| Ukrainian | English |
| адаптивне управління по еталонній моделі | model reference adaptive control |
| будувати графік по координатах | plot |
| визначення розташування блоків по фотошаблонах | mask-level definition |
| вирощування монокристалів методом витягання по горизонталі | lateral pulling |
| висота пристрою по відношенню до глибини в межах даної площини | aspect ratio vertical (Для оцінки якості глибинного травлення важливим параметром є відношення глибини травлення до величини відхилення стінки від вертикалі) |
| витік по поверхні діелектрика | creepage |
| включення транзистора по схемі із загальним емітером | common-emitter connection |
| включення транзистора по схемі із загальним колектором | common-collector connection |
| включення транзистора по схемі із загальною базою | common-base connection |
| втрати по постійному струму | direct-current leakage |
| вітки елементів навантажень по виходу | fanout branches |
| дифузія по вакансіях | substitutional diffusion |
| дифузія по вакантних вузлах | substitutional diffusion |
| дифузія по міжвузлах | interstitial diffusion |
| довідковий посібник по мовах програмування | language reference manual |
| допуск по параметру | parameter tolerance |
| допустиме навантаження по струму | current-carrying capacity |
| допустиме навантаження по струму | current-handling capability |
| допустиме навантаження по струму | current capability |
| діаграма розподілу параметра по діаметру напівпровідникової пластини | parameter wafer map |
| експонування по всьому полю | flood exposure (напівпровідникової пластини) |
| запас по посиленню | gain margin |
| запас стійкості по фазі | phase margin |
| затримка сигналу по шляху проходження | path delay |
| злам по області спайності | cleavage fracture |
| зменшення коефіцієнта підсилення по струму в схемі із загальним емітером | beta degradation |
| зміна властивостей матеріалу по діаметру напівпровідникової пластини | across-wafer variation |
| класифікатор напівпровідникових пластин по товщині і питомому опору | thickness/resistivity sorter |
| класифікація кристалів по декількох групах | multigrade die sorting |
| коефіцієнт об'єднання по входу | number fan-in |
| коефіцієнт об'єднання по входу | fan-in |
| коефіцієнт підсилення по напрузі | voltage gain |
| коефіцієнт підсилення по напрузі | voltage amplification factor |
| коефіцієнт підсилення по постійному струму в схемі із загальним емітером | direct-current beta |
| коефіцієнт підсилення по потужності | power gain |
| коефіцієнт підсилення по потужності | power amplification factor |
| коефіцієнт підсилення по струму | current gain |
| коефіцієнт підсилення по струму | current amplification factor |
| коефіцієнт підсилення по струму в схемі із загальним емітером | common-emitter gain |
| коефіцієнт підсилення по струму в схемі із загальним емітером | collector-to-base current gain |
| коефіцієнт підсилення транзистора по струму в схемі із загальним емітером | common-emitter forward-current transfer ratio |
| коефіцієнт підсилення транзистора по струму в схемі із загальним емітером | beta-current gain factor (бета, β) |
| коефіцієнт розгалуження по виходу | fan-out capability |
| коефіцієнт розгалуження по виходу | fan-out rule |
| коефіцієнт розгалуження по виходу | number fan-out |
| коефіцієнт розгалуження по виходу | fan-out |
| контроль процесу по сигналу віддзеркалення | reflectivity monitoring |
| кристал, вирощений по методу Чохральського | Czochralski grown ingot |
| кристал з ограновуванням по площинах спайності | cleavage crystal |
| логічний елемент з можливістю розширення по входах | expandable gate |
| літографія по всьому полю пластини | wafer lithography |
| літографія по всьому полю пластини | full-wafer lithography |
| метод суміщення по трьох точках | 3 points alignment mode |
| моделювання по наступній критичній події | next critical event simulation |
| модуляція бази по ширині | base-width modulation |
| модуляція бази по ширині | base-thickness modulation |
| модуляція каналу по довжині | channel-length modulation |
| монтаж з'єднань по трасах | path-routed wiring |
| Міжнародна конференція по електронних приладах | International Electron Devices Meeting |
| неоднорідність кристалів, розташованих по периферії і в центральній частині напівпровідникової пластини | wafer gradient |
