| Ukrainian | English |
| багатоелементний НКВІД із слабкими зв'язками | multiple weak-link squid |
| блок із структурою, що повторюється | block with а repetitive structure (напр. ПЛМ, ПЗП, ЗУПВ, АЛУ або стековий регістр) |
| бокс із захисною атмосферою азоту | controlled nitrogen box |
| біполярний транзистор із заземленим колектором | collector-grounded transistor |
| варактор із структурою метал–діелектрик–напівпровідник | MIS varactor |
| виробництво із застосуванням лазерної технології | laser fabrication |
| високоомний дифузійний резистор із звуженим провідним каналом | pinch resistor |
| включення транзистора по схемі із загальним емітером | common-emitter connection |
| включення транзистора по схемі із загальним колектором | common-collector connection |
| включення транзистора по схемі із загальною базою | common-base connection |
| відпал із захисним покриттям | capping annealing |
| диск із зовнішньою ріжучою кромкою | peripheral blade |
| дискова пила із зовнішньою ріжучою кромкою | peripheral saw |
| друкована плата із задньою монтажною поверхнею | back-wired panel |
| діод, виготовлений із застосуванням молекулярно-пучкової епітаксії | MBE diode |
| діод із структурою типу "органічна сполука на арсеніді галію" | organic-on-GaAs diode |
| діодно-транзисторні логічні схеми із стабілітронами | DLT Zener |
| діодно-транзисторні логічні схеми із стабілітронами | diode-Zener-transistor logic |
| еквівалентна схема із зосередженими параметрами | lumped-element equivalent circuit |
| електронно-променева проекційна літографія із зменшенням зображення | demagnifying electron-beam projection |
| електронно-променева проекційна літографія із зменшенням зображення | demagnifying electron projection |
| електростатичний актюатор із змінною щілиною | variable gap electrostatic actuator |
| елемент із зосередженими параметрами | lumped-circuit element |
| епітаксія із стимульованою міграцією | migration-enhanced epitaxy (атомів на поверхні) |
| з'єднання із землею | grounding connection |
| заготівка з кристала з виводами, вирізана із стрічкового носія з вивідними рамками | flic |
| затвор із замкнутою геометрією | closed-geometry gate |
| зменшення коефіцієнта підсилення по струму в схемі із загальним емітером | beta degradation |
| небажане зміщення кристалів ІС із заданого положення | dice float |
| канальний польовий уніполярний транзистор із зміною концентрації іонів | ion sensitive field effect transistor |
| коефіцієнт передачі емітерного струму транзистора в схемі із загальною базою | collector-to-emitter current gain |
| коефіцієнт передачі емітерного струму транзистора в схемі із загальною базою | common-base forward-current transfer ratio |
| коефіцієнт передачі емітерного струму транзистора в схемі із загальною базою | collector efficiency (альфа, α) |
| коефіцієнт передачі емітерного струму транзистора в схемі із загальною базою | common-base gain |
| коефіцієнт передачі емітерного струму транзистора в схемі із загальною базою | alpha current factor (альфа, α) |
| коефіцієнт підсилення по постійному струму в схемі із загальним емітером | direct-current beta |
| коефіцієнт підсилення по струму в схемі із загальним емітером | common-emitter gain |
| коефіцієнт підсилення по струму в схемі із загальним емітером | collector-to-base current gain |
| коефіцієнт підсилення транзистора по струму в схемі із загальним емітером | common-emitter forward-current transfer ratio |
| коефіцієнт підсилення транзистора по струму в схемі із загальним емітером | beta-current gain factor (бета, β) |
| компонент із стовпчиковими виводами | bumped component |
| компоненти із зосередженими параметрами | lumped componentry |
| контактний друк фотошаблонів із структурами зменшених розмірів | reduced mask printing |
| контейнер для напівпровідникових пластин із стандартним механічним інтерфейсом | SMIF pod (для транспортування пластин в касетах) |
| конфігурація із замкнутою геометрією | closed-geometry configuration |
| кремнієва пластина із закругленими краями | edge-shaped slice |
| кремнієва пластина із закругленими краями | edge slice |
| кристал із стовпчиковими виводами | pedestal chip |
| кристал із стовпчиковими виводами | bumped chip |
| кристалоносій із стовпчиковими виводами | bumped chip carrier |
| логічний елемент із змінним порогом | variable threshold logic gate |
| логічні схеми на польовому транзисторі із ємнісними зв'язками | capacitor-coupled FET logic |
| логічні схеми із змінним порогом | variable-threshold logic |
| логічні схеми із струмовим управлінням | current-steering logic |
| логічні схеми із струмовою інжекцією | current-injection logic |
| матеріал із структурою типу "кремній на діелектриці" | silicon-on-insulator material |
| матеріал із структурою типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire material |
