| Russian | German |
| активный запоминающий элемент на биполярных транзисторах | aktives Speicherelement mit bipolaren Transistoren |
| активный транзистор | Treibertransistor |
| активный транзистор | Treiber |
| арсенидгаллиевый биполярный транзистор на гетеропереходах | GaAs-HJBT |
| базовая БЯ на биполярных транзисторах | bipolares Basisflipflop |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technologie |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | Standard Buried Collector |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Verfahren |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technik |
| билатеральный транзистор | bilateraler Transistor |
| билатеральный транзистор | Bilateraltransistor |
| биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом | Bicfet |
| биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом | Bipolar inversion-channel FET |
| биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом | Bipolar inversionchannel FET |
| биполярный квантово-туннельный транзистор | RTBT |
| биполярный комплементарный транзистор | bipolarer komplementärer Transistor |
| биполярный комплементарный транзистор | bipolarer Komplementärtransistor |
| биполярный плоскостной транзистор | BJT |
| биполярный резонансный туннельный транзистор | RTBT |
| биполярный СВЧ-транзистор | bipolarer Mikrowellentransistor |
| биполярный СВЧ-транзистор | Bipolarmikrowellentransistor |
| биполярный транзистор | bipolarer Sperrschichttransistor |
| биполярный транзистор | Bipolar Junction Transistor |
| биполярный транзистор на GaAs | GaAs-Bipolartransistor |
| биполярный транзистор на арсениде галлия | GaAs-Bipolartransistor |
| биполярный GaAs-транзистор на гетеропереходах | bipolarer GaAs-Heterostrukturtransistor |
| биполярный транзистор на гетеропереходах | Heterojunction Bipolar Transistor |
| биполярный транзистор на гетеропереходах | HJBT |
| биполярный транзистор на гетеропереходах | HBT |
| биполярный транзистор на гетеропереходах | Hetero-junction Bipolar Transistor |
| биполярный транзистор на гетеропереходах | Heterojunction-Bipolartransistor |
| биполярный транзистор с диодом Шоттки | Schottky-Dioden-Transistor |
| биполярный транзистор с ограничением пространственного заряда | raumladungsbegrenzter Bipolartransistor |
| биполярный транзистор со скрытым коллекторным слоем, изготовленный по базовой технологии | SBC-Transistor |
| БИС на V-МОП-транзисторах | VMOS-LSI-Schaltkreis |
| БИС на МОП-транзисторах с V-образными изолирующими канавками | VMOS-LSI-Schaltkreis |
| боковой транзистор | Transistor mit horizontalen Zonen |
| боковой транзистор | lateral transistor |
| боковой транзистор | lateraler Transistor |
| быстродействующая ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Schaltung |
| быстродействующая ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Schaltkreis |
| быстродействующие ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | HI-BICMOS |
| быстродействующий переключательный транзистор | Fastswitch-Transistor |
| внутренний транзистор | innerer Transistor |
| высоковольтный транзистор | Hochvolttransistor |
| высококачественный полевой транзистор | HiPer-FET |
| выходной транзистор | Endstufentransistor |
| выходной управляющий транзистор | Ausgangstreibertransistor |
| гексагональный полевой транзистор | Hexagonal FET |
| гексагональный полевой транзистор | HEXFET |
| гетероструктурный МЕП-транзистор на арсениде галлия | GaAs-Heterostruktur-FET |
| гетероструктурный МЕП-транзистор на арсениде галлия | GaAs-HFET |
| гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор на арсениде галлия | GaAs-Heterostruktur-FET |
| гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор на арсениде галлия | GaAs-HFET |
| гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор | Heterostruktur-FET (на арсениде галлия) |
| гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор | Heterostruktur-Feldeffekttransistor (на арсениде галлия) |
| гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор | HFET (на арсениде галлия) |
