Russian | German |
автоэпитаксиальный слой | autoepitaxiale Schicht |
активный слой | aktive Schicht |
аморфный слой | amorphe Schicht |
антизапирающий слой | nichtsperrende Schicht |
антизапирающий слой | Durchlassschicht |
антизапорный слой | nichtsperrende Schicht |
антизапорный слой | Durchlassschicht |
атомарный слой | atomare Schicht |
атомный слой | Atomlage |
базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technologie |
базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Verfahren |
базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | Standard Buried Collector |
базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technik |
базовый слой | Basiszone |
базовый слой | Basis |
биполярная ИС со скрытым коллекторным слоем, изготовленная по базовой технологии | SBC-Schaltkreis |
биполярный транзистор со скрытым коллекторным слоем, изготовленный по базовой технологии | SBC-Transistor |
буферный слой | Pufferschicht |
вторичный пассивирующий слой | Sekundärpassivierungsschicht |
выпрямление на запирающем слое | Gleichrichtung an der Sperrschicht |
выращенный слой | aufgewachsene Schicht |
выращивание эпитаксиального слоя | Züchtung einer Epitaxieschicht |
выращивание эпитаксиального слоя | Epitaxialwachstum |
высокоомный слой | hochohmige Schicht |
высокоомный слой | Hochohmschicht |
гадолиниево-кобальтовый слой | GdCo-Schicht |
гельмгольцевский слой | Helmholtz-Schicht |
герметизация в псевдоожиженном слое | Fließbettverkappung |
герметизирующий слой | Verkappungsschicht |
граница запирающего слоя | Sperrschichtgrenze |
граница запорного слоя | Sperrschichtgrenze |
граничный междуфазовой слой | Zwischenphasenschicht |
граничный междуфазовой слой | Zwischenphasengrenzschicht |
граничный слой | Randzone |
граничный слой | Kontaktschicht |
граничный слой коллекторной области | Kollektorrandschicht |
граничный слой коллекторной области | Kollektorgrenzschicht |
граничный слой обеднения | Verarmungsrandschicht |
двойной граничный слой | Doppelrandschicht |
двойной диффузионный слой | doppeltdiffundierte Schicht |
двойной диффузионный слой | doppeldiffundierte Schicht |
двойной диффузионный слой | diffuse Doppelschicht |
двойной запирающий слой | Doppelschicht |
двойной запирающий слой | Doppelsperrschicht |
дефекты оксидного слоя | Oxiddefekte |
дефекты SiO2-слоя | Oxiddefekte |
диффузионная слой | Diffusionsschicht |
диффузионный обеднённый слой | Diffusionssperrschicht |
диффузионный слой | eindiffundierte Schicht |
диффузионный слой | diffundierte Schicht |
диффузия из поверхностного слоя | Diffusion aus einer Oberflächenschicht |
диффузия из поверхностного слоя | Deckschichtdiffusion |
диффузия из рекристаллизованного слоя | Diffusion aus der Rekristallisationsschicht |
диффузия скрытого слоя | Diffusion der vergrabenen Schicht |
диэлектрическая подложка со слоем кремния | SOI-Substrat |
диэлектрический слой | Isolationsschicht in 1С |
жидкокристаллический слой | Flüssigkristallschicht |
запирающий слой эмиттера | Emittersperrschicht |
запорный слой | Sperrschicht |
запорный слой | Randzone |
запорный слой | Randschicht |
запорный слой Шоттки | Schottkysche Randschicht |
заряд обеднённого слоя | Sperrschichtladung |
заряженный слой | elektrisch geladene Schicht |
заряженный слой | Ladungsschicht |
захоронённый слой | vergrabene Schicht |
защита оксидным слоем | Oxidmaskierung |
защитный оксидный слой | Feldoxid (для обеспечения стабильных свойств кристалла при воздействии электрического поля) |
защитный слой SiO2 | Felddioxid |
защитный слой SiO2 | Feldoxid |
защитный слой | Deckschicht |
измерение толщины слоя или плёнки | Schichtdickenmessung |
изображение в слое фоторезиста | Resistbild |
изображение в слое фоторезиста | Fotoresistbild |
изображение, получаемое в слое негативного фоторезиста | Negativresistbild |
изображение, получаемое в слое позитивного фоторезиста | Positivresistbild |
