| Ukrainian | English |
| активація іонізація легуючої домішки | impurity activation |
| активація іонізація легуючої домішки | dopant activation |
| акцепторна домішка | p-type dopant |
| акцепторна домішка | acceptor material |
| акцепторна домішка | acceptor dopant |
| акцепторна домішка | p-type impurity |
| акцепторна домішка | acceptor |
| атом легуючої домішки | dopant atom |
| атомна домішка | atomic impurity |
| введення легуючої домішки | impurity-dopant incorporation |
| вертикальне введення легуючої домішки | depth placement |
| взаємна дифузія легуючої домішки | dopant interdiffusion |
| взаємодія домішки і дефекту | impurity-defect interaction |
| виділення домішки | impurity liberation (напр. з підкладки при нагріванні) |
| витіснення домішки | rejection impurity |
| властивість легуючої домішки | doping property |
| відношення концентрацій домішок | doping ratio |
| відношення концентрацій домішок | concentration ratio |
| газоподібна домішка | impurity gas |
| газоподібна домішка | dopant gas |
| гетерування домішки | dopant gettering |
| горизонтальне введення легуючої домішки | lateral placement |
| градієнт розподілу легуючої домішки | impurity gradient |
| градієнт розподілу легуючої домішки | dopant gradient |
| градієнт розподілу домішки при дифузії | diffusion gradient |
| деформація кристалічних граток, викликана дифузією домішки | diffusion-induced strain |
| джерело легуючої домішки | dopant source |
| тверде джерело домішки | dopant host |
| дифузія акцепторної домішки | p-type diffusion |
| дифузія донорної домішки | n-type diffusion |
| дифундуюча домішка | diffuser |
| дифундуюча домішка | diffusant |
| добуток концентрації легуючої домішки на товщину шару | impurity concentration-thickness product |
| доза іонів домішки, що імплантуються | ion-implantation dosage |
| домішка в базовій області | base impurity |
| домішка в емітерній області | emitter impurity |
| домішка вбудовування | interstitial impurity |
| домішка елемента V групи | group V impurity |
| домішка для кремнію | silicon dopant |
| домішка для формування прихованого шару колектора | buried-collector dopant |
| домішка для формування обмежувачів каналу | channel-stop impurity |
| домішка для формування ізолюючої області | isolation dopant (ІС) |
| домішка, нанесена на поверхню напівпровідника | spun-on dopant |
| легуюча домішка, що визначає тип електропровідності напівпровідника | modifier |
| домішка, що визначає тип питомої провідності напівпровідника | conductivity-type determining dopant |
| домішка, що визначає тип питомої провідності напівпровідника | conductivity-type-determining impurity |
| домішка, що визначає тип питомої провідності напівпровідника | conductivity determining impurity |
| домішка, що зменшує час життя носіїв | lifetime shortening impurity |
| домішка, що зменшує час життя носіїв | lifetime killing impurity |
| домішка, що зменшує час життя носіїв заряду | carrier killer |
| домішка, що наноситься на поверхню напівпровідника | spin-on impurity |
| домішка, що наноситься на поверхню напівпровідника | spin-on dopant |
| домішка, що створює вільні носії | free carrier impurity |
| домішка, що створює глибокий енергетичний рівень | deep-lying impurity |
| домішка, що створює глибокий енергетичний рівень | deep-level impurity |
| домішка, що створює мілкий енергетичний рівень | shallow-lying impurity |
| домішка, що створює мілкий енергетичний рівень | shallow-level impurity |
| домішка, що створює пастки | trap impurity |
| домішки у воді | molds |
| донорна домішка | donor dopant |
| донорна домішка | n-type dopant |
| донорна домішка | n-type impurity |
| донорна домішка | donor |
| експоненціальний плавний розподіл домішки | exponential grading |
| енергія активації домішки | impurity activation energy |
| енергія іонізації домішки | impurity ionization energy |
| заганяння іонів домішки | predep implantation (перша стадія в двохстадійній іонній імплантації) |
| заганяти домішку | predeposit |
| загонка домішки | infusion (перша стадія двохстадійної дифузії) |
| загонка домішки | predeposition diffusion (перша стадія двохстадійної дифузії) |
| загонка домішки | spin-on (перша стадія двохстадійного процесу дифузії) |
| загонка домішки | predeposition (перша стадія двохстадійної дифузії) |
| загонка домішки | predeposit step (перша стадія двохстадійної дифузії) |
| загонка домішки | predeposit (перша стадія двохстадійної дифузії) |
| загонка домішки | dopant predeposition |
| канал з гаусівським розподілом легуючої домішки | Gaussian-doped channel |
| компенсація легуючою домішкою | doping compensation |
| компенсуюча домішка | compensating impurity |
| комплекс атом домішки–вакансія | impurity-vacancy complex |
| контроль за розподілом домішки | impurity control (в напівпровіднику) |
| контрольований профіль розподілу домішки | tailored doping profile |
| концентрація легуючої домішки | doping concentration |
| концентрація легуючої домішки | dopant concentration |
| концентрація легуючої домішки емітерної області | emitter impurity concentration |
| концентрація імплантованих іонів домішки | dosage concentration |
| концентрація іонізованих атомів домішки | ionized-impurity concentration |
| легований акцепторною домішкою | p-doped |
| легований донорною домішкою | n-doped |
| легований компенсуючою домішкою | counterdoped |
| легування домішкою з розчину | solute doping |
| легування домішкою, що зменшує час життя неосновних носіїв заряду | lifetime-killer doping |
