесу |
process evaluation and control pattern | тестова структура для контролю технологічного процесу |
process flow | послідовність технологічного процесу |
process flowchart | схема технологічного процесу |
process liquid | технологічний рідкий реактив |
process logic representation | представлення логіки обробки |
process margin | інваріантність технологічного процесу |
process monitoring | керування технологічним процесом |
process optimization | оптимізація технологічного процесу |
process optimizer | оптимізатор технологічного процесу |
process-parameter variability | коливання параметрів технологічного процессу |
process refinement | удосконалення технологічного процесу |
process repeatability | відтворюваність процесу |
process resistance | стійкість до технологічної обробки |
process sensitivity | чутливість технологічного процесу (до параметрів проведення процесу) |
process sequence | послідовність технологічних операцій |
process step | технологічна операція |
process validation | контроль технологічного процесу |
process-validation chip | тестовий кристал для контролю технологічного процесу |
process validation module | модуль для перевірки якості процесу |
process validation wafer | пластина, піддана технологічній обробці |
proprietary process | власна технологія |
refractory metal MOS process | технологія МОН ІС із затворами з тугоплавкого металу |
sacrificial oxide process | формування проміжного оксидного шару |
sacrificial oxide process | проміжне оксидування |
sapphire dielectric isolation process | технологія ІС з КНС-структурою |
sapphire dielectric isolation process | технологія ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" |
scaled Poly 5 process | технологія масштабованих іонно-легованих n-МОН ІС з кремнієвими затворами і двома шарами полікристалічного кремнію |
screen-and-fire process | товстоплівкова технологія |
selective field-oxidation process | вибіркове формування захисного шару оксиду |
self-aligned gate process | технологія МОН ІС з самосуміщеними затворами |
self-registered gate process | технологія МОН ІС з самосуміщеними затворами |
semi-additive process | напіваддитивна технологія (друкованої плати) |
semiconductor-thermoplastic-dielectric process | технологія ГІС на діелектричній підкладці із захисним шаром термопласту |
semicustom process | технологія напівзамовлених ІС |
shadow masking process | мікроелектронна технологія виготовлення тіньових масок |
silk-screen process | трафаретний друк |
single poly process | технологія МОН ІС з одним полікремнієвим затвором |
SMOS process | технологія SMOS (виготовлення масштабованих МОН ІС з самосуміщеними затворами і каналами субмікронної довжини) |
SOS/CMOS process | технологія КМОН ІС з КНС-структурою |
SOS/CMOS process | технологія КМОН ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" |
stacked fuse bipolar process | технологія програмованих біполярних ІС ЗП з плавкими перемичками |
Stalicide process | технологія МОН ІС з самосуміщеними двошаровими затворами з дисиліциду титану і полукремнію |
step-and-repeat process | послідовна крокова мультиплікація |
subtractive-fabrication process | субтрактивна технологія |
surface process | процес на поверхні |
Telemos process | процес "Телемос" (для виготовлення МОН ІС фірми "Телефункен") |
thermal process | термічний процес |
thermally activated surface process | термоактивований гетерогенний процес на поверхні |
thermal-oxidation process | термічне високотемпературне оксидування |
three-mask process | технологія ІС з використанням трьох фотошаблонів |
triple-diffused process | потрійна дифузія |
triply-poly process | технологія МОН ІС з трьома шарами полікристалічного кремнію |
twin-tub process | двохкишенькова технологія (КМОН ІС) |
twin-well process | двохкишенькова технологія (КМОН ІС) |
V-groove MOS process | технологія МОН ІС з V-подібними канавками |
wet process | технологія рідинної хімічної обробки |
workpiece-in-process station | накопичувач для незавершеної продукції |
workpiece-in-process station | проміжний накопичувач |