| Ukrainian | English |
| актюатор, що керується світлом | light driven actuator (Актюатор, який використовує світло як сигнал управління або джерело енергії) |
| алгоритм, що ґрунтується на теорії графів | graph-based algorithm |
| аналіз методом "що-якщо" | "what-if" analysis |
| атоми або молекули газу, що реагують між собою | incident reactants (напр. при осадженні з парової фази) |
| базовий матричний кристал, що програмується шаблоном | mask-programmable array |
| базові комірки, що повторюються | iterative master cells |
| блок із структурою, що повторюється | block with а repetitive structure (напр. ПЛМ, ПЗП, ЗУПВ, АЛУ або стековий регістр) |
| вертикальна сигнальна шина, що проходить через всі шари металізації і створюється для всіх схем | fixed via (конструктивно виконується у вигляді дірки) |
| вузол, що герметизується | molded assembly (переважно пластмасою) |
| ВІС пристрою задання послідовності, що програмується користувачем | field-programmable logic sequencer |
| ВІС, що реалізовує алгоритм Страссена | Strassen algorithm LSI circuit (для перемножування великих чисел) |
| генератор топології матричних ВІС і друкованої плати, що грунтуєтсья на хвильовому алгоритмі | maze router |
| ГІС, що герметизується | encapsulated hybrid |
| ГІС, що герметизується пластмасою | plastic-encapsulated hybrid |
| ГІС, що герметизується пластмасою | plastic-coated hybrid |
| ГІС, що складається з декількох кристалів ІС | monobrid circuit |
| диск з алмазною ріжучою кромкою, що одержана методом електролітичного осадження | electrodeposited diamond blade |
| диск з алмазною ріжучою кромкою, що сформована спіканням | sintered-diamond blade |
| дифракція електронного пучка, що сходиться | convergent beam-electron diffraction |
| доза іонів домішки, що імплантуються | ion-implantation dosage |
| легуюча домішка, що визначає тип електропровідності напівпровідника | modifier |
| домішка, що визначає тип питомої провідності напівпровідника | conductivity-type determining dopant |
| домішка, що визначає тип питомої провідності напівпровідника | conductivity-type-determining impurity |
| домішка, що визначає тип питомої провідності напівпровідника | conductivity determining impurity |
| домішка, що зменшує час життя носіїв | lifetime shortening impurity |
| домішка, що зменшує час життя носіїв | lifetime killing impurity |
| домішка, що зменшує час життя носіїв заряду | carrier killer |
| домішка, що наноситься на поверхню напівпровідника | spin-on impurity |
| домішка, що наноситься на поверхню напівпровідника | spin-on dopant |
| домішка, що створює вільні носії | free carrier impurity |
| домішка, що створює глибокий енергетичний рівень | deep-lying impurity |
| домішка, що створює глибокий енергетичний рівень | deep-level impurity |
| домішка, що створює мілкий енергетичний рівень | shallow-lying impurity |
| домішка, що створює мілкий енергетичний рівень | shallow-level impurity |
| домішка, що створює пастки | trap impurity |
| діелектрична плівка, що розділяє провідні шари | interlayer dielectric film layer |
| електрод затвора МОН-транзистора, що працює в режимі збагачення | enhancement-mode-gate electrode |
| електрод затвора МОН-транзистора, що працює в режимі збіднення | depletion-mode gate electrode |
| електрон, що випускається ежектований | emitted electron |
| електрон, що випускається ежектований | ejected electron |
| електрон, що інжектується | injected electron |
| елемент, що визначає роздільну здатність | resolution element (напр. зображення) |
| ЕОМ, що здійснює обчислення з розділенням задач на підзадачі | divide-and-conquer computer |
| ерозія поверхні, що викликається іонами | ion erosion |
| етап проектування, що включає створення математичного забезпечення | software engineering phase (для ІС) |
| затримка, що використовується для верифікації ІС з урахуванням різниці тривалостей імпульсів | asymmetric delay |
| зв'язуючий контролер, що працює з декількома протоколами | multiprotocol communications controller |
| здатність витримувати дії, що періодично повторюються | cyclability (напр. перемикання) |
| клас приладів напр. компоненти схеми, що згруповані за близькістю фізичних характеристик | placement class |
| компонент з параметрами, що виходять за межі допуску | out-of-tolerance component |
| компонент, що випускається малими партіями | low-volume part |