| двухдиффузионный вертикальный МОП-транзистор | Vertikal-DMOS-Transistor |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | doppeltdiffundierter |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | doppeltdiffundierter MOSFET |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | DMOS-Transistor |
| двухдиффузионный транзистор | Doppeldiffusionstransistor |
| двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | Zweitransistor-FAMOS-Speicherelement |
| двухтранзисторная запоминающая ячейка на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
| двухэмиттерный транзистор | Zweiemittertransistor |
| динамический элемент ЗУПВ на комбинированной структуре "МОП-транзистор полевой транзистор с p-n-переходом биполярный транзистор" | JCMOS |
| комбинированная ДМОП- и полевых транзисторах | Bipolar Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor and Field-Effect Transistor |
| комбинированная ДМОП и полевых транзисторах | Bipolar Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor and Field-Effect Transistor |
| ДМОП-транзистор | doppeltdiffundierter MOSFET |
| ДМОП-транзистор | doppeltdiffundierter |
| ДМОП-транзистор | DMOS-Transistor |
| дополняющие транзисторы | Komplementärtransistoren |
| дрейфовый высокочастотный транзистор | HF-Drifttransistor |
| дрейфовый транзистор | Transistor mit abgestufter Basis |
| дрейфовый транзистор с экспоненциальным распределением примеси | Transistor mit exponentiellem Driftfeld |
| ждущий мультивибратор на КМОП-транзисторах | monostabiler CMOS-Multivibrator |
| изопланарный транзистор | Isoplanartransistor |
| инвертор на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Inverter |
| инвертор на КМДП-транзисторах | CMIS-Inverter |
| инвертор на КМОП-транзисторах | CMOS-Negator |
| инвертор на КМОП-транзисторах | CMOS-Inverter |
| инвертор на МДП-транзисторах | MIS-Inverter |
| инвертор на МОП-транзисторах | MOS-Inverter |
| инвертор на двух МОП-транзисторах с индуцированным каналом | EE-Inverter |
| инвертор на двух МОП-транзисторах с обогащением канала | EE-Inverter |
| инвертор на МОП-транзисторах с разными типами проводимости | komplementärer MOS-Inverter |
| инжекторный транзистор | Injektortransistor |
| инжекторный транзистор | Stromquellentransistor |
| инжекционно-полевой транзистор | Injektionsfeldeffekttransistor |
| инжекционно-полевой транзистор | Injektions-FET |
| ИС аттенюатора на КМОП-транзисторах | CMOS-Abschwächer |
| ИС мультиплексора на КМОП-транзисторах | CMOS-Multiplexer |
| ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Bi-CMOS-IC |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS-IC |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | MOSBi |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | Bipolar-IGFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | BIGFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | Bipolar Insulated-Gate Field-Effect Transistor |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar-SFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar Junction Field-Effect Transistor |
| ИС на ВПЭ-транзисторах | HEMT-IS |
| ИС на ВПЭ-транзисторах | HEMT-Bauelement |
| ИС на двухдиффузионных МОП-транзисторах | DMOS-Schaltkreis |
| ИС на КМОП-транзисторах | komplementärer MOS-Schaltkreis |
| ИС на комплементарных МОП-транзисторах | komplementärer MOS-Schaltkreis |
| ИС на n-МОП-транзисторах | NMOS-Schaltung |
| ИС на n-МОП-транзисторах | NMOS-Schaltkreis |
| ИС на МОП-транзисторах с нижним затвором | BMOS-Schaltung |
| ИС на МОП-транзисторах с обогащением и обеднением канала | ED-MOSFET |
| ИС на МОП-транзисторе со скрытым каналом | BCMOS |
| ИС на полевом транзисторе Шоттки на арсениде галлия | GaAs-MESFET-IS |
| ИС на полевых транзисторах | unipolares |
| ИС на полевых транзисторах | unipolare IS |
| ИС на полевых транзисторах | unipolare integrierte Schaltung |
| ИС на полевых транзисторах | unipolare |
| ИС на полевых транзисторах | unipolares IC |
| ИС на полевых транзисторах | unipolarer integrierter Schaltkreis |
| ИС на полевых транзисторах | Unipolarschaltung |
| ИС на приборах с переносом электронов и полевых транзисторах | TED-FET-IS (на арсениде галлия) |