| організація по схемі регістр зв'язку—накопичувальні регістри | major-minor loop organization (в ЗП на ЦМД) |
| оцінка надійності по критерію придатності | go/no-go evaluation |
| пам'ять з довільною адресною вибіркою по рядках | line-addressable random-access memory |
| перевірка по критерію значущості | significance test |
| поведінка по виходу | output behavior |
| поведінка по входу-виходу | external behavior |
| повний розкид по товщині | total thickness variation |
| повні можливості виробництва по виготовленню напівпровідникових пластин | foundry |
| короткий посібник по збірці | assembly primer (напр. ІС) |
| пошук по всьому тексту | full text retrieval |
| програма синтезу тестів по моделі ВІС, що містить логічні елементи | gate test generator |
| програма синтезу тестів по моделі ВІС, що містить макрокомірки | macroblock test generator (на відміну від вентильної моделі) |
| профіль розподілу домішки по Гаусу | Gaussian impurity profile |
| профіль розподілу легуючої домішки по глибині | depth profile |
| пучок з інтенсивністю, розподіленою по перерізу за законом Гауса | Gaussian beam |
| підсилення по напрузі | voltage gain |
| підсилення по потужності | power gain |
| підсилення по струму | current multiplication |
| підсилення по струму | current gain |
| радіаційна стійкість по відношенню до a-випромінювання | alpha immunity |
| регулювання по вертикальній осі | Z-axis control |
| регулювання по осі Z | Z-axis control |
| резист для літографії по металевих плівках | metal etch resist |
| розбракування кристалів по декількох групах | multigrade die sorting |
| розбракування ІС по електричних параметрах | electrical sorting |
| розводка по трасах | path-routed wiring |
| розламування ламання скрайбованої пластини по рисках аналогічно плитці шоколаду | chocolate breaking |
| розподіл напівпровідникових пластин по технологічних операціях з використанням ЕОМ | computerized wafer routing |
| розподіл домішки по глибині | depth distribution |
| розподіл по швидкостях | velocity distribution |
| розподіл фоторезиста по напівпровідниковій пластині методом центрифугування | spin |
| розподіляти фоторезист по напівпровідниковій пластині методом центрифугування | to spin |
| розпізнавання напр. дефектів кристалів по точці фарбника | ink dot recognition |
| розширювач по входу і виходу | input/output expander |
| система проведення дифузії по методу відкритої труби | open-tube system |
| система проведення дифузії і оксидування по методу закритої труби | closed-tube oxidation-diffusion system |
| сортування з рахунком лічбою по порівнянню | comparison counting sort |
| сортування з рахунком лічбою по розміщенню | distribution counting sort |
| сортування кристалів по декількох групах | multigrade die sorting |
| сумісність корпусів по кроку виводів | pin compatibility |
| суміщення по всьому полю напівпровідникової пластини | global wafer alignment |
| суміщення по всьому полю напівпровідникової пластини | full-wafer alignment |
| суміщення по периферійних осях | off-axis alignment |
| схема, розроблена по одному з методів структурного проектування контролепридатних пристроїв | scan design circuit |
| топологія, що розробляється по координатній сітці з фіксованим кроком | fixed-grid layout |
| транзистор, включений по схемі із загальним емітером | common-emitter transistor |
| транзистор, включений по схемі із загальним колектором | common-collector transistor |
| транзистор, включений по схемі із загальною базою | common-base transistor |
| трасування по сітці | ON grid routing |
| установка літографії по всій поверхні пластини | wafer aligner |
| установка суміщення і експонування по всьому полю напівпровідникової пластини | full-field mask aligner |
| фотолітографія по всьому полю | shadow printing (напівпровідникової пластини) |
| центрифуга для розподілу фоторезиста по напівпровідниковій пластині | photoresist spinner |
| частота одиничного коефіцієнта підсилення по струму | unity current gain frequency |
| чутливість по поперечній осі | cross-axis sensitivity |
| швидкість сканування по довжині хвилі | wavelength scanning speed |
| інверсний коефіцієнт підсилення по струму | inverse gain |
| інверсний коефіцієнт підсилення по струму в схемі із загальним емітером | inverse beta |
| ІС, виготовлена по ЭПИК-технології | epitaxial passivated integrated circuit |