| легування методом міграції крапель розплаву, що містить домішку | droplet-migration doping |
| легування початковою вихідною домішкою | predoping |
| легуюча домішка | doping impurity |
| легуюча домішка | dopant impurity |
| легуюча домішка | dope additive |
| легуюча домішка | conductivity-type imparting material |
| легуючі домішки | dopant species |
| металева домішка | metal contamination |
| метод дифузії з розчину домішки | solute-diffusion technique |
| метод легування донорною домішкою | n-type doping technique |
| молекулярна домішка | molecular impurity |
| мігруюча домішка | migrating impurity |
| мікросліди домішки | ultratrace impurity |
| небажана домішка | contaminating impurity |
| небажана домішка | impurity |
| необмежене джерело домішки | infinite source |
| неоднорідний розподіл домішки у вигляді смуг при вирощуванні злитків | impurity banding |
| неоднорідність розподілу домішки | dopant inhomogeneity |
| об'ємна концентрація домішки | bulk impurity concentration |
| область з нерівномірним розподілом домішки | graded region |
| обмежене джерело домішки | planar source |
| отравляюча домішка | killer |
| пара домішка вбудовування–вакансія | interstitial-vacancy pair |
| пара домішка вбудовування–вакансія | Frenkel pair |
| пара легуючої домішки | impurity vapor |
| парогазо подібна легуюча домішка | impurity vapor |
| плавно змінна концентрація домішки | graded impurity concentration |
| плоске джерело домішки | planar dopant host |
| повна концентрація легуючої домішки | net doping density |
| поляризована домішка | polarized impurity |
| попереднє осадження домішки | dopant predeposition |
| прилад для визначення складу домішок в напівпровідниках | semiconductor impurity analyzer |
| профіль розподілу акцепторної домішки | p profile |
| профіль розподілу домішки в горизонтальному напрямі | lateral doping profile |
| профіль розподілу домішки по Гаусу | Gaussian impurity profile |
| профіль розподілу домішки при іонній імплантації | ion-implantation profile |
| профіль розподілу домішки у вертикальному напрямі | vertical doping profile |
| профіль розподілу донорної домішки | n profile |
| профіль розподілу легуючої домішки | doping profile |
| профіль розподілу легуючої домішки | impurity profile |
| профіль розподілу легуючої домішки | dopant profile |
| профіль розподілу легуючої домішки по глибині | depth profile |
| пучок іонів домішки | impurity-ion beam |
| піч для випаровування джерела домішки | source oven |
| рельєф розподілу домішки | dopant pattern |
| розгін домішки | drive-in diffusion step (друга стадія двохстадійної дифузії) |
| розгін домішки | post-diffusion (друга стадія двохстадійної дифузії) |
| розгін домішки | drive-in diffusion (друга стадія двохстадійної дифузії) |
| розгін домішки | dopant up-diffusion (друга стадія двохстадійної дифузії) |
| розгін домішки | drive-in (друга стадія двохстадійної дифузії) |
| розгін домішки | diffusion drive-in |
| розгін домішки для формування базової області | base drive-in |
| розподіл легуючої домішки | doping distribution |
| розподіл легуючої домішки | impurity distribution |
| розподіл легуючої домішки | dopant distribution |
| розсіювання електронів на іонізованних домішках | ionized impurity scattering |
| розігнати домішку | drive-in |
| розігнати домішку | drive |
| рівномірність розподілу легуючої домішки | doping uniformity |
| сегрегація домішки | impurity segregation |
| система легуючих домішок | dopant system |
| спомпенсована домішка | compensated impurity |
| стехіометрична домішка | stoichiometric impurity |
| структура з профілем розподілу домішки, що плавно змінюється | graded structure (плавнозмінним розподілом) |
| структура з розподілом домішки у вигляді δ-функції | delta-type doping structure |
| тверде джерело домішки | solid source |
| тензодатчик, який використовує п'єзорезистивний ефект, дифундуючи домішку в кремнієву підкладку | diffusion gage |
| тензодатчик, який використовує тензорезистивний ефект, дифундуючи домішку в кремнієву підкладку | diffusion gage |
| тип легуючої домішки | impurity type |
| тип легуючої домішки | doping type |
| устаткування для нанесення легуючої домішки на поверхню напівпровідника | spin-on dopant coater |
| фонова домішка | background impurity |
| фонова концентрація домішки | background impurity concentration (напр. в напівпровідниковій пластині) |
| цикл розгону домішки | drive-in cycle |
| час розгону домішки | drive time |
| шар джерела домішки | source layer |
| напівпровідниковий шар з гауссівським розподілом легуючої домішки | Gaussian-doped layer |
| шар, легований акцепторною домішкою | acceptor layer |
| імплантація іонів акцепторної домішки | p-type ion implantation |
| імплантація іонів донорної домішки | n-type ion implantation |
| імплантація іонів однієї домішки | single-ion implantation |
| імплантована домішка | implanted impurity |
| імплантувати іони домішки | implant |
| іон акцепторної домішки | p-type impurity ion |
| іон акцепторної домішки | acceptor-impurity ion |
| іон акцепторної домішки | acceptor ion |
| іон донорної домішки | n-type impurity ion |
| іон донорної домішці | donor-impurity ion |
| іон донорної домішці | donor ion |
| іон легуючої домішки | doping ion |
| іон легуючої домішки | dopant ion |
| іонна імплантація двох домішок | double-ion implantation |
| іонно-імплантована домішка | ion implanted impurity |
| іонно-імплантована домішка | ion-implanted dopant |
| іонно-імплантована домішка | implant |
| іонно-імплантована компенсуюча домішка | compensation implant |