| ИС на р-канальных МОП-транзисторах | MOS-p-Kanal-Netzwerk |
| ИС на р-МОП-транзисторах | PMOS-Schaltung |
| ИС на р-МОП-транзисторах | PMOS-Schaltkreis |
| ИС на транзисторах с высокой подвижностью электронов | HEMT-IS |
| ИС на транзисторах с высокой подвижностью электронов | HEMT-Bauelement |
| ИС операционного усилителя на биполярных транзисторах | bipolarer Operationsverstärker |
| ИС операционного усилителя на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Operationsverstärker |
| ИС операционного усилителя на полевых транзисторах | FET-Operationsverstärker |
| ИС операционного усилителя на полевых транзисторах | FET-Op |
| ИС операционного усилителя на полевых транзисторах с p-n-переходом | J-FET-OP |
| ИС совмещённого типа на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Schaltung |
| логические ИС совмещённого типа на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Logik |
| ИС составного прибора, объединяющего триак с МОП-транзистором | TRIMOS-Schaltkreis |
| канал транзистора | Transistorkanal |
| p-канальный МДП-транзистор | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| n-канальный МДП-транзистор | n-Kanal-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstyp |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal Anreicherungs-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstransistor |
| n-канальный МОП-транзистор | n-Kanal-MOS-Transistor |
| n-канальный МОП-транзистор | n-Kanal-MOSFET |
| n-канальный МОП-транзистор | NMOS-Transistor |
| n-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| n-канальный МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем, работающий в режиме обеднения | n-Deep-Depletion-Verarmungs-MOS-Transistor |
| p-канальный полевой МОП-транзистор | p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor |
| n-канальный полевой МОП-транзистор | n-Kanal-MOSFET |
| p-канальный полевой МОП-транзистор | p-Kanal-MOSFET |
| n-канальный полевой МОП-транзистор | n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor |
| n-канальный полевой транзистор | n-Kanal-Feldeffekttransistor |
| p-канальный полевой транзистор | p-JFET |
| p-канальный полевой транзистор | p-Kanal-FET |
| n-канальный полевой транзистор | n-Kanal-FET |
| n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-Kanal-SFET |
| n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-Kanal-IFET |
| p-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | p-Kanal-JFET |
| n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-Kanal-Sperrschicht-FET |
| n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-IFET |
| n-канальный транзистор | n-Kanal-Typ |
| n-канальный транзистор | n-Kanal-Transistor |
| КМДП-транзистор | CMIS-Transistor |
| КМОП-транзистор | komplementärer MOSFET |
| КМОП-транзистор | komplementärer |
| КМОП-транзистор | COSMOS-Feldeffekttransistor |
| КМОП-транзистор | CMOSFET |
| КМОП-транзистор | CMOS-Feldeffekttransistor |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с каналом p-типа в качестве активного элемента и с n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | Cache-Technik |
| комбинированная технология ИС на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Mischtechnik |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2-MOS-Prozess (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2MOS (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
| коммутирующий транзистор | Schalttransistor |
| коммутирующий транзистор | Schaltertransistor |
| комплементарные транзисторы | Komplementartransistoren |
| комплементарные транзисторы | Komplementärtransistoren |
| комплементарные транзисторы | komplementäre Transistoren |
| комплементарный МДП-транзистор | CMIS-Transistor |
| комплементарный МОП-транзистор | COSMOS-Feldeffekttransistor |
| комплементарный МОП-транзистор | komplementärer MOSFET |
| комплементарный МОП-транзистор | CMOSFET |
| комплементарный МОП-транзистор | komplementärer MOS-Feldeffekttransistor |
| комплементарный МОП-транзистор | komplementärer |
| комплементарный МОП-транзистор | komplementärer MOS-Transistor |