| метод виготовлення приладу із застосуванням одного фотошаблону | single-mask method |
| метод літографії із застосуванням двох резистів | two-layer resist technique |
| метод різання напівпровідникових злитків дисковими пилами із зовнішньою ріжучою кромкою | peripheral sawing technique |
| моделювання на логічному рівні із залученням тризначної логіки | three valued logic simulation (0,1,Х) |
| модифіковані логічні схеми із змінним порогом | modified variable-threshold logic (для логічних схем на переходах Джозефсона) |
| МОН-структура із затворами з монокристалічного і полікристалічного кремнію | single-poly gate MOS |
| МОН-структура із затвором з тугоплавкого металу | refractory MOS |
| МОН-структура із затвором резистора | resistive-gate MOS |
| монтажне обладнання із захоплюючим пристроєм | pick-and-place machine |
| МОН-транзистор із замкнутим затвором | closed-gate MOS transistor |
| мікропроцесор із структурою типу "кремній на сапфірі" | sapphire micro |
| напівпровідник із стехіометричним складом | stoichiometric semiconductor |
| напівпровідник із структурою сфалеріту | zink-blende semiconductor |
| напівпровідникова пластина із змішаного твердого розчину | mixed crystal wafer |
| несправність, пов'язана із сприйнятливістю до наборів даних | pattern sensitive fault (дефект ЗППВ) |
| оновлення інформації із затримкою | delayed updating |
| операційний підсилювач із стабілізацією дрейфу | drift-stabilized operational amplifier |
| пам'ять на ЦМД із струмовою вибіркою | current-access magnetic-bubble memory |
| переходи із слабким зв'язком | weak-link junctions |
| перехід із зенерівським пробоєм | Zener breakdown junction |
| ПЗЗ із затворами, що перекриваються | overlapping-gate CCD |
| плавка перемичка із сплаву титана і вольфраму | titanium-tungsten fuse |
| плазмохімічне осадження з парової фази в електричному полі із змінним градієнтом | gradient field plasma CVD |
| плоский корпус із зигзагоподібно розміщеними стержневими виводами | ZIL package |
| плоский корпус із зигзагоподібно розміщеними стержневими виводами | zigzag-in-line package |
| плівка із структурою метал–діелектрик–метал | metal-insulator-metal film |
| польовий транзистор із замкнутою геометрією | closed-geometry FET |
| польовий транзистор із затвором Шоткі | Schottky-gate FET |
| польовий транзистор із затвором Шоткі | Schottky-diode FET |
| польовий транзистор із затвором Шоткі | Schottky gated transistor |
| польовий транзистор із затвором Шоткі | metal-semiconductor FET |
| польовий транзистор із затвором Шоткі | metal-Schottky FET |
| польовий транзистор із затвором Шоткі | barrier-gate FET |
| польовий транзистор із зміщеним затвором | offset-gate FET |
| польовий транзистор із стуленням | punch-through transistor |
| прилад для опрацювання даних із зовнішнім накопичувачем | file processor |
| прилад із зарядним зв'язком | charge-coupled device |
| прилад із зарядними доменами | charge-domain device (тип ПЗЗ) |
| прилад із зарядовим зв'язком | CCD |
| прилад із зустрічно-гребінчастою структурою | interdigitated device |
| прилад із структурою типу "кремній на діелектриці" | silicon-on-insulator device |
| прилад із структурою типу "кремній на діелектриці" | silicon-on-dielectric device |
| прилад із структурою типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire device |
| прилад із структурою типу "напівпровідник на сапфірі" | semiconductor-on-sapphire |
| програмоване постійне ЗП ППЗП із стиранням інформації | erasable programmable readonly memory |
| проекційна літографія із застосуванням позитивних резистів | positive-resist projection lithography |
| процесор із стековою організацією | stack machine |
| підкладка із структурою типу "кремній на діелектриці" | SOI substrate |
| резистор із захисним скляним покриттям | glass-frit resistor |
| резистор із структурою польового транзистора | field-effect transistor resistor |
| різання диском із зовнішньою ріжучою кромкою | peripheral cutting |
| система із стандартним механічним інтерфейсом | SMIF system |
| спеціалізований склоепоксидний квадратний корпус із стовпчиковими виводами | Minipak |
| спікати із сплавом | to sinter-alloy |
| структура із замкнутою геометрією | closed-geometry configuration |
| структура польового транзистора із затвором в V-подібній канавці | trench-gate structure |
| стрічковий носій із стовпчиковими виводами | bumped tape |
| схема включення транзистора із загальним емітером | common-emitter configuration |
| схема із загальним емітером | common-emitter circuit |
| схема включення транзистора із загальним колектором | common-collector configuration |
| схема із загальним колектором | common-collector circuit |
| схема включення транзистора із загальною базою | common-base configuration |
| схема із загальною базою | common-base circuit |