| компонент, що герметизується | potted component |
| компонент, що герметизується | encapsulated component |
| компілятор, що проектує на пластині | chip compiler |
| корпус НВЧ ІС, що забезпечує узгодження повних опорів | controlled impedance package |
| кремній з легуванням, що компенсується | counterdoped silicon |
| кристал, що програмується користувачем | factory-programmable chip |
| кристал, що складається з двох або більше напівпровідникових матеріалів | heterogeneous chip |
| кристалоносій з кристалом, що герметизований після монтажу на платі | post molded chip carrier |
| кільце, що забезпечує площинну | planarization ring (напр. для посадки кристала ІС) |
| лазер, що генерує в безперервному режимі | continuous-wave CW laser |
| лазер, що працює в далекій УФ-області | far-UV laser |
| легування домішкою, що зменшує час життя неосновних носіїв заряду | lifetime-killer doping |
| легування методом міграції крапель розплаву, що містить домішку | droplet-migration doping |
| логічна матриця, що програмується користувачем | field-programmable gate array |
| логічна ІС, що програмується користувачем | field-programmable logic integrated circuit |
| логічна ІС, що спеціалізується користувачем | AS logic |
| логічний такий, що усувається ризик збою | logic hazard |
| лінія, що не має постійних несправностей | normal line (при генерації тестів) |
| маска, що не травиться | nonerodible mask |
| маска, що перешкоджає оксидуванню | oxidation mask |
| матеріал, що визначає тип питомої провідності | conductivity-type imparting material |
| матриця з надличковим числом елементів, що не перекриваються | nonoverlapping redundant array |
| матриця, що складається з комірок різних типів | polycell array (напр. ТТЛ-і ЕЗЛ-комірок) |
| матрична ІС, що програмується шаблоном | mask-programmable array |
| метод базових комірок, що повторюються | iterative-cell approach |
| мова програмування логічних схем, що забезпечують синхронізацію і задання послідовності операцій | logic, timing, sequencing language |
| мова, що саморозширюється | self-extending language |
| модель щілини, що складається з двох балок з електростатичною щілиною | gap model |
| молекулярно-пучкова епітаксія, що переривається | "stop-and-go" MBE growth |
| МОН-транзистор, що працює в режимі збагачення | enhancement-mode MOS transistor |
| МОН-транзистор, що працює в режимі збагачення | enhancement MOS transistor |
| МОН-транзистор, що працює в режимі збагачення | enhancement MOS |
| МОН-транзистор, що працює в режимі збіднення | depletion MOS transistor |
| МОН-транзистор, що працює в режимі збіднення | depletion-mode MOS transistor |
| МОН-транзистор, що працює в режимі збіднення | depletion MOS |
| мікрофотографія, одержана за допомогою електронного мікроскопа, що просвічує | transmission electron micrograph |
| напруга, що викликає інверсію електричного поля | field-inversion voltage |
| напівпровідник, що компенсується | compensated semiconductor |
| напівпровідникова пластина з інтегральними структурами, що мають стовпчикові виводи | bumped wafer |
| напівпровідникова пластина, що розділяється на кристали методом травлення | etch-separated wafer |
| несправність, що виявляється як збій | hazardously detectable fault |
| несправність, що перевіряється за допомогою тесту | detectable fault |
| носій заряду, що генерується світлом | photogenerated charge carrier |
| обробка, що не вносить радіаційних дефектів | radiation-free processing |
| оксид, що заповнює дрібні канавки | shallow oxide |
| оксид, що заповнює дрібні канавки | semirecessed oxide |
| оксид, що заповнює канавки | recessed oxide |
| оксид, що зменшує механічну напругу | stress-relief oxide |
| оксидування, що самоприпиняється | self-terminating oxidation |
| операція, що проводиться в жовтій кімнаті | yellow room's step |
| осадження, що стимулюється випромінюванням ексимерного лазера | excimer-induced deposition |
| панель, що вільно вставляється | zero insertion force socket |
| параметр, що коректуєтсья | fitting parameter |
| перевернений кристал, змонтований за допомогою композиції, що не містить золото | nongold backed chip |
| переміщаюча структура ЦМД на дисках, що дотикаються | contiguous-disk propagating structure |
| перехід з носіями, що мають великий час життя | long-lifetime junction |
| перехід з носіями, що мають малий час життя | low-lifetime junction |