| комплементарный МОП-транзистор | CMOS-Feldeffekttransistor |
| комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором | CIGFET |
| комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором | Complementary Insulated-Gate FETT |
| комплементарный транзистор | komplementärer Transistor |
| конденсатор на полевых транзисторах с p-n-переходом | Charge Storage IFET |
| конденсатор на полевых транзисторах с p-n-переходом | Feldeffekttransistor mit Ladungsspeicherung |
| конденсатор на полевых транзисторах с p-n-переходом | CSIFET |
| кремниевый биполярный транзистор | Silizium-Bipolartransistor |
| кремниевый МОП-транзистор | Silizium-MOSFET |
| кремниевый МОП-транзистор | Silizium-MOS-Transistor |
| кремниевый пленарный транзистор | Siliziumplanartransistor |
| кремниевый полевой транзистор | Si-FET |
| кремниевый полевой транзистор с диодом Шоттки | Si-MESFET |
| кристалл с транзисторами | Transistorchip |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор | Lawineninjektions-MOS-Feldeffekttransistor |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор | Avalancheinjektions-MOS-Feldeffekttransistor |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с многоуровневым затвором | SIMOS-FET |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с многоуровневым затвором | SAMOS-FET |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | FAMOS-FET |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | Floating Avalanche Metal Oxide Silicon Transistor |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | FAMOST |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с составным затвором | SIMOS-FET |
| лавинный транзистор | Avalanchetransistor |
| логика на буферных полевых транзисторах | Buffered FET Logic |
| логика на буферных полевых транзисторах | gepufferte FET-Logik |
| логика на полевых транзисторах | FET-Logik |
| логика на полевых транзисторах и диодах Шоттки | Schottky-Dioden-FET-Logik |
| логика на полевых транзисторах и диодах Шоттки | Schottky Diode FET Logic |
| логика на полевых транзисторах и диодах Шоттки | SDFL |
| логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | direktgekoppelte FET-Logik |
| логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | Direct-Coupled FET Logic |
| логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | direkt gekoppelte FET-Logik |
| логика на полевых транзисторах с непосредственными связями | DCFL |
| магнитный полевой транзистор | magnetischer Feldeffekttransistor |
| магнитный полевой транзистор | MAGFET |
| маломощный транзистор | Kleinleistungstransistor |
| малосигнальный полевой транзистор | Kleinsignal-FET |
| малосигнальный транзистор | Kleinsignaltransistor |
| малошумящий транзистор | rauscharmer Transistor |
| масштаб транзистора | Transistordimension (Бадриддин Рахматов) |
| матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Array |
| матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Bipolar-CMOS-Gatter |
| матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BI-CMOS-Gate-Array |
| МЕП-транзистор полевой | MES-FET |
| МЕП-транзистор полевой | MES-Feldeffekttransistor |
| МЕП-транзистор полевой | FET mit MES-Struktur |
| металл-полупроводниковый транзистор | Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor |
| микросплавной транзистор | mikrolegierter Transistor |
| микросплавной транзистор | MicroAlloy Transistor |
| микросплавной транзистор | micro-alloy-Transistor |
| микросплавной транзистор с диффузионной базой | Mikrolegierungsdiffusionstransistor |
| микросплавной транзистор с диффузионной базой | MicroAlloy Diffused Base Transistor |
| микросплавной транзистор с диффузионной базой | MADT-Transistor |
| МНОП-транзистор | MNOS-Transistor |
| МНОП-транзистор | MNOS-FET |
| МНОП-транзистор | MNOS-Speicherfeldeffekttransistor |
| МНОП-транзистор | MNOS-Feldeffekttransistor |
| МНОП-транзистор с переменным порогом | MNOS-VT-Transistor |
| модель поведения транзистора в режиме больших сигналов | Großsignalmodell |
| модель транзистора | Transistorersatzschaltbild |