изолирующий диффузионный слой | Trenndiffusionsschicht |
изолирующий диффузионный слой | Isolationsdiffusionsschicht |
изолирующий оксидный слой | Oxidisolationsschicht |
изолирующий промежуточный слой | Sperrschicht |
изолирующий промежуточный слой | Isolationszwischenschicht |
изолирующий р-слой | p-Isolationsschicht |
изолирующий слой | Oxidisolationsschicht |
изолирующий слой SiO2 | SiO2-Isolatorschicht |
изолирующий слой SiO2 | SiO2-Isolation |
изолирующий слой | Isolatorschicht |
изолирующий слой диоксида кремния | SiO2-Isolatorschicht |
изолирующий слой диоксида кремния | SiO2-Isolation |
изолирующий слой затвора | Gateisolator |
изолирующий слой затвора | Tordielektrikum |
изолирующий слой затвора | Torisolator |
изолирующий слой затвора | Gate-Isolierschicht |
изоляция слоем SiO3 | SiO2-Isolation |
изоляция слоем SiO2 | dielektrische Isolation mit SiO2-Schicht |
изоляция слоем диоксида кремния | SiO2-Isolation |
имплантированный слой | implantierte Schicht |
p-инверсионный слой | p-Inversionsschicht |
инверсионный слой бокового канала | Seitenkanalinversionsschicht |
ионновнедрённый слой | ionenimplantierte Schicht |
ионно-имплантированный слой | Ionenimplantationsschicht |
ИС на сверхрешётке с напряжёнными слоями | SLS-Chip |
n-канальный МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем, работающий в режиме обеднения | n-Deep-Depletion-Verarmungs-MOS-Transistor |
КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
КМОП-инвертор с МОП-транзистором с каналом p-типа в качестве активного элемента и с n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
коллекторный эпитаксиальный n-слой | n-Kollektorepitaxieschicht |
коммутационный слой | Zwischenverbindungsschicht |
коммутационный слой | Verbindungsschicht |
контакт без запорного слоя | sperrschichtfreier Kontakt |
конфигурация скрытого слоя коллектора | Subkollektorumgrenzung |
концентрация неосновных носителей в приграничном слое | Minoritätsträgerrandkonzentration (обедненной области) |
концентрация носителей в приграничном слое | Randkonzentration (p-n-перехода) |
концентрация носителей в приграничном слое | Bandkonzentration (р-n-перехода) |
концентрация носителей заряда в приграничном слое коллекторного перехода | Kollektorrandkonzentration |
коэффициент преломления слоя или плёнки | Schichtbrechzahl |
край изолирующего оксидного слоя | Oxidisolationskante |
край обеднённого слоя | Sperrschichtrand |
край слоя фоторезиста | Strukturkante |
легированный слой | legierte Schicht |
легированный слой | Legierungsschicht |
ленгмюровский слой | Langmuir-Schicht |
литографический слой | lithografische Ebene |
люминофорный слой | Leuchtbelag |
маскирование слоем диоксида кремния | Siliziumdioxidmaskierung |
маскирующий слой | Maskenschicht |
маскирующий слой | Abdeckschicht (напр., фоторезиста) |
маскирующий оксидный слой при проведении диффузии | Diffusionsmaske |
материал вышележащего слоя | Überdeckungsmaterial |
МДП-транзистор с изолирующим подзатворным слоем А12О3 | Metal Alumina Silicon FET |
МДП-транзистор с изолирующим подзатворным слоем Al2О3 | MASFET |
металлический слой | Metallschicht |
метод защиты подложки оксидным слоем | Oxidmaskenmethode |
метод снятия слоя | Schichtabtragungsverfahren |
метод формирования диэлектрического слоя SiO2 или | Separation by Implanted Oxygen |
метод формирования диэлектрического слоя SiO2 или Si3N4 в монокристалле кремния имплантацией ионов кислорода или азота с последующим термическим отжигом | Separation by Implanted Oxygen |
МНОП-структура с толстым слоем нитрида кремния | Metal-Thick Nitride Semiconductor |
МНОП-структура с толстым слоем нитрида кремния | MTNS-Struktur |
монокристаллический слой | einkristalline Schicht |
МОП-транзистор в режиме обеднения с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | Anodized Metal-Oxide-Semiconductor FET |
МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | AMOSFET |
МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | AMOS-Feldeffekttransistor |
МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем | Deep-Depletion-MOS-Transistor |
МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения | Depletion Load Transistor |
МОП-транзистор с изолирующим оксидом, стабилизированным слоем фосфоросиликатного стекла | MPOS |
МОП-транзистор с изолирующим оксидом, стабилизированным слоем фосфоросиликатного стекла | Metal Phosphorsilicate Glass Oxide Semiconductor |
МОП-транзистор с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | FLOTOX-Transistor |
наведение заряда в приповерхностном слое полупроводника | Ladungstragerinfluenz (под действием электрического поля или поверхностных состояний) |
наведение заряда в приповерхностном слое полупроводника | Ladungsinfluenz (под действием электрического поля или поверхностных состояний) |
нависающий край оксидного слоя | Oxidüberhang |
накопительный слой | Speicherschicht |
нанесение маскирующего слоя | Aufbringen der Maske |
нанесение маскирующего слоя | Auftragen der Maske |
нанесение слоя диоксида кремния | Siliziumdioxidbeschichtung |
нанесённый слой | aufgetragene Schicht |
нанесённый слой | Beschichtung |
нанесённый слой | Belag |
напряжённость электрического поля в приграничном слое | Randfeldstärke |
наращивание оксидного слоя | Oxidwachstum |
наращивание слоя SiO2 | Aufwachsen einer SiO2-Schicht |
наращивание слоя SiO2 | Aufwachsen einer Planarschicht |
наращённый слой | aufgewachsene Schicht |
нарушенный слой | gestörte Schicht |
низкоомный контактный слой | niederohmige Kontaktschicht |
низкоомный скрытый слой | niederohmiges begrabenes Gebiet |
низкоомный слой | niederohmige Schicht |
низкоомный слой | Niederohmschicht |
нитридный слой затвора | Gatenitrid |
обедненный слой | ladungsträgerverarmte Schicht |
обедненный слой | Verarmungsrandschicht |
обеднённый граничный слой | Verarmungsrandschicht |
обеднённый приграничный слой | Verarmungsrandschicht |
обеднённый приконтактный слой барьера Шоттки | Schottky-Sperrschichtzone |
обеднённый приповерхностный слой | Verarmungsrandschicht |
обеднённый слой | Verarmungsbereich |
обеднённый слой | Sperrschichtbereich |
обеднённый слой | Sperrschichtzone |
обеднённый слой | Verarmungsgebiet |
обеднённый слой | Verarmungszone |
обеднённый слой | verarmte Sperrschicht |
обеднённый слой | Verarmungsschicht |
обеднённый слой | Entblößungsschicht |
обеднённый слой коллекторного перехода | Kollektor-Basis-Sperrschicht |
обеднённый слой коллекторного перехода | Kollektorsperrschicht |
обеднённый слой коллекторного перехода | Basis-Kollektor-Sperrschicht |
обеднённый слой p-n-перехода | Übergangssperrschicht |
обеднённый слой p-n-перехода | pn-Sperrschicht |
обеднённый слой эмиттерного перехода | Emittersperrschicht |
обеднённый слой эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
обеднённый слой эмиттерного перехода | Emitter-Basis-Sperrschicht |
обеднённый слой эмиттерного перехода | Basis-Emitter-Sperrschicht |
область объёмного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
область пространственного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
обогащённый граничный слой | Anreicherungsrandschicht |
обогащённый приграничный слой | Anreicherungsrandschicht |
обогащённый приповерхностный слой | Anreicherungsrandschicht |
обогащённый слой | Anreicherungsrandschicht |
обогащённый слой | Anreicherungszone |
обогащённый слой | Akkumulationsschicht |
обогащённый слой | Akkumulationebereich |
окисный слой | Planarschicht |
окно в оксидном слое | Oxidfenster |
оксидно-нитридно-оксидный слой | ONO-Schicht |
оксидный слой | Planarschicht |
оксидный слой затвора | Gateisolator |
оксидный слой затвора | Gateoxidschicht |
оксидный слой затвора | Gateoxid |
