| English | Ukrainian |
| air-isolation process | технологія ІС з повітряною ізоляцією |
| all-ion-implant process | іонне легування |
| all-ion-implant process | іонна імплантація |
| all-planar process | планарна технологія |
| Auger process | Оже-процес |
| Auger process | процес Оже |
| batch process | груповий процес |
| bias and hardness process | термообробка під навантаженням |
| bonding process | термокомпресія |
| bonding process | приєднання (напр. виводів) |
| BOX process | процес BOX (фірмова назва технології ізоляції елементів ЗП заглибленим оксидом кремнію) |
| bulk CMOS process | технологія KMOH ІС на напівпровідниковій підкладці (без епітаксійного шару) |
| bumping process | технологія формування стовпчикових виводів |
| chip-on-board process | монтаж кристалів ІС безпосередньо на друкованій платі |
| closed CMOS process | технологія КМОН ІС з підвищеною густиною упаковки |
| CMOS-on-sapphire process | технологія КМОН ІС з КНС-структурою |
| CMOS-on-sapphire process | технологія КМОН ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" |
| composite cell logic process | метод проектування логічних ВІС на основі базових матричних кристалів |
| contact process | технологія виготовлення контактів |
| contact process | контактна літографія |
| conventional process | стандартна технологія |
| 3-D process | потрійна дифузія |
| deep oxide isolation process | глибока ізоляція оксидом |
| DIFET process | технологія ІС операційних підсилювачів на польових транзисторах з діелектричною ізоляцією |
| diffused eutectic aluminum process | дифузія алюмінію для формування алюмінієвої евтектики (для програмування ППЗП) |
| direct synthesis and crystal pull process | технологія прямого синтезу і витягання монокристала |
| double ion-implanted process | подвійна двократна іонна імплантація |
| double-diffused process | подвійна двократна дифузія |
| double-layer polysilicon gate MOS process | технологія МОН ІС з дворівневими полікремнієвими затворами |
| epitaxial growth process | епітаксія |
| epitaxial growth process | епітаксійне вирощування |
| epitaxial deposition process | осадження епітаксійного шару |
| flip-over process | метод переверненого кристала |
| floating-gate silicon process | технологія МОН ІС з плаваючими кремнієвими затворами |
| front-end process | технологія обробки напівпровідникових пластин (для формування кристалів ІС) |
| gold-doped process | технологія ІС з використанням легування золотом |
| guard-banded CMOS process | технологія КМОН ІС з охоронними кільцями |
| heterogeneous process | гетерогенний процес |
| high-voltage process | технологія високовольтних ІС |
| HMOS process | технологія HMOS (фірмова назва процесу виготовлення високоякісних МОН ВІС) |
| imaging process | формування рельєфу |
| imaging process | формування малюнка |
| implantation process | іонне легування |
| implantation process | іонна імплантація |
| in-process handling | технологічне маніпулювання (напр. транспортування, завантаження, розвантаження) |
| in-process wafer | оброблювана напівпровідникова пластина |
| in-house process | технологія ІС власного виробництва |
| interconnection process | формування міжз'єднань |
| inverted meniscus process | метод зворотного меніска (для вирощування полікремнієвої плівки) |
| ion plating process | електролітичний метод нанесення покриттів |
| isoplanar-S, -Z, -2 process | ізопланарна технологія (S, Z, 2-модифікації подальшого розвитку процесу) |
| junction-isolated process | технологія ІС з ізоляцією р–n-переходами |
| laser-recrystallized process | лазерна рекристалізація |
| layout process flow | маршрут проектування топології |
| lithographic process | літографія |
| lost wafer process | процес травлення підкладки (Технологія, яка використовує селективне травлення для видалення більшої частини підкладки і частини дифузійного шару, що залишилася) |
| low VT process | технологія виготовлення МОН ІС з низькою пороговою напругою |
| low-pressure process | процес, що проводиться при низькому тиску газоподібного середовища |
