Russian | German |
асимметричный полевой транзистор с управляющим pn-переходом | Planar-Sperrschichtfeldeffekttransistor |
атомный переход | atomarer Übergang |
барьерная ёмкость коллекторного перехода | Kollektorsperrschichtkapazitat |
барьерная ёмкость эмиттерного перехода | Emittersperrschichtkapazität |
бесфононный переход | phononenloser Übergang |
варикап с обратносмещённым p-n-переходом | Sperrschichtvaraktor |
вероятность спонтанного перехода | Wahrscheinlichkeit des spontanen Übergangs |
вертикальный переход | vertikaler Übergang |
вертикальный переход | Vertikalübergang |
виртуальный переход | virtueller Übergang |
виртуальный переход | vertueller Übergang |
внутризонный переход | Intrabandübergang |
внутризонный переход | Innenbandubergang |
время перехода | Laufzeit |
время перехода | Übergangszeit |
время перехода из одного устойчивого состояния в другое | Kippzeit |
время перехода из одного устойчивого состояния в другое | Kippdauer |
выпрямитель с p-n-переходом | Sperrschichtgleichrichter |
выпрямляющий переход | gleichrichtender Übergang |
выращенный переход | gezogener Übergang |
вырожденный переход | entarteter Übergang |
генератор на переходе электронов | Gunn-Generator |
генератор на переходе электронов | Elektronenübergangsoszillator |
генератор на переходе электронов | Elektronenübergangsgenerator |
гетерогенный переход | HeteroÜbergang |
гетероструктурный переход | HeteroÜbergang |
гетероструктурный переход | Heterojunction |
гетероструктурный p-n-переход | Hetero-pn-Übergang |
глубина залегания перехода | Eindringtiefe des Übergangs |
глубина залегания перехода | Einlagerungstiefe des Übergangs |
глубина залегания перехода | Übergangstiefe |
гомогенный переход | Homoübergang |
гомоструктурный переход | HomoÜbergang |
гомоструктурный переход | Homojunction |
гомоструктурный p-n-переход | Homo-pn-Übergang |
дважды запрещённый бета-переход | zweifach verbotener Betaübergang |
дважды запрещённый бета-переход | verbotener Betaübergang zweiten Grades |
дважды запрещённый переход | verbotener Übergang zweiten Grades |
дважды запрещённый переход | zweifach verbotener Übergang |
двойная диффузия для формирования p-n-перехода | p-n-Doppeldiffusion |
двухступенчатый переход | Zweistufenübergang |
двухфотонный переход | Zweiphotonenübergang |
двухэлектронный переход | Zweielektronenübergang |
детектор перехода через нуль | Nulldurchgangsdetektor |
джозефсоновский мостиковый переход | Josephson-Brucke |
джозефсоновский переход | Josephson-Übergang |
джозефсоновский переход | Josephson-Barriere |
диаграмма фазовых переходов | Phasenübergangsdiagramm |
динамический элемент ЗУПВ на комбинированной структуре "МОП-транзистор полевой транзистор с p-n-переходом биполярный транзистор" | JCMOS |
диод на основе коллекторного перехода | Kollektordiode |
диод с p-n-переходом | pn-Diode |
диод с плоскостным p-n-переходом | Flächendiode |
диод с тянутым переходом | gezogene Diode |
диод с тянутым переходом | Diode mit gezogenem Übergang |
диод, шунтирующий переход | Diodennebenschluss (транзистора) |
диодный переход | Diodenübergang |
диффузионная ёмкость коллекторного перехода | Kollektordiffusionskapazitat |
диффузионная ёмкость эмиттерного перехода | Emitterdiffusionskapazität |
диффузионное сопротивление эмиттерного перехода | Emitterdiffusionswiderstand |
диффузионный p-n-переход | diffundierter pn-Struktur |
диффузионный p-n-переход | eindiffundierter pn-Struktur |
диффузионный p-n-переход | eindiffundierter pn-Übergang |
диффузионный p-n-переход | diffundierter pn-Übergang |
диффузионный переход | eindiffundierter Übergang |
диффузионный переход | Diffusionsübergang |
диффундированный переход | eindiffundierter Übergang |
диффундированный переход | diffundierter Übergang |
донорно-акцепторный переход | Donator-Akzeptor-Übergang |
запертый переход | gesperrter Übergang |
запирающий переход | sperrender Übergang |
запирающий переход | gesperrter Übergang |
затруднённый переход | unbegünstigter Übergang |
зона-зонный переход | Zonenübergang |
зона-зонный переход | Zonen-Zonen-Übergang |
зонная модель p-n-перехода | Bändermodell des pn-Übergangs |
идеальный переход металл полупроводник | Schottkysche Randschicht |
идеальный переход металл-полупроводник | Schottkysche Randschicht |
изолирующий переход | isolierender Übergang |
изолирующий переход | Isolierungsubergang |
инверсионный переход | Inversionsübergang |