оксидный слой затвора | Toroxid |
оксидный слой затвора | Gate-Isolierschicht |
оксидный слой на боковой стенке | Seitenwandoxid (канавки) |
ОНО-слой | ONO-Schicht |
осаждение слоя | Schichtabscheidung |
осаждённый слой | Deposit |
падение напряжения на обеднённом слое | Spannungsabfall über der Sperrschicht |
пассивация слоем оксида | Oxidpassivierung |
пассивирующий слой | Passivierungsschicht |
пассивирующий слой | Passivierschicht |
пассивирующий слой окисла | oxidische Passivierungsschicht |
первичный пассивирующий слой | Primärpassivierungsschicht |
перетравливание оксидного слоя | Oxidüberätzung |
переходный слой | Übergangszone |
ПЗС с глубокообеднённым слоем | Deep-Depletion-CCD |
планаризующий слой | Planarisierungsschicht |
плоскость проводящего слоя | Leiterebene (печатной платы) |
плотность дефектов оксидного слоя | Oxiddefektdichte |
плотность дефектов SiO2-слоя | Oxiddefektdichte |
плотность носителей заряда в инверсионном слое | Inversionsdichte |
поверхностный диффузионный слой | Oberflächendiffusionsschicht |
поверхностный запирающий слой | Oberflächensperrschicht |
поверхностный примесный слой | Oberflächenfremdstoffschicht |
поверхность запирающего слоя | Sperrschichtfläche |
повреждённый слой | gestörte Schicht |
повреждённый слой | Schicht mit Defekten |
подзатворный изолирующий слой | Tordielektrikum |
подзатворный изолирующий слой | Torisolator |
подзатворный оксидный слой | Toroxid |
подложка с эпитаксиальным слоем | Epitaxiesubstrat |
полевой транзистор с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем затвора | Ferroelectric FET |
полевой транзистор с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем затвора | FEFET |
полиимидный слой | Polyimidschicht |
поликремниевый слой | polykristalline Siliziumschicht |
поликристаллический слой | polykristalline Schicht |
полупроводниковая пластина с эпитаксиальным слоем, выращенным из газовой фазы | VPE-Wafer |
полупроводниковая пластина с эпитаксиальным слоем, выращенным из паровой фазы | VPE-Wafer |
полупроводящий слой | halbleitende Schicht |
последовательность слоев с p-n-переходом | pn-Folge |
приграничный слой | Randschicht |
приграничный слой коллекторной области | Kollektorrandschicht |
приграничный слой коллекторной области | Kollektorgrenzschicht |
приграничный слой обеднённой области | Sperrschichtrand |
приконтактный слой | Kontaktschicht |
приконтактный слой | Kontaktgrenzschicht |
примесь в приповерхностном слое | flache Störstelle |
приповерхностный слой | oberflächennaher Bereich |
приповерхностный слой | Randschicht |
пробой оксидного слоя | Oxiddurchbruch |
проводящий слой | Leiterzugebene (печатной платы) |
проводящий слой | Leiterschicht (печатной платы) |
промежуточный изоляционный слой | Isolierlage (напр., между проводящими слоями многослойной печатной платы) |
противоотражающий слой | reflexionsmindernde Schicht |
противоотражающий слой | Reflexionsschutzschicht |
р-слой | p-leitende Schicht |
р+-слой | p+-Schicht |
радиационно-нарушенный слой | Strahlungsgeschädigte Schicht |
радиационно-нарушенный слой | Schicht mit Strahlungsschäden |
разделительный слой | Isolierschicht |
разделительный слой | Isolatorschicht |
разделительный слой | Isolationsschicht |
разделительный слой | Abstandsschicht |
рассасывание неосновных носителей в обеднённом слое | Ausräumen der Ladungsträger in der Sperrschicht (p-n-перехода) |
раствор для выращивания эпитаксиального слоя | Wachstumslösung |
реактор кипящего слоя | Wirbelschichtreaktor |
реактор с кипящим слоем | Wirbelschichtreaktor |
реактор с псевдоожиженным слоем | Wirbelschichtreaktor |
рекомбинация в слое объёмного заряда | Rekombination in der Raumladungsschicht |
рекристаллизационный слой | Rekristallisationsschicht |
рекристаллизованный слой | Rekristallisationsschicht |
рисунок в слое | Schichtmuster |