| major process | базова технологія |
| masking process | технологія формування маскуючого шару |
| masking process | метод нанесення фоторезистної маски |
| master slice process | технологія ІС на основі базового матричного кристала |
| mesa-isolation process | метод ізоляції мезаструктурами |
| metal-gate MOS process | технологія МОН ІС з металевими затворами |
| microbipolar LSI process | технологія біполярних ВІС з низькою споживаною потужністю |
| micrometer-dimension process | технологія ІС з елементами мікронних розмірів |
| mid-film process | технологія товстоплівкових ГІС з високою густиною упакування |
| Minimod process | метод "мінімод" (для збірки ІС на стрічкових носіях) |
| mixed-process amplifier | підсилювач, підготовлений за комбінованою технологією |
| mixed-process device | лінійна ІС, виготовлена за комбінованою технологією (така, що містить біполярні і польові транзистори) |
| mixed-process linear | лінійна ІС, виготовлена за комбінованою технологією |
| Mo-gate MOS process | технологія МОН ІС з молібденовими затворами |
| MOS-process characterization | параметри характеристики МОН-технології |
| MOS-process characterization | визначення параметрів МОН-технології |
| nitride process | технологія МНОН ІС |
| nitride process | метод формування шару нітриду кремнію |
| nitrideless process | безнітридна технологія |
| NSA process | технологія біполярних ІС з самосуміщеною маскою і нітридною пасивацією |
| oxide isolated process | оксидна ізоляція |
| oxide isolated process | ізоляція оксидом |
| oxide-film isolation process | ізоляція елементів ІС оксидною плівкою |
| oxygen refilling process | процес заповнення кисневих вакансій |
| patterning process | формування рельєфу |
| patterning process | формування малюнка |
| phosphorous buried-emitter process | метод формування емітерних прихованих шарів, легованих фосфором |
| photoablative process | процес фотоабляції |
| photoablative process | фотоабляція |
| photolithography process | оптична літографія |
| photolithography process | фотолітографія |
| photoresist process | оптична літографія |
| photoresist process | фотолітографія |
| planar oxidation process | ізоляція оксидом |
| planar oxidation process | оксидна ізоляція |
| planar oxidation process | технологія "Планокс" (для виготовлення МОН ВІС) |
| Planox process | технологія "Планокс" (для виготовлення МОН ВІС) |
| plasma etch process | плазмове травлення |
| Poly I process | процес "Полі I" (для виготовлення n-МОН ІС з кремнієвими, затворами і одним шаром полікремнію) |
| Poly II process | процес "Полі II" (для виготовлення n-МОН ІС з кремнієвими затворами і двома шарами полікремноію) |
| Poly 5 process | технологія масштабованих іонно-легованих n-МОН ІС з кремнієвими затворами і двома шарами полікристалічного кремнію |
| poly-oxide process | комбінована ізоляція елементів ІС полікристалическим кремнієм і оксидом кремнію |
| Poly-Si process | технологія МОН ІС з полікремнієвими затворами |
| polysilicon-gate process | технологія МОН ІС з полікремнієвими затворами |
| poly-squared MOS process | технологія МОН ІС з двома шарами полікристалічного кремнію |
| process certification | атестація технологічного процессу |
| process characterization tool | прилади для контролю якості технологічного процесу |
| process chart | технологічна карта |
| process compatibility | технологічна сумісність |
| process ing compatibility | технологічна сумісність |
| process control gate | пост контролю технологічного процесу |
| process control visual | післяопераційний візуальний контроль |
| process descriptor | дескриптор процессу |
| process desiccant | проектування технології виготовлення приладів |
| process-development chip | тестовий кристал для розробки технологічного процесу |
| process development wafer | тестова пластина, яка застосовується при розробці технологічного процесу |
| process engineering | технологія |
| process evaluation | оцінка технологічного процесу |
| process evaluation and control pattern | тестова структура для контролю технологічного процесу |