инверсионный переход | invertierter Übergang |
инвертированный переход | invertierter Übergang |
инвертированный переход | Inversionsübergang |
инжекционный лазер на pn-переходе | Injektionslaser mit pn-Übergang |
инжекционный лазер на pn-переходе | Halbleiterinjektionslaser |
ионно-имплантированный переход | ionenimplantierter Übergang |
ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET |
ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar-SFET |
ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar Junction Field-Effect Transistor |
ИС на приборах с переходами Джозефсона | Josephson-IC |
ИС операционного усилителя на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Operationsverstärker |
ИС операционного усилителя на полевых транзисторах с p-n-переходом | J-FET-OP |
истоковый p-n-переход | Source-pn-Übergang |
истоковый переход | Quellenübergang |
n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-Kanal-SFET |
p-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | p-Kanal-JFET |
n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-Kanal-Sperrschicht-FET |
n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-Kanal-IFET |
n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-IFET |
каплевидный переход | tropfenförmiger Übergang |
квазирезкий переход | quasiabrupter Übergang |
КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами | Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS |
колебательно-вращательный переход | Rotationsschwingungsübergang |
колебательный переход | Schwingungsübergang |
коллекторный переход | Kollektor-Basis-Übergang |
коллекторный переход | B-C-Übergang |
коллекторный переход | Kollektorubergang |
коллекторный переход | Basis-Kollektor-Übergang |
коллекторный переход в виде барьера Шоттки | Schottky-Kollektor |
команда перехода | Verzweigungsbefehl |
комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2-MOS-Prozess (см. LC-CMOS) |
комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2MOS (см. LC-CMOS) |
комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
конденсатор на полевых транзисторах с p-n-переходом | Charge Storage IFET |
конденсатор на полевых транзисторах с p-n-переходом | Feldeffekttransistor mit Ladungsspeicherung |
конденсатор на полевых транзисторах с p-n-переходом | CSIFET |
концентрация носителей заряда в приграничном слое коллекторного перехода | Kollektorrandkonzentration |
кристалл полупроводникового прибора с p-n-переходом | pn-Kristall |
кристаллографический переход | kristallografischer Übergang |
лазер на pn-переходе | Laser mit pn-Übergang |
лазер на pn-переходе | Halbleiterlaser |
магнетооптический переход | magnetooptischer Übergang |
магнитный переход | magnetischer Übergang |
максимально-допустимая температура перехода | maximal zulässige Sperrschichttemperatur |
междолинный переход | Zwischentalübergang (электронов) |
междудолинный переход | Zwischentalübergang |
междузонный переход | Zonenübergang |
междузонный переход | Übergang zwischen den Bändern |
междузонный переход | Band-Band-Übergang |
межзонный переход | Interzonenubergang |
межзонный переход | interzonaler Übergang |
межзонный переход | Interbandubergang |
межзонный переход | Bandübergang |
межпримесный переход | Zwischenstörstellenübergang |
межпримесный переход | Störstellenübergang |
межпримесный переход | Interstorstellenubergang |
мелкий переход | flacherflachliegender Übergang |
микросплавной переход | mikrolegierter Übergang |
многократный переход | Mehrfachübergang |
многофотонный переход | Mehrphotonenübergang |
мощность, рассеиваемая на переходе база эмиттер | Basis-Emitter-Verlustleistung |
мощность, рассеиваемая на переходе база-эмиттер | Basis-Emitter-Verlustleistung |
мощность рассеяния на эмиттерном переходе | Basis-Emitter-Verlustleistung |
накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | CSIFET |
накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | Feldeffekttransistor mit Ladungsspeicherung |
накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | Charge Storage IFET |
напряжение коллекторного перехода | Kollektor-Basis-Spannung |
напряжение коллекторного перехода | Basis-Kollektor-Spannung |
напряжение насыщения перехода база эмиттер | Basisemittersättigungsspannung |
напряжение насыщения эмиттерного перехода | Basisemittersättigungsspannung |
напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | Zener-Spannung |
напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | Z-Spannung |
напряжение эмиттерного перехода | Emitter-Basis-Spannung |
напряжение эмиттерного перехода | Basis-Emitter-Spannung |
неглубокий переход | flacher Übergang |
ненагруженный переход | unbelasteter Übergang |
непрямой межзонный переход | indirekter Bandübergang |
непрямой переход | indirekter Übergang |
несимметричный p-n-переход | unsymmetrischer pn-Struktur |
несимметричный p-n-переход | unsymmetrischer pn-Übergang |
несимметричный переход | unsymmetrischer Übergang |
несимметричный переход | asymmetrischer Übergang |
обеднённый слой коллекторного перехода | Kollektor-Basis-Sperrschicht |
обеднённый слой коллекторного перехода | Kollektorsperrschicht |
обеднённый слой коллекторного перехода | Basis-Kollektor-Sperrschicht |
обеднённый слой p-n-перехода | Übergangssperrschicht |
обеднённый слой p-n-перехода | pn-Sperrschicht |
обеднённый слой эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
обеднённый слой эмиттерного перехода | Emitter-Basis-Sperrschicht |
обеднённый слой эмиттерного перехода | Emittersperrschicht |
обеднённый слой эмиттерного перехода | Basis-Emitter-Sperrschicht |
область генерации полупроводникового лазера в виде полоски с поперечным p-n-переходом | Transverse Junction Strip |
область объёмного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
область перехода | Übergangsschicht |
область перехода | Übergangszone |
область перехода | Sperrzone |
область p-n-перехода | pn-Übergangszone |
область пространственного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
обратно смещённый переход | sperrvorgespannter Übergang in Sperrichtung vorgespannter Übergang |
обратное напряжение на коллекторном переходе | Kollektorsperrspannung |
обратное напряжение на коллекторном переходе | Basis-Kollektor-Sperrspannung |
обратное смещение коллекторного перехода | Kollektorsperrspannung |
обратное смещение коллекторного перехода | Basis-Kollektor-Sperrspannung |
обратное сопротивление перехода | Übergangssperrwiderstand |
обратное сопротивление перехода | Sperrwiderstand |
обратносмещённый переход | sperrvorgespannter Übergang |
обратносмещённый p-n-переход | in Sperrichtung betriebener pn-Übergang |
обратносмещённый p-n-переход | in Sperrichtung vorgespannter pn-Struktur |
обратносмещённый переход | in Sperrichtung vorgespannter Übergang |
обратносмещённый p-n-переход | in Sperrichtung betriebener pn-Struktur |
обратный ток коллекторного перехода при закороченном переходе эмиттер база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
обратный ток коллекторного перехода при закороченном переходе эмиттер-база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
обратный ток коллекторного перехода при коротком замыкании между эмиттером и базой | Kollektorreststrom bei Kurzschluss zwischen Basis und Emitter |
обратный ток коллекторного перехода при разомкнутой базе | Kollektorstrom bei offenem Basisanschluss |
обратный ток коллекторного перехода при разомкнутом эмиттере | Kollektorreststrom bei offenem Emitteranschluss |
обратный ток перехода затвор исток | Gate-Source-Sperrstrom (при разомкнутом выводе) |
обратный ток перехода затвор сток | Gate-Drain-Sperrstrom (при разомкнутом выводе) |
обратный ток перехода затвор-исток | Gate-Source-Sperrstrom (при разомкнутом выводе) |
обратный ток перехода затвор-сток | Gate-Drain-Sperrstrom (при разомкнутом выводе) |
обратный ток утечки через коллекторный переход при коротком замыкании эмиттер база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
обратный ток утечки через коллекторный переход при коротком замыкании эмиттер-база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
обратный ток утечки через эмиттерный или коллекторный переход биполярного транзистора при холостом ходе на выходе или на входе | Leerlaufreststrom |
однократно запрещённый бета-переход | verbotener Betaübergang ersten Grades |
однократно запрещённый бета-переход | einfach verbotener Betaübergang |
однократно запрещённый переход | verbotener Übergang ersten Grades |
однократно запрещённый переход | einfach verbotener Übergang |
односторонний ступенчатый переход | unsymmetrischer Übergang (переход, у которого одна сторона легирована значительно сильнее другой) |
односторонний ступенчатый переход | asymmetrischer Übergang |
односторонний ступенчатый p-n-переход | asymmetrischer Übergang |
