| Subject | German | Russian |
| microel. | integrierte p-Kanal-MOS-Schaltung | p-канальная интегральная МОП-схема |
| microel. | integrierter p-Kanal-MOS-Schaltkreis | p-канальная интегральная МОП-схема |
| microel. | MOS-p-Kanal-Netzwerk | схема на р-канальных МОП-транзисторах |
| microel. | MOS-p-Kanal-Netzwerk | ИС на р-канальных МОП-транзисторах |
| el. | p-Kanal | канал с проводимостью p-типа |
| el. | p-Kanal | p-канал |
| microel. | p-Kanal | р-канал |
| microel. | p-Kanal | канал с проводимостью р-типа |
| comp. | p-Kanal-Aluminiumgate-MOS-Technologie | p-канальные МОП-схемы с алюминиевыми затворами |
| microel. | p-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie | технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| microel. | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET | МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения |
| microel. | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения |
| el. | p-Kanal-Anreicherungs-MOSfET | МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения |
| microel. | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET | МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения |
| microel. | p-Kanal-Anreicherungstransistor | МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения |
| microel. | p-Kanal-Anreicherungstransistor | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения |
| microel. | p-Kanal-Anreicherungstyp | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения |
| el. | p-Kanal-Feldeffekttransistor | полевой транзистор с каналом p-типа |
| el. | p-Kanal-Feldeffekttransistor | p-канальный полевой транзистор |
| microel. | p-Kanal-Feldeffekttransistor | р-канальный полевой транзистор |
| microel. | p-Kanal-Feldeffekttransistor | полевой транзистор с каналом р-типа |
| microel. | p-Kanal-FET | p-канальный полевой транзистор |
| microel. | p-Kanal-FET | полевой транзистор с каналом p-типа |
| microel. | p-Kanal-FET | р-канальный полевой транзистор |
| microel. | p-Kanal-FET | полевой транзистор с каналом р-типа |
| microel. | p-Kanal-Isolierschicht-FET | МДП-транзистор с каналом p-типа |
| microel. | p-Kanal-Isolierschicht-FET | p-канальный МДП-транзистор |
| microel. | p-Kanal-Isolierschicht-FET | р-канальный МДП-транзистор |
| microel. | p-Kanal-Isolierschicht-FET | МДП-транзистор с каналом р-типа |
| microel. | p-Kanal-JFET | p-канальный полевой транзистор с p-n-переходом |
| microel. | p-Kanal-Metall-Gate-Technologie | технология р-канальных МОП-приборов с металлическими затворами |
| comp. | p-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie | р-МОП |
| comp. | p-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie | p-канальная МОП-технология |
| comp. | p-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie | p-МОП технология |
| el. | p-Kanal-MISFET | МДП-транзистор с каналом p-типа |
| microel. | p-Kanal-MISFET | р-канальный МДП-транзистор |
| el. | p-Kanal-MISFET | p-канальный МДП-транзистор |
| microel. | p-Kanal-MISFET | МДП-транзистор с каналом р-типа |
| comp. | p-Kanal-MOS | p-канальная МОП-технология |
| comp. | p-Kanal-MOS | р-МОП |
| comp. | p-Kanal-MOS | p-МОП технология |
| microel. | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET | МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения |
| microel. | p-Kanal-MOS-Bauelement | p-канальный МОП-прибор |
| microel. | p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor | p-канальный полевой МОП-транзистор |
| el. | p-Kanal-MOSFET | p-канальный МОП-транзистор |
| el. | p-Kanal-MOSFET | МОП-транзистор с каналом p-типа |
| microel. | p-Kanal-MOSFET | р-МОП-транзистор |
| microel. | p-Kanal-MOSFET | p-канальный полевой МОП-транзистор |
| microel. | p-Kanal-MOSFET | р-канальный МОП-транзистор |
| microel. | p-Kanal-MOSFET | МОП-транзистор с каналом р-типа |
| microel. | p-Kanal-MOS-LSI-Technik | технология МОП БИС с каналом р-типа |
| comp. | p-Kanal-MOS-Schaltkreis | p-канальная МОП-схема |
| comp. | p-Kanal-MOS-Schaltkreis | схема на p-МОП структурах |
| microel. | p-Kanal-MOS-Speicherzelle | запоминающая ячейка на МОП-транзисторе с каналом р-типа |
| el. | p-Kanal-MOS-Technik | технология p-канальных МОП-транзисторов |
| el. | p-Kanal-MOS-Technik | технология p-канальных МОП-приборов |
| el. | p-Kanal-MOS-Technik | p-МОП-технология |
| comp. | p-Kanal-MOS-Technologie | p-канальная МОП-технология |
| comp. | p-Kanal-MOS-Technologie | р-МОП |
| comp. | p-Kanal-MOS-Technologie | p-МОП технология |
| microel. | p-Kanal-MOS-Transistor | р-канальный МОП-транзистор |
| el. | p-Kanal-MOS-Transistor | МОП-транзистор с каналом p-типа |
| el. | p-Kanal-MOS-Transistor | p-канальный МОП-транзистор |
| microel. | p-Kanal-MOS-Transistor | МОП-транзистор с каналом р-типа |
| el. | p-Kanal-SFET | p-канальный полевой транзистор с p-n-переходом |
| microel. | p-Kanal-SFET | р-канальный полевой транзистор с p-n-переходом |
| el. | p-Kanal-Si-Gate-FET | p-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором |
| microel. | p-Kanal-Si-Gate-FET | р-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором |
| microel. | p-Kanal-Si-Gate-Technik | технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| microel. | p-Kanal-Si-Gate-Technik | технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| microel. | p-Kanal-Silicongate-Technologie | технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| microel. | p-Kanal-Silicongate-Technologie | технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| comp. | p-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie | p-канальные МОП-схемы с кремниевыми затворами |
| microel. | p-Kanal-Technik | технология р-канальных МОП-транзисторов |
| el. | p-Kanal-Technik | технология p-канальных МОП-приборов |
| el. | p-Kanal-Technik | технология p-канальных МОП-транзисторов |
| microel. | p-Kanal-Technik | технология р-канальных МОП-приборов |
| microel. | p-Kanal-Technologie | технология p-канальных МОП-транзисторов |
| microel. | p-Kanal-Technologie | технология p-канальных МОП-приборов |
| microel. | p-Kanal-Transistor | транзистор с каналом р-типа |
| microel. | p-Kanal-Transistor | р-канальный транзистор |
| microel. | p-Kanal-Typ | р-канальный транзистор |
| microel. | p-Kanal-Typ | р-канальный прибор |
| microel. | p-Kanal-Verarmung-MOS-FET | МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения |
| microel. | p-Kanal-Verarmungs-MISFET | МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения |
| microel. | p-Kanal-Verarmungs-MISFET | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения |
| el. | p-Kanal-Verarmungs-MOSFET | МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения |
| microel. | p-Kanal-Verarmungstyp | МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения |
| microel. | p-Kanal-Verarmungstyp | МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения |
| microel. | p-Kanal-VFET | вертикальный полевой транзистор с каналом р-типа |
| microel. | p-leitender Kanal | канал p-типа |