рисунок слоя | Schichtmuster (напр., плёночной ИС) |
рисунок слоя резиста | Resiststruktur |
рисунок слоя фоторезиста | Resiststruktur |
рисунок слоя фоторезиста | Lackbild |
рисунок, сформированный на слое хрома | Chromschichtstruktur |
рост слоя | Schichtwachstum |
сапфировая лента со слоем кремния | SOS-Band |
сапфировая пластина со слоем кремния | SOS-Wafer |
сапфировая подложка со слоем кремния | SOS-Substrat |
сверхрешётка с напряжёнными слоями | Strained-Layer Superlattice |
светочувствительный слой | fotoempfindliche Schicht |
светочувствительный слой | fotoaktive Schicht |
скрытый коллекторный n+-слой | begrabene n+-Kollektorschicht |
скрытый коллекторный n+-слой | n+-Kollektorschicht begrabene |
скрытый слой | buried layer |
скрытый n+-слой | verdeckte n+-Schicht |
скрытый n+-слой | vergrabene Schicht |
скрытый n+-слой | vergrabene n+-Schicht |
скрытый слой | vergrabene Schicht |
скрытый слой | begrabenes Gebiet |
скрытый n+-слой | begrabene Schicht |
скрытый n+-слой | begrabene n+-Schicht |
скрытый слой | begrabene Schicht |
скрытый слой | begraben Befehlszykluse Schicht |
скрытый слой коллектора | vergrabener Kollektor |
скрытый слой коллектора | Subkollektor |
слаболегированный слой кремния между p и n-областями | PSN |
слой SiO2 | Oxidschicht |
слой SiO2 | SiO2-Schicht |
слой SiO2 | Siliziumdioxidschicht |
слой SiO2-Si3N4-Si02 | ONO-Schicht |
слой Si3N4 | Siliziumnitridschicht |
слой Si3N4 | Si3N4-Schicht |
слой SiO2 | Oxidisolationsschicht |
слой арсенида галлия | GaAs-Schicht |
слой арсенида галлия р-типа | p-Ga-As-Gebiet |
слой арсенида галлия p-типа | p-Ga-As-Gebiet p-GaAs-слой |
слой арсенида галлия n-типа | n-GaAs-Gebiet n-GaAs-слой |
слой арсенида галлия n-типа | n-GaAs-Gebiet |
слой базы | Basisschicht |
слой диоксида кремния | Siliziumdioxidschicht |
слой диоксида кремния | SiO2-Schicht |
слой диэлектрика | Isolatorschicht |
слой для выравнивания поверхности | Planarisierungsschicht |
слой затвора | Torschicht |
слой кремния | Siliziumschicht |
слой кремния | Si-Schicht |
слой кремния n-типа | n-Si-Schicht |
слой материала | Schichtmaterial |
слой межсоединений | Leitbahnebene |
слой межсоединений | Verbindungsschicht |
слой межсоединений | Verbindungsebene |
слой металлизации | Metallisierungsschicht |
слой металлизации | Metallisierungsebene |
слой металлизации | Metallfilm |
слой нитрида кремния | Si3N4-Schicht |
слой нитрида кремния | Siliziumnitridschicht |
слой объёмного заряда | Raumladungsschicht |
слой оксида | Oxidschicht |
слой покрытия | Deckschicht |
слой поликристаллического кремния | polykristalline Siliziumschicht |
слой полиметилметакрилата | Polymethylmethakrilatschicht (слой структуры фоторезиста) |
слой полиметилметакрилата | PMMA-Schicht (слой структуры фоторезиста) |
слой, полученный ионной имплантацией | Ionenimplantationsschicht |
слой, полученный ионной имплантацией | implantierte Schicht |
слой, препятствующий взаимной диффузии | Interdiffusionsbarriere |
слой, препятствующий диффузии | diffusionshemmende Schicht |
слой, препятствующий диффузии | Diffusionshemmschicht |
слой, препятствующий проникновению диффузанта | diffusionshemmende Schicht |
слой примеси | Verunreinigungsschicht |
слой пространственного заряда | Raumladungszone |
слой пространственного заряда | Raumladungsschicht |
слой разводки | Verdrahtungsschicht |
слой резиста | Resistschicht |
слой с проводимостью р-типа | p-leitende Schicht |
слой с проводимостью р-типа | p-Schicht |
слой с пониженным уровнем легирования | Spacer (в модуляционно легированном полевом транзисторе) |
слой с собственной проводимостью | Intrinsicschicht |
слой с собственной проводимостью | Eigenleitungsschicht |
слой с собственной проводимостью | i-Schicht |
слой с хорошей адгезией к подложке | Haftschicht |
слой с ЦМД | Magnetblasenschicht |
слой с ЦМД | Blasenschicht |
слой селенида германия | GeSe-Schicht |
