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| advance attainable line widths to 0.5 micron | erreichbare Linienbreiten auf 0,5 μm reduzieren |
| align to 0.1μm at each exposure field | mit einer Geschwindigkeit von 0,1 μm in jedem Bildfeld justieren |
| array having 0.1 mm pitch between diameters | Anordnung mit einem Rastermaß von 0,1 mm |
| array with 128 photodiodes on 0.1 mm pitch | Anordnung mit 128 Fotodioden im Rastermaß von 0,1 mm |
| bit position 0 of the data bus | Bitposition 0 des Datenbusses |
| circuit line of 0.2 μm width | Schaltkreiselement von 0,2 μm Breite |
| circuit pattern of about 3.0 micrometres | Schaltkreisstruktur mit Linienbreiten von etwa 3 pm |
| contents greater than 0 | Inhalt größer als Null |
| contents less than 0 | Inhalt kleiner als Null |
| create a 4.0-mm wide image of the slit at the mask plane | ein 4 mm breites Bild des Spalts in der Maskenebene erzeugen |
| define minimum geometries of 0.5 μm | kleinste Strukturen von 0,5 μm schreiben (mit Elektronenstrahl) |
| define patterns with geometries as small as 0.2 micrometre | Strukturen mit Elementbreiten bis zu 0,2 μm scharf abbilden |
| feature contral to ± 0.1 μm | Einhaltung der Elementbreite bis auf ± 0,1 μm |
| feature smaller than 4.0 μm | Strukturbreite unter 4 μm |
| features ranging from as small as 1.5 μm to as large as 3.0 | μm Strukturbreiten in einem großen Variationsbereich von 1,5 μm bis 3,0 μm |
| geometry in the 0.5-to-1 μm range | Strukturen im Bereich von 0,5 bis 1 μm |
| increase the chip's 0.5 W power dissipation by only 3 % | die Chipverlustleistung von 0,5 W nur um 3 % erhöhen |
| keep the beam within 0.3 mm of its undeflected position | den unabgelenkten Strahl bis auf 0,3 mm genau positionieren |
| left shift of from 0 to 15 places | Verschiebung von 0 bis 15 Stellen nach links |
| level to-level registration tolerance of 0.1 μm | Überdeckungstoleranz von 0,1 μm zwischen den Ebenen |
| logic 0 state | logischer Nullzustand |
| logic 0 state | logischer Zustand 0 |
| microlithographic displacements in increments of 0.1 | μm mikrolithografische Versetzungen in Inkrementen von 0,1 μm |
| open the switch for logic 0 | den Schalter für logische Null öffnen |
| operate over the temperature range from 0 to 50 °C | im Temperaturbereich von 0 bis 50 °C arbeiten |
| output a 1 in bit position 0 of the data bus | eine 1 in Bitposition 0 des Datenbusses ausgeben |
| package standard for device with 0.05-in. centres | Gehäusestandard für Bauelemente mit 0,05-Zoll-Anschlußraster |
| pattern with feature sizes to 0.5 micron | Struktur mit Elementgrößen bis zu 0,5 Mikrometer |
| place geometries to an accuracy in the order of 0.2 micrometres | die Strukturen bis zu einer Genauigkeit von etwa 0,2 Mikrometer positionieren |
| position the X-Y stage with an accuracy of 0.01 μm | den Koordinatentisch mit einer Genauigkeit von 0,01 μm positionieren (einstellen) |
| recognize address 0 as one of its own | Adresse 0 als eigene erkennen |
| register bank 0 | Registerbereich 0 |
| require geometries of 1.0 μm or greater | Strukturen von 1,0 μm oder mehr erfordern |
| reset the output to a logic 0 | den Ausgang auf logisch Null zurücksetzen |
| scale by a factor of 0.8 | um einen Faktor von 0,8 skalieren |
| spin films of 0.5 μm thickness | Schichten von 0,5 μm Dicke aufschleudern |
| step the electron beam by 0.5 μm in the x-direction | den Elektronenstrahl schrittweise um 0,5 μm in x-Richtung führen |
| stuck-at-0 and stuck-at-1 faults | Haftfehler |
| sub-0.1 μm periodicity | Gitterkonstante unter 0,1 μm |
| substrate X-Y-0 alignment stage | Substratjustiertisch |
| superposition on a substrate of patterns from several masks to a precision of 0.1 μm | Überdeckung von Strukturen verschiedener Masken auf einem Substrat mit einer Genauigkeit von 0,1 μm |
| thermode dwell time of 0.3 s | Bondzeit von 0,3 s |
| threshold shift of less than 0.1 V | Schwellenspannungsverschiebung von weniger als 0,1 V |
| two-dimensional array of 1s and 0s | Matrix von Einsen und Nullen |
| uncertainty of no more than 0.05 μm | Unsicherheit von höchstens 0,05 μm |
| usable feature size in the 1.0-2.0 micrometre range | nutzbare Elementgröße firn 1- bis 2-μm-Bereich |
| usable feature size in the 1.0-2.0 micrometre range | nutzbare Linienbreite firn 1- bis 2-μm-Bereich |
| usable feature size in the 1.0-2.0 micrometre range | nutzbare Strukturbreite firn 1- bis 2-μm-Bereich |
| vary the rectangular cross section between 0.1 and 12 μm on a side | den rechteckigen Querschnitt des Elekronenstrahls zwischen 0,1 und 12 μm Kantenlänge variieren |
| vector magnitude less than 0.1 micron | Vektorgröße kleiner als 0,1 μm |