| перехід, що інжектує носії заряду | injector junction |
| ПЗЗ із затворами, що перекриваються | overlapping-gate CCD |
| пластина, що розділяється на кристали методом розпилювання | saw-scribed wafer |
| пластмаса з поліметилметакрилату фоторезист з ізоляційними властивостями, що використовується для шаблонів МЕМС | polymethylmethacrylate |
| плоскопаралельність напівпровідникової пластини, що вимірюється прогинанням поверхні з кутом, рівним 4 с | 4 sec arc parallelism |
| плівка, що знімається | release film |
| плівка, що служить підкладкою | substrate film |
| поверхня, що має шорсткість порядку одного атомного шару | atomically rough surface |
| польовий транзистор з ізольованим затвором, що працює в режимі збагачення | enhancement-type IGFET |
| польовий транзистор з ізольованим затвором, що працює в режимі збіднення | depletion-type IGFET |
| польовий транзистор, що працює в режимі збагачення | enhancement-mode FET |
| польовий транзистор, що працює в режимі збагачення | normally-off FET |
| польовий транзистор, що працює в режимі збагачення | enhancement FET |
| польовий транзистор, що працює в режимі збіднення | depletion-mode FET |
| польовий транзистор, що працює в режимі збіднення | normally-on FET |
| польовий транзистор, що працює в режимі збіднення | depletion FET |
| похила іонна імплантація в підкладку, що обертається | oblique-rotating implantation |
| прилад для вимірювання профілю поверхні, що самовстановлюється | self-leveling profiler |
| прилад, що працює в режимі збагачення | enchancement-mode device |
| прилад, що працює в режимі збагачення | enchancement device |
| прилад, що працює в режимі збіднення | depletion-mode device |
| прилад, що працює в режимі збіднення | depletion device |
| прилад, що пройшов вибіркові випробування | screened unit |
| прилади, що відмовили | fallouts |
| принципові електричні схеми, що представляються замовником | custom-supplied schematics |
| програма синтезу тестів по моделі ВІС, що містить логічні елементи | gate test generator |
| програма синтезу тестів по моделі ВІС, що містить макрокомірки | macroblock test generator (на відміну від вентильної моделі) |
| просуваюча структура ЦМД на дисках, що дотикаються | contiguous-disk propagating structure |
| процес, що проводиться при низькому тиску газоподібного середовища | low-pressure process |
| однокристальний процесор, що припиняє роботу при появі помилки | fail-stop VLSI processor |
| підхід, що ґрунтується на аналізі шляхів | path-oriented approach (в ІС) |
| піроліз речовини, що розпилюється | spray pyrolysis |
| реактивне осадження з парової фази, що стимулює НВЧ-плазмою | microwave plasma reactive vapor deposition |
| резервування з відключенням елементу, що відмовив | passive paralleling |
| резист, що самопроявляється | self-developing resist |
| резист, що усувається лужним розчином | alkaline strippable resist |
| речовина, що служить для формування шару кремнію | Si-yielding precursor |
| речовини, що утворюються при електричному розряді | discharge products |
| розмір дефекту, що викликає катастрофічну відмову приладу | fatal defect size |
| розмір кристала, що забезпечує високий відсоток виходу годних | yieldable chip size |
| розмір, що характеризує прилад | feature size (напр. довжина каналу в польовому транзисторі) |
| розчин миш'яку, що наноситься на поверхню напівпровідника | arsenic spin-on solution (для дифузії) |
| САПР, що самодокументується | self-documenting CAD system |
| сигнал, що сповіщає про вихід каналу з ладу | line-out-of-service signal |
| система, що самовідновлюється | self-repair system |
| система, що складається з багатьох областей | multidomain system (доменів) |
| спеціалізована ІС, що випускається великими партіями | high-volume special |
| спеціалізована ІС, що випускається малими партіями | low-volume special |
| структура з оксидним шаром, що заповнює дрібні мілкі канавки | semi-ROX structure |
| структура з профілем розподілу домішки, що плавно змінюється | graded structure (плавнозмінним розподілом) |
| схема вбудованого контролю, що самопереревіряється | self-checking checking |
| схема переміщення ЦМД на дисках, що дотикаються | contiguous-disk propagating structure |
| схема просування ЦМД на дисках, що дотикаються | contiguous-disk propagating structure |
| такий, що вийшов з ладу | invalid |
| такий, що керується ЕОМ | computer-controlled |