слой, служащий маской против нежелательной диффузии | Diffusionsmaske |
слой со структурой типа "кремний на сапфире" | SOS-Schicht |
слой со структурой типа с КНС-структурой | SOS-Schicht |
слой собственной проводимости | i-Schicht |
слой собственной проводимости | Intrinsic-Schicht |
слой собственной проводимости | eigenleitende Schicht |
слой собственной проводимости | Eigenleitungsschicht |
слой структуры | Strukturebene |
слой твердого раствора | Mischkristallschicht |
слой с проводимостью n-типа | n-leitende Schicht |
слой с проводимостью n-типа | n-Schicht |
слой умножения | Multiplikationsschicht |
слой формирования изображения | abbildende Schicht |
слой фоторезиста | Lackschicht |
слой фоторезиста | Resistschicht |
слой фоторезиста | Fotoresistschicht |
слой фоторезиста | Fotolackschicht |
слой фоторезиста с проявленным изображением | Resistbildschicht |
слой фотошаблона | Maskenebene |
снятие слоя | Schichtabtragung |
сопротивление запирающего слоя | Sperrwiderstand |
сопротивление запирающего слоя | Sperrschientwiderstand |
сопротивление запорного слоя | Sperrwiderstand |
сопротивление запорного слоя | Sperrschientwiderstand |
сопротивление обеднённого слоя | Sperrschichtwiderstand |
сопротивление промежуточного слоя | Zwischenschichtwiderstand |
удельное электрическое сопротивление слоя | Schichtwideretand |
удельное сопротивление слоя | Filmwiderstand |
стравливание до заданной толщины тонкого слоя | Dünnätzen (химическим методом) |
структура с несколькими эпитаксиальными слоями | Mehrfach-Epitaxie-Struktur |
структура, сформированная в слое резиста | Resiststruktur |
структура, сформированная в слое фоторезиста | Resiststruktur |
ступенька в оксидном слое | Oxidstufe |
схема межсоединений слоя | Schichtverbindungsnetzwerk |
температура запирающего слоя коллектора | Kollektorsperrschichttemperatur |
температура обеднённого слоя | Sperrschichttemperatur |
тепловое наращивание слоя окиси | thermisches Aufwachsen der Oxidschicht |
тепловое наращивание слоя окиси | thermische Oxydation |
термически наращённый слой | thermisch aufgewachsene Schicht |
технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Flotox |
технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Floating-Gate Tunnel Oxide |
технология МОП ИС с одним поликремниевым слоем | Einschichtpolysiliziumtechnik (затвора) |
технология МДП ИС с защитным оксидным слоем на поверхности подложки | PLANOX-Verfahren |
технология МДП ИС с защитным оксидным слоем на поверхности подложки | PLANOX-Maskentechnologie |
технология МНОП-структур с толстым слоем нитрида кремния | Metal-Thick Nitride Semiconductor |
технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем | SATO-Technik |
технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS-Verfahren |
технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | Local Oxydation of Silicon |
технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS |
технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS-Technik |
технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | Buried Oxide MOS |
технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS |
технология изготовления полупроводниковых ИС с изолирующим оксидным слоем | OXIM-Technik |
ток насыщения запирающего слоя | Sperrschichtsättigungsstrom |
токопроводящий слой | stromleitende Schicht |
толстый оксидный слой | dickes Oxid |
толщина базового слоя | Basisschichtdicke |
толщина запирающего слоя | Sperrschichtweite |
толщина запирающего слоя | Sperrschichtdicke |
толщина запорного слоя | Sperrschichtweite |
толщина запорного слоя | Sperrschichtdicke |
толщина оксидного слоя | Oxidschichtdicke |
толщина оксидного слоя | Oxidschichtstärke |
толщина оксидного слоя | Oxiddicke |
толщина оксидного слоя затвора | Gateoxiddicke |
толщина слоя SiO2 | Oxiddicke |
толщина слоя или плёнки | Schichtdicke |