| модуляционно-легированный полевой транзистор | modulationsdotierter Feldeffekttransistor |
| модуляционно-легированный полевой транзистор | Modulation-Doped FET |
| модуляционно-легированный полевой транзистор | MODFET |
| модуляционно-легированный полевой транзистор на GaAs | GaAs-MODFET |
| модуляционно-легированный полевой транзистор на арсениде галлия | GaAs-MODFET |
| модуляционно-легированный полевой транзистор с квантовыми ямами | Quanten-Well-MODFET |
| V-МОП-транзистор | VMOS-Transistor |
| V-МОП-транзистор | VMOSFET |
| МОП-транзистор | integrierter MOS-Transistor |
| МОП-транзистор | Metal Oxide Silicon Field-Effect Transistor |
| V-МОП-транзистор | VMOST-Transistor |
| МОП-транзистор | Metall-Oxid-Feldeffekttransistor |
| МОП-транзистор | Metall-Oxid-Silizium-FET |
| U-МОП-транзистор | U-Gruben-MOS Transistor |
| n-МОП-транзистор | NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор | MOSFET |
| МОП-транзистор в режиме обеднения с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии с самосовмещением | DSAMOST |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии с самосовмещением | DSA-MOSFET |
| МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования | Double-Implanted MOS |
| МОП-транзистор, изготовленный с применением метода двойного ионного легирования | DIMOS |
| МОП-транзистор логического уровня | Logik-Level-MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме глубокого обеднения | Deep-Depletion-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | MOS-Transistor vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | MOSFET vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор во встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Verarmungs-MOSFET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения | Depletion-MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | AMOSFET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | Anodized Metal-Oxide-Semiconductor FET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | AMOS-Feldeffekttransistor |
| МОП-транзистор с вертикальной структурой | Vertikal-MOSFET |
| МОП-транзистор с вертикальным каналом | Vertikal-MOSFET |
| МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем | Deep-Depletion-MOS-Transistor |
| V-МОП-транзистор с горизонтальной структурой | VMOS-Transistor mit lateraler Kanalanordnung |
| V-МОП-транзистор с горизонтальным каналом | VMOS-Transistor mit lateraler Kanalanordnung |
| МОП-транзистор с изолированным затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate |
| МОП-транзистор с изолированным затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode |
| МОП-транзистор с изолированным затвором | IGFET |
| МОП-транзистор с изолирующим оксидом, стабилизированным слоем фосфоросиликатного стекла | MPOS |
| МОП-транзистор с изолирующим оксидом, стабилизированным слоем фосфоросиликатного стекла | Metal Phosphorsilicate Glass Oxide Semiconductor |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstsperrender |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstsperrender FET |
| p-МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstperrender pMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с инжекционным плавающим затвором | Gate-Injektions-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | pMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmung-MOS-FET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Anreicherungs-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с молибденовым затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit Molybdän-Steuerelektrode |
| МОП-транзистор с молибденовым затвором | MOS-Feldeffekttransistor mit Molybdän-Gate |
| МОП-транзистор с нижним затвором | Back-gate-FET |
| МОП-транзистор с нижним затвором | BMOS-FET |
| МОП-транзистор с нижним затвором | BMOS-Feldeffekttransistor |
| МОП-транзистор с низким пороговым напряжением | Low-threshold-MOSFET |
| МОП-транзистор с обеднением канала | Verarmungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с обеднением канала | MOS-Transistor vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор с обеднением канала | MOSFET vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор с обеднением канала | Depletion-MOSFET |