| такий, що працює в режимі збагачення | normally turned-on (про польовий транзистор) |
| такий, що працює в режимі збагачення | enhancement-type |
| такий, що працює в режимі збіднення | normally turned-off (про польовий транзистор) |
| такий, що працює в режимі збіднення | depletion-type |
| такий, що працює за програмою, яка зберігається у внутрішній пам'яті | internally programmed |
| такий, що програмуєтсья користувачем | field-programmable |
| термінал, що вводить посимвольно | character-at-а-time terminal |
| тест ЗП типу нуль, що "біжить" | Sliding-ZERO test |
| тест ЗП типу одиниця, що "біжить" | sliding-ONE test |
| тестова структура, що визначає якість напівпровідникової пластини | wafer acceptance test structure |
| тестування методом ядра, що розширяється | start-small testing |
| технологія, що працює з матеріалами мікрометрових розмірів | microtechnology |
| топологія, що розробляється по координатній сітці з фіксованим кроком | fixed-grid layout |
| точка переривання, що керується логічним виразом | assertion-driven breakpoint |
| точковий прокол, що виник при технологічній обробці | processing-induced pinhole |
| травлення в плазмі, що супроводжуєтсья іонним бомбардуванням | ion-assisted plasma etching (1–100 мТор) |
| травлення, що забезпечує отримання рівних гострих країв | sharp etching (напр. вікон в масці) |
| травлення, що стимулюється електронним променем | electron-beam induced etching |
| файл системи моделювання, що містить відомості про входи, виходи і стан елемента або вузла | input-state-output file |
| файл, що пред'являється | brought-forward file |
| формувач на польових транзисторах, що працюють в режимі збагачення | enhancement-mode driver |
| формувач на польових транзисторах, що працюють в режимі збіднення | depletion-mode driver |
| фоторезист, що забезпечує високий допуск | fine-featured resist material |
| фоторезист, що забезпечує низький допуск | coarse-featured resist material |
| фоторезист, що полімеризується | polymerized photoresist |
| фотошаблон для формування сполучної металізації тим, що травлення | metallization etching mask |
| функція що виключаюче АБО | exclusive OR function |
| функція що виключаюче АБО | EITHER-OR function |
| фільтр з конденсаторами, що перемикаються | switched-capacitor filter |
| хімічне осадження з парової фази, що стимулюється випромінюванням ексимерного лазера | excimer-laser-induced CVD |
| хімія реакцій на поверхні, що стимулюються іонним пучком | ion-beam induced surface chemistry |
| чинник, що впливає на відсоток виходу годних | yield factor |
| шар оксиду, що забезпечує тунелювання електронів | tunnel oxide |
| шар фоторезисту, що перешкоджає забрудненню поверхні | anticontamination photoresist |
| шар, що збагатив | accumulation layer |
| шар, що перешкоджає дифузії | diffusion-impervious layer |
| шар, що перешкоджає оксидуванню | oxidation barrier (напр. маскуючий шар) |
| шар, що перешкоджає оксидуванню | oxidation-barrier film (напр. маскуючий шар) |
| шар, що перешкоджає оксидуванню | oxide-inhibiting layer |
| шар, що перешкоджає оксидуванню | anti-oxidation layer (напр. маскуючий шар) |
| шар, що перешкоджає травленню | stopping layer |
| шар, що служить підкладкою | substrate layer |
| шлак, що утворився при лазерному скрайбуванні | laser scribing slag (напівпровідникової пластини) |
| шліфувальний верстат з абразивними кругами, що обертаються | rotary surface grinder |
| імпульсний лазер, що працює в далекій УФ-області | pulsed far-ultraviolet laser |
| інертний газ, що зазвичай використовується в системах осадження | argon |
| ІС з переходами, що герметизуються | sealed-junction integrated circuit (в ІС з балковими виводами) |
| ІС на приладах, що працюють в режимі збагачення | enchancement-mode integrated circuit |
| ІС на приладах, що працюють в режимі збіднення | depletion-mode integrated circuit |
| ІС пам'яті, що спеціалізується користувачем | AS memory |
| ІС, що герметизується пластмасою | plastic encapsulated integrated circuit |
| ІС, що програмується користувачем | user specified integrated circuit |
| ІС, що програмується плавкими перемичками | fuse-programmable chip |
| ІС, що програмується шаблонами | mask-programmable integration |
| ІС інвертування на МОН-транзисторах, що працюють в режимах збагачення і збіднення | enhancement/depletion MOS inverter |