толщина слоя половинного ослабления | Halbwertschichtdicke |
тонкий оксидный слой | dünnes Oxid |
топологический слой структуры ИС, получаемый при экспонировании через шаблон в процессе литографирования | lithografische Ebene |
травление до заданной толщины тонкого слоя | Dünnätzen (химическим методом) |
травление островок в маскирующем слое | Freiätzen der Inseln in der Maske |
транзистор с глубокообеднённым слоем | Deep-Depletion-Transistor |
транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения | Depletion Load Transistor |
транзистор с несколькими эпитаксиальными слоями | Multiepitaxietransistor |
удаление слоя | Schichtabtragung |
удельное сопротивление слоя | Flächenwiderstand |
усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | ASBC |
усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | Advanced Standard Buried-Collector |
усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | ASBC-Technik |
усовершенствованная ИС со скрытым коллекторным слоем, выполненная по базовой технологии ASBC | ASBC-Schaltkreis |
установка для нанесения слоя фоторезиста центрифугированием | Schleuderbeschichtungsanlage |
формирование рисунка в слое резиста | Resiststrukturierung |
формирование рисунка в слое фоторезиста | Resiststrukturierung |
формирование структур в слое резиста | Resiststrukturierung |
формирование структур в слое фоторезиста | Resiststrukturierung |
фосфорсиликатный слой | Phosphorsilikatschicht |
фотодиодный слой | Fotodiodenschicht |
фотозапирающий слой | Fotosperrschicht |
фотозапорный слой | Fotosperrschicht |
фотолитография с усиливающим контраст слоем | Contrast Enhancement Layer |
фотопроводящий слой | fotoleitende Schicht |
фоторезистивный слой | Fotowiderstandsschicht |
фоточувствительный слой | fotoaktive Schicht |
фоточувствительный слой | fotoempfindliche Schicht |
фоточувствительный слой | Fotoschicht |
фотоэмульсионный слой | Fotoemulsionsschicht |
химически осаждённый слой | chemisch abgeschiedene Schicht |
ширина базового слоя | Basisdicke |
ширина базового слоя | Basisweite |
ширина базового слоя | Basisbreite |
ширина запирающего слоя | Sperrschichtdicke |
ширина обеднённого слоя | Sperrschichtweite |
ширина обеднённого слоя | Verarmungsschichtbreite |
ширина обеднённого слоя | Sperrschichtbreite |
ширина слоя объёмного заряда | Breite der Raumladungszone |
ширина слоя объёмного заряда | Breite der Raumladungsschicht |
ширина слоя пространственного заряда | Breite der Raumladungszone |
ширина слоя пространственного заряда | Breite der Raumladungsschicht |
экранирующий слой | Abschirmungslage |
экранирующий слой | Abschirmschicht |
электролюминесцентный слой | Elektrolumineszenzschicht |
элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | DDC |
элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | Feldeffekttransistor mit dielektrischer Doppelschicht |
элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | Dual Dielectric Charge storage |
эмиссионный слой | emittierende Schicht |
эмиттерный слой | Emitterschicht |
эпитаксиально выращенный коллекторный слой | epitaxierte Kollektorschicht |
эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев | Halbleiterepitaxie |
эпитаксиальный р-слой | p-Epitaxieschicht |
эпитаксиальный слой | epitaktische Schicht |
эпитаксиальный n+-слой | n+-Epitaxieschicht |
эпитаксиальный слой | Epitaxialschicht |
эпитаксиальный слой с проводимостью р-типа | p-Epitaxieschicht |
эпитаксиальный слой n+-типа | n+-Epitaxieschicht |
ёмкость граничного слоя | Sperrschichtkapazität |
ёмкость запирающего слоя коллектора | Kollektorsperrschichtkapazität |
ёмкость инверсионного слоя | Inversionskapazitat |
ёмкость обедненного слоя эмиттерного перехода | Emittersperrschichtkapazität |
ёмкость обеднённого слоя коллекторного перехода | Kollektorsperrschichtkapazitat |
ёмкость оксидного слоя | Oxidschichtkapazität |