односторонний ступенчатый p-n-переход | unsymmetrischer Übergang (переход, у которого одна сторона легирована значительно сильнее другой) |
односторонний ступенчатый p-n-переход | asymmetrischer Übergang (переход, у которого одна сторона легирована значительно сильнее другой) |
односторонний ступенчатый переход | asymmetrischer Übergang (переход, у которого одна сторона легирована значительно сильнее другой) |
односторонний ступенчатый p-n-переход | unsymmetrischer pn-Struktur |
одно-сторонний ступенчатый p-n-переход | unsymmetrischer pn-Übergang |
однофотонный переход | Einquantenübergang |
однофотонный переход | Einphotonenübergang |
Оже-переход | Auger-Übergang |
оксид туннельного перехода | Tunneloxid |
омический переход | ohmscher Übergang |
оптический переход | optischer Übergang |
отношение сопротивлений p-n-перехода в запертом и открытом состояниях | Sperrverhältnis |
отрицательная проводимость перехода | negativer differentieller Leitwert (дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви ВАХ туннельного диода, диода Ганна) |
отрицательная проводимость перехода | negative differentielle Leitfähigkeit (дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви ВАХ туннельного диода, диода Ганна) |
отрицательное сопротивление перехода | negativer differentieller Widerstand (туннельного диода) |
падение напряжения на эмиттерном переходе | Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke |
пассивирование перехода | Sperrschichtpassivierung |
переход база коллектор | Basis-Kollektor-Übergang |
переход база коллектор | B-C-Übergang |
переход база эмиттер | Basis-Emitter-Übergang |
p-n-переход база-коллектор | Kollektor-pn-Übergang |
p-n-переход в германии | Ge-pn-Übergang |
p-n-переход в кремнии | Silizium-pn-Übergang |
переход Джозефсона | Josephson-Barriere |
переход донорный уровень-валентная зона | Donator-Valenzband-Übergang |
переход затвор канал | Gatekanaldiode |
переход затвор канал | Gate-Kanal-Übergang |
p-n-переход затвора | Gate-pn-Übergang |
переход затвор-канал | Gatekanaldiode |
переход затвор-канал | Gate-Kanal-Übergang |
переход зона примесный уровень | Band-Störstellen-Übergang |
переход зона проводимости акцепторный уровень | Leitungsband-Akzeptor-Übergang |
переход зона проводимости-акцепторный уровень | Leitungsband-Akzeptor-Übergang |
переход зона-примесный уровень | Band-Störstellen-Übergang |
переход из нормального состояния в сверхпроводящее | n-s-übergang |
переход из одного связанного состояния в другое | Gebunden-gebunden-Übergang |
переход исток канал | Source-Kanal-Übergang |
переход исток подложка | Source-Substrat-Übergang |
переход исток подложка | Quellen-Substrat-Übergang |
p-n-переход исток подложка | Quellen-Substrat-pn-Übergang |
переход истока | Quellenübergang |
p-n-переход истока | Source-pn-Übergang |
переход исток-канал | Source-Kanal-Übergang |
переход исток-подложка | Source-Substrat-Übergang |
переход исток-подложка | Quellen-Substrat-Übergang |
переход канал подложка | Übergang zwischen Substrat und Kanal |
переход канал-подложка | Übergang zwischen Substrat und Kanal |
p-n-переход коллектор база | Kollektor-pn-Übergang |
p-n-переход коллектор подложка | Kollektor-Substrat-pn-Übergang |
переход коллектор подложка | Kollektor-Substrat-Übergang |
переход коллектора | Kollektorübergang |
переход коллектор-подложка | Kollektor-Substrat-Übergang |
переход между подзонами | Übergang zwischen Subbändern |
переход между подзонами | Subbandübergang |
переход между подуровнями | Übergang zwischen Subniveaus |
переход между энергетическими состояниями | Übergang zwischen Energiezuständen den Niveaus |
переход металл полупроводник | Metall-Halbleiter-Übergang |
переход на аварийное питание | Überbrückung |
переход накачки | Pumpübergang |
переход, образованный изменением концентрации примеси | Konzentrationeubergang (n-n+-переход или p-p+-переход) |
переход, образованный изменением концентрации примеси, p+-p) | Dichteübergang |
переход, образованный изменением концентрации примеси | Dichteübergang (n+-n, р+-р) |
переход, образованный легированием | Dotierungsübergang |
переход Оже | Auger-Übergang |
переход оптической накачки | optischer Pumpübergang |
переход плазма-металл | Plasma-Metall-Übergang |
переход подложка коллектор | Substrat-Kollektorgebiet-Übergang |
переход подложка-коллектор | Substrat-Kollektorgebiet-Übergang |