| схема із зосередженими параметрами | lumped network |
| сітка із змінним кроком | variable grid |
| сітка із змінним кроком | irregular grid |
| термоелектричний охолоджувач із структурою метал–напівпровідник | metal-semiconductor thermoelectric cooler |
| технологія ГІС на діелектричній підкладці із захисним шаром термопласту | semiconductor-thermoplastic-dielectric process |
| технологія КМОН ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | SOS/CMOS process |
| технологія КМОН ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | CMOS-on-sapphire process |
| технологія МОН ІС із затворами з тугоплавкого металу | refractory metal MOS process |
| технологія із застосуванням ексимерного лазера | excimer laser processing |
| технологія ІС із застосуванням однократної дифузії | single-diffused planar technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній в діелектрику" | silicon-in-insulator technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній в сапфірі" | silicon-in-sapphire technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній на діелектрику" | silicon-on-insulator technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | sapphire dielectric isolation process |
| тонка плівка із структурою типу "напівпровідник на діелектриці" | semiconductor-on-insulator thin film |
| топологія із знаковим кодуванням символів | character-based symbolic layout |
| транзистор, включений по схемі із загальним емітером | common-emitter transistor |
| транзистор, включений по схемі із загальним колектором | common-collector transistor |
| транзистор, включений по схемі із загальною базою | common-base transistor |
| транзистор із структурою глибокого діода | deep-diode transistor |
| транзистор із структурою метал–нітрид–оксид–напівпровідник | metal-nitride-oxide-semiconductor transistor |
| транзистор із структурою метал–оксид–напівпровідник | metal-oxide-semiconductor transistor |
| транзистор із структурою типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire transistor |
| транзистор із структурою типу метал–діелектрик–напівпровідник | metal-insulator-semiconductor transistor |
| транзистор із стрічно-гребінчастою емітер ний структурою | interdigitated transistor |
| транзисторні логічні схеми із резистивно-ємнісними зв'язками | resistor-capacitor transistor logic |
| установка для вирізання кристала із стрічкового носія і формування виводів | excising/lead former |
| установка для знежирення із зануренням в рідкий розчинник і в парі розчинника | immersion-vapor degreaser |
| установка проекційної літографії із зменшенням зображення | reduction projection aligner |
| устаткування електронно-променевої літографії із змінним перерізом електронного променя | variable-shaped electron-beam exposure system |
| устаткування електронно-променевої літографії із змінним перерізом електронного променя | shaped-beam e-beam system |
| устаткування електронно-променевої проекційної літографії із зменшенням зображення | reducing electron-beam projection system |
| устаткування електронно-променевої проекційної літографії із зменшенням зображення | reducing electron projection system |
| фотографування із зменшенням зображення | photoreduction |
| фотолітографія із застосуванням сухого плівкового фоторезиста | dry-film photoprocessing |
| фотошаблон з майлару із золотим покриттям | gold-on-mylar photomask |
| фільтр на приладах із зарядними доменами | charge-domain filter (варіант фільтрів на ПЗЗ) |
| інверсний коефіцієнт підсилення по струму в схемі із загальним емітером | inverse beta |
| ІС, виготовлена із застосуванням металізованих фотошаблонів | metal-masked device |
| ІС, виготовлена із застосуванням рентгенівської літографії | X-ray made chip |
| ІС на приладах із зарядними доменами | charge-domain integrated circuit |
| ІС із замовленою розводкою | custom-wired integrated circuit |
| ІС із стандартним ступенем інтеграції | standard-scale integration |
| ІС із струмовим дзеркалом | current mirror integrated circuit |
| ІС із ступенем інтеграції вище надвисокого | super chip |
| ІС із ступенем інтеграції вище надвисокого | super large-scale integration |
| ІС із ступенем інтеграції вище надвисокого | ultralarge-scale integration |
| ІС із ступенем інтеграції вище надвисокого | ultra chip |
| ІС із ступенем інтеграції вище надвисокого | extra large-scale integration |
| ІС із ступенем інтеграції вище надвисокою | ultra-large-scale integrated device |
| ІС із ступенем інтеграції вище надвисокою | hyper chip |
| ІС із ступенем інтеграції 106 елементів | megachip |
| ІС із ступенем інтеграції 106 елементів на кристалі і вище | megascale integrated circuit |
| ІС із ступенем інтеграції 109 елементів і вище | gigascale integration |
| ІС із ступенем інтеграції 106 елементів і вище | megascale integration |