| process flow | послідовність технологічного процесу |
| process flowchart | схема технологічного процесу |
| process liquid | технологічний рідкий реактив |
| process logic representation | представлення логіки обробки |
| process margin | інваріантність технологічного процесу |
| process monitoring | керування технологічним процесом |
| process optimization | оптимізація технологічного процесу |
| process optimizer | оптимізатор технологічного процесу |
| process-parameter variability | коливання параметрів технологічного процессу |
| process refinement | удосконалення технологічного процесу |
| process repeatability | відтворюваність процесу |
| process resistance | стійкість до технологічної обробки |
| process sensitivity | чутливість технологічного процесу (до параметрів проведення процесу) |
| process sequence | послідовність технологічних операцій |
| process step | технологічна операція |
| process validation | контроль технологічного процесу |
| process-validation chip | тестовий кристал для контролю технологічного процесу |
| process validation module | модуль для перевірки якості процесу |
| process validation wafer | пластина, піддана технологічній обробці |
| proprietary process | власна технологія |
| refractory metal MOS process | технологія МОН ІС із затворами з тугоплавкого металу |
| sacrificial oxide process | формування проміжного оксидного шару |
| sacrificial oxide process | проміжне оксидування |
| sapphire dielectric isolation process | технологія ІС з КНС-структурою |
| sapphire dielectric isolation process | технологія ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" |
| scaled Poly 5 process | технологія масштабованих іонно-легованих n-МОН ІС з кремнієвими затворами і двома шарами полікристалічного кремнію |
| screen-and-fire process | товстоплівкова технологія |
| selective field-oxidation process | вибіркове формування захисного шару оксиду |
| self-aligned gate process | технологія МОН ІС з самосуміщеними затворами |
| self-registered gate process | технологія МОН ІС з самосуміщеними затворами |
| semi-additive process | напіваддитивна технологія (друкованої плати) |
| semiconductor-thermoplastic-dielectric process | технологія ГІС на діелектричній підкладці із захисним шаром термопласту |
| semicustom process | технологія напівзамовлених ІС |
| shadow masking process | мікроелектронна технологія виготовлення тіньових масок |
| silk-screen process | трафаретний друк |
| single poly process | технологія МОН ІС з одним полікремнієвим затвором |
| SMOS process | технологія SMOS (виготовлення масштабованих МОН ІС з самосуміщеними затворами і каналами субмікронної довжини) |
| SOS/CMOS process | технологія КМОН ІС з КНС-структурою |
| SOS/CMOS process | технологія КМОН ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" |
| stacked fuse bipolar process | технологія програмованих біполярних ІС ЗП з плавкими перемичками |
| Stalicide process | технологія МОН ІС з самосуміщеними двошаровими затворами з дисиліциду титану і полукремнію |
| step-and-repeat process | послідовна крокова мультиплікація |
| subtractive-fabrication process | субтрактивна технологія |
| surface process | процес на поверхні |
| Telemos process | процес "Телемос" (для виготовлення МОН ІС фірми "Телефункен") |
| thermal process | термічний процес |
| thermally activated surface process | термоактивований гетерогенний процес на поверхні |
| thermal-oxidation process | термічне високотемпературне оксидування |
| three-mask process | технологія ІС з використанням трьох фотошаблонів |
| triple-diffused process | потрійна дифузія |
| triply-poly process | технологія МОН ІС з трьома шарами полікристалічного кремнію |
| twin-tub process | двохкишенькова технологія (КМОН ІС) |
| twin-well process | двохкишенькова технологія (КМОН ІС) |
| V-groove MOS process | технологія МОН ІС з V-подібними канавками |
| wet process | технологія рідинної хімічної обробки |
| workpiece-in-process station | накопичувач для незавершеної продукції |
| workpiece-in-process station | проміжний накопичувач |