переход полупроводник с примесной проводимостью полупроводник с собственной | Dichteübergang |
переход полупроводник с примесной проводимостью-полупроводник с собственной проводимостью | Dichteübergang |
переход, полученный ионной имплантацией | ionenimplantierter Übergang |
переход примесный уровень зона | Störstellen-Band-Übergang |
переход примесный уровень-зона | Störstellen-Band-Übergang |
переход с линейным распределением примеси | Übergang mit kontinuierlicher Störstellenverteilung |
переход с линейным распределением примеси | Übergang mit kontinuierlicher Fremdstoffverteilung |
p-n-переход с обратным смещением | in Sperrichtung vorgespannter pn-Struktur |
p-n-переход с обратным смещением | in Sperrichtung betriebener pn-Struktur |
p-n-переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах | symmetrischer pn-Übergang |
p-n-переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах | symmetrischer Übergang |
переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах | symmetrischer Übergang |
p-n-переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах | symmetrischer pn-Struktur |
переход с плавным профилем распределения примеси | Übergang mit kontinuierlicher Störstellenverteilung |
переход с толстой базой | Übergang mit dicker Basis |
переход с тонкой базой | Übergang mit dünner Basis |
переход с увеличением концентрации примеси | LH-Übergang (p-p+-переход, n-n+-переход) |
переход с уменьшением концентрации примеси | HL-Übergang (p+-p-переход, n+-n-переход) |
переход между уровнями сверхтонкой структуры | Hyperfeinübergang |
переход между уровнями сверхтонкой структуры | Hyperfeinstrukturübergang |
p-n-переход сток подложка | Senken-Substrat-pn-Übergang |
переход сток подложка | Senken-Substrat-Übergang |
p-n-переход сток подложка | Drain-Substrat-pn-übergang |
переход стока | Drainübergang |
p-n-переход стока | Drain-pn-übergang |
p-n-переход стока | Senkenübergang |
переход сток-подложка | Senken-Substrat-Übergang |
p-n-переход эмиттер база | Emitter-Basis-pn-Übergang |
переход эмиттера | Emitterübergang |
p-n-переходы, встречно-параллельные подложке | rückwärtige pn-Übergänge zum Substrat |
p-n-переходы, встречно-параллельные подложке | rückwärtige pn-Übergange zum Substrat |
ПЗС на полевых транзисторах с p-n-переходом | Junction CCD |
ПЗС на полевых транзисторах с p-n-переходом | JECD |
ПЗС-структура на полевых транзисторах с p-n-переходом | Sperrschicht-CCD-Struktur |
плавно суживающийся волноводный переход | Taper |
плавный волноводный переход | Taper |
плавный переход | kontinuierlicher Übergang |
плавный p-n-переход | linearer pn-Struktur |
плавный p-n-переход | almählicher pn-Struktur |
плавный p-n-переход | graduierter pn-Struktur |
плавный p-n-переход | linearer Übergang |
плавный переход | stetiger Übergang |
плавный p-n-переход | graduierter pn-Übergang |
плавный p-n-переход | linearer pn-Übergang |
плавный p-n-переход | almählicher pn-Übergang |
плавный переход | linearer Übergang |
плавный переход | allmählicher Übergang |
планарный переход | planarer Übergang |
планарный переход | Planarübergang |
пленарный переход | planarer Übergang |
пленарный полевой транзистор с p-n-переходом | Planar-Sperrschichtfeldeffekttransistor |
плоский переход | flächenhafter Übergang |
плоский переход | flächenförmiger Übergang |
плоский переход | Flächenübergang |
плоскость перехода | Übergangsebene |
поверхностно-барьерный переход | Randschichtübergang |
поверхностно-барьерный переход | Oberflächensperrschichtübergang |
поверхность раздела p-n-перехода | Übergangsgrenzfläche |
полевой транзистор с вертикальным p-n-переходом | Vertikalübergang-FET |
полевой транзистор с вертикальным p-n-переходом | Vertical-Junction FET |
полевой транзистор с p-n-переходом | pn-Sperrschichtfeldeffekt-transistor |
полевой транзистор с p-n-переходом | pn-SFET |
полевой транзистор с p-n-переходом | Junction Field-Effect Transistor |
полевой транзистор с p-n-переходом | Sperrschicht-FET |
полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | SFET |
полевой транзистор с p-n-переходом | pn-Sperrschichtfeldeffekttransistor |
полевой транзистор с p-n-переходом | Sperrschichtfeldeffekttransistor |
полевой транзистор с p-n-переходом на GaAs | GaAs-SFET |
полевой транзистор с p-n-переходом на арсениде галлия | GaAs-SFET |
полевой транзистор с плоскостным переходом | Flächenfieldistor |