| МОП-транзистор с обогащением канала | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор с обогащением канала | selbstsperrender FET |
| МОП-транзистор с обогащением канала | selbstsperrender |
| МОП-транзистор с обогащением канала | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMOSFET |
| МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMOST-Transistor |
| МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-MOSFET |
| МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | V-Graben-Transistor |
| МОП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой | VMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с U-образной изолирующей канавкой | U-Gruben-MOS Transistor |
| МОП-транзистор с плавающим затвором | Floating-Gate-Transistor |
| МОП-транзистор с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | FLOTOX-Transistor |
| МОП-транзистор с поликремниевым затвором | Silicon Gate Transistor |
| МОП-транзистор с поликремниевым затвором | Silicongatetransistor |
| МОП-транзистор с поликремниевым затвором | Siliziumtortransistor |
| МОП-транзистор с поликремниевым затвором | SGT |
| МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением | ATMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением | ATMOS-FET |
| МОП-транзистор с регулируемым порогом | Adjustable Threshold MOS |
| МОП-транзистор с регулируемым порогом | ATMOS |
| МОП-транзистор с самосовмещённым затвором, полученный методом двойной диффузии | MOSFET mit Diffusionsselbsteinstellung |
| МОП-транзистор с вертикальной щелевой структурой | T-MOS-Transistor (для формирования ячеек динамических ЗУПВ) |
| МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender |
| n-МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender FET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletionlasttransistor |
| мощный диффузионно-сплавной транзистор | DAP-Transistor |
| мощный коммутирующий транзистор | Leistungsschalttransistor |
| мощный коммутирующий транзистор с низким порогом запирания | niedrigsperrender Leistungsschalttransistor |
| мощный МОП-транзистор | Leistungs-MOSFET |
| мощный МОП-транзистор | Power-MOSFET |
| мощный МОП-транзистор | Hochleistungs-MOSFET |
| мощный низкочастотный транзистор | Niederfrequenzleistungstransistor |
| мощный низкочастотный транзистор | NF-Leistungstransistor |
| мощный переключающий транзистор | Leistungsschalttransistor |
| мощный полевой транзистор | Leistungs-FET |
| мощный полевой транзистор Шоттки на GaAs | GaAs-Leistungs-FET |
| мощный полевой транзистор Шоттки на арсениде галлия | GaAs-Leistungs-FET |
| мощный транзистор | Hochstromtransistor |
| мощный транзистор марки "СИПМОС" | SIPMOS-Transistor (фирмы Сименс) |
| мощный транзистор марки "СИПМОС" | Siemens-Leistungstransistor (фирмы Сименс) |
| мощный транзистор марки "СИПМОС" | SIPMOS-Bauelement (фирмы Сименс) |
| на транзисторах | Transistor- |
| на транзисторах | auf Transistorbasis |
| нагрузочный МДП-транзистор | IGFET-Lastwiderstand |
| нагрузочный МДП-транзистор | IFET-Lastwiderstand |
| нагрузочный МОП-транзистор | IMOS-FET-Widerstand |
| нагрузочный транзистор | Transistorlastwiderstand |
| нагрузочный транзистор | Transistorwiderstand |
| нагрузочный транзистор | Lasttransistor |
| нагрузочный транзистор | Folgetransistor |
| нагрузочный транзистор | Ableittransistor |
| нагрузочный транзистор в интегральном исполнении | integrierter Transistorwiderstand |
| нагрузочный транзистор, работающий в режиме обеднения | Verarmungstyp-Lasttransistor |
| нагрузочный транзистор с обеднением канала | Verarmungstyp-Lasttransistor |
| накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | CSIFET |
| накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | Feldeffekttransistor mit Ladungsspeicherung |
| накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | Charge Storage IFET |
| низкочастотный транзистор | Niederfrequenztransistor |
| низкочастотный транзистор | NF-Transistor |
| нитевой транзистор | Fadentransistor |
