German | Russian |
n-Ge-p-GaAs-Hetero-pn-Übergang | гетеропереход со структурой n-Ge-p-GaAs |
NH4H2P04 | дигидрофосфат аммония |
P2CMOS | П2КМОП-структура |
P2CMOS | П2КМОП-технология |
P2CMOS | КМОП-структура с двумя уровнями поли кристаллического кремния |
parts per billion | частей на миллиард (единица измерения малых концентраций; 1 ppb-10-7 %) |
parts per billion | частей на миллиард |
parts per million | частей на миллион (единица измерения малых концентраций; 1 ppm-10-4 %) |
parts per million | частей на миллион |
parts per trillion | частей на триллион (единица измерения малых концентраций; 1 ppt-10-10 %) |
parts per trillion | частей на триллион |
PEM-Effekt | фотомагнитоэлектрический эффект |
units per hour | изделий в час (единица производительности технологического оборудования) |
units per hour | штук в час (единица производительности технологического оборудования) |
units per hour | изделий в час |
units per hour | штук в час |