| область работы транзистора | Betriebsbereich des Transistors |
| область работы транзистора | Arbeitsbereich des Transistors |
| общее тепловое сопротивление транзистора | Wärmegesamtwiderstand des Transistors |
| одновибратор на КМОП-транзисторах | monostabiler CMOS-Multivibrator |
| однополосковый транзистор | Einstreifentransistor (интегральный транзистор с упрощённой топологией выводов) |
| однополярный транзистор | Unipolartransistor |
| однотранзисторная запоминающая ячейка ППЗУ на лавинно-инжекционном МОП-транзисторе с многоуровневым затвором | SIMOS-1-Transistor-Speicherelement |
| однотранзисторная запоминающая ячейка ППЗУ на лавинно-инжекционном МОП-транзисторе с составным затвором | SIMOS-1-Transistor-Speicherelement |
| операционный усилитель на КМОП-транзисторах | CMOS-Operationsverstärker |
| операционный усилитель на КМОП-транзисторах | CMOS-OPV |
| оптоэлектронный транзистор | optischer Transistor |
| оптоэлектронный транзистор | Optotransistor |
| основные схемы включения транзисторов | Transistorgrundschaltungen |
| параметр транзистора | Transistorkenngröße |
| параметры малосигнальной модели транзистора | Vierpolparameter des Transistors |
| параметры транзистора | Transistorparameter |
| параметры малосигнальной эквивалентной схемы транзистора | Vierpolparameter des Transistors |
| переключательный транзистор | Schalttransistor |
| переключательный транзистор | Schaltertransistor |
| ПЗС на полевых транзисторах с p-n-переходом | Junction CCD |
| ПЗС на полевых транзисторах с p-n-переходом | JECD |
| ПЗС-структура на полевых транзисторах с p-n-переходом | Sperrschicht-CCD-Struktur |
| планарно-эпитаксиальный транзистор | Epitaxieplanartransistor |
| планарно-эпитаксиальный транзистор | Epitaxialtransistor |
| планарно-эпитаксиальный транзистор | Epitaxial-Planar-Transistor |
| планарный МОП-транзистор | Planar-MOSFET |
| планарный МОП-транзистор с каналом типа | NMOS-Planartransistor |
| планарный МОП-транзистор с каналом n типа | NMOS-Planartransistor |
| планарный эпитаксиальный транзистор | Epitaxie-Planartransistor |
| поведение транзистора | Transistorverhalte (Бадриддин Рахматов) |
| поведение транзистора в режиме больших сигналов | Großsignalverhalten |
| поведение транзистора при малых сигналах | Kleinsignalverhalten |
| поведение транзистора при малых уровнях сигнала | Kleinsignalverhalten |
| поверхностно-барьерный транзистор | Oberflächenbarrierentransistor |
| поверхностно-зарядовый транзистор | Oberflächenladungstransistor |
| поверхностно-управляемый биполярный транзистор | SCT |
| полупроводниковый интегральный транзистор | monolithischer Transistor |
| последовательно-включённый транзистор | Langstransistor |
| постоянная времени транзистора | Transistorzeitkonstante |
| проходное сопротивление транзистора | Transistordurchgangswiderstand |
| пьезочувствительный транзистор | piezoelektrischer Transistor |
| размер транзистора | Transistordimension (Бадриддин Рахматов) |
| регистр-защёлка на четвёрке транзисторов с параллельно-последовательным включением | vierfacher Latch |
| регулирующий транзистор | Stelltransistor |
| регулирующий транзистор | Regeltransistor |
| р-канальный МДП-транзистор | p-Kanal-MISFET |
| р-канальный МДП-транзистор | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| р-канальный МОП-транзистор | p-Kanal-MOSFET |
| р-канальный МОП-транзистор | p-Kanal-MOS-Transistor |
| р-канальный МОП-транзистор | PIGFET |
| р-канальный МОП-транзистор | pMOS-Transistor |
| р-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором | p-Kanal-Si-Gate-FET |
| р-канальный полевой транзистор | p-Kanal-FET |
| р-канальный полевой транзистор | p-Kanal-Feldeffekttransistor |
| р-канальный полевой транзистор | p-JFET |
| р-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | p-Kanal-SFET |
| р-канальный транзистор | p-Kanal-Typ |
| р-канальный транзистор | p-Kanal-Transistor |
| р-МОП-транзистор | p-Kanal-MOSFET |
| р-МОП-транзистор | pMOS-Transistor |
| р-МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstperrender pMOS-Transistor |
| СБИС-компонент на КМОП-транзисторах | CMOS-VLSI-Baustein |
| сверхвысокочастотный транзистор | UHF-Transistor |
| сверхвысокочастотный транзистор | Höchstfrequenztransistor |
| сверхминиатюрный транзистор | Subminiaturtransistor |
| сдвоенный транзистор | Doppeltransistor |
| симметричный транзистор | Zweirichtungstransistor |
| симметричный транзистор | bidirektionaler Transistor |
| симметричный транзистор | symmetrischer Transistor |
| симметричный транзистор | Bilateraltransistor |
| синхронизированная ИС на КМОП-транзисторах | c-CMOS |
| синхронизированная ИС на КМОП-транзисторах | Clocked Complementary MOS |
| синхронизированная ИС на КМОП-транзисторах | CCMOS-Schaltkreis |
| синхронизированные ИС на КМОП-транзисторах | Clocked Complementary MOS |
| синхронизированные ИС на КМОП-транзисторах | C2MOS |
| смеситель на полевых транзисторах | FET-Mischer |
| смеситель на арсенид-галлиевых полевых транзисторах с диодом Шоттки | Schottky-FET-Mischer |
| составной прибор, объединяющий триак с МОП-транзистором | TRIMOS |
| составной транзистор | Tandemtransistor |
| составной транзистор | Zwillingstransistor |
| составной транзистор | Darlington-Transistor |
| статический индукционный транзистор | SIT |
| статический индукционный транзистор | statischer Influenztransistor |
| статическое ЗУПВ на ВПЭ-транзисторах | HEMT-SRAM |
| статическое ЗУПВ на транзисторах с высокой подвижностью электронов | HEMT-SRAM |
| биполярный супербета-транзистор | Super-B-Transistor |
| супербета-транзистор | Super-β-Transistor |
| схема в базисе логики на полевых транзисторах с непосредственными связями | DCFL-Schaltung |
| включаемая на входе схема Дарлингтона на комплементарных биполярных транзисторах | Komplementär-Darlingtontransistor |
| включаемая на входе схема Дарлингтона на комплементарных биполярных транзисторах | Komplementär-Darlingtonpaar |
| схема на р-канальных МОП-транзисторах | MOS-p-Kanal-Netzwerk |
| токозадающий транзистор | Injektortransistor |
| токозадающий транзистор | Stromquellentransistor |
| туннельный транзистор | Tunnelemissionsverstärker |
| управляемый лавинно-пролётный транзистор | CATT-Triode |
| управляемый транзистор | Folgetransistor |
| управляемый транзистор | Ableittransistor |
| усилитель-формирователь на КМОП-транзисторах | CMOS-Treiber |
| усовершенствованная МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | Metal Oxide Silicon Advanced IC |
| усовершенствованная МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | MOSAIC-Schaltung |
| формирователь на КМОП-транзисторах | CMOS-Treiber |
| четырёхэлектродный транзистор | Transistortetrode |
| четырёхэлектродный транзистор | Vierpoltransistor |
| четырёхэлектродный транзистор | Doppelbasistetrode |
| шумы транзистора | Transistorrauschen |
| щелевая ячейка со сформированным на её стенках транзистором | Trenchtransistorzelle |
| эквивалентная схема транзистора | Transistorersatzschaltbild |
| электрохимический транзистор с диффузионным коллектором | ECDC-Transistor |
| элемент И НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NAND-Gatter |
| элемент ИЛИ НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NOR-Gatter |
| элемент на ВПЭ-транзисторах | HEMT-Bauelement |
| элемент на транзисторах с высокой подвижностью электронов | HEMT-Bauelement |
| элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | DDC |
| элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | Feldeffekttransistor mit dielektrischer Doppelschicht |
| элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | Dual Dielectric Charge storage |
| эмиттерный повторитель на комплементарных транзисторах | Komplementär-Emitterfolger |
| эпипланарный транзистор | Epitaxie-Planartransistor |
| эпитаксиально-диффузионный транзистор | Epitaxiediffusionstransistor |
| эпитаксиальный меза-транзистор | Epitaxie-Mesa-Transistor |
| эффект смещения рабочей точки биполярного транзистора синхронно с входным сигналом | Mitlaufeffekt |
| запоминающая ячейка двухтранзисторная ЗЯ на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с плавающим затвором | 2-Transistor-FAMOS-Speicherelement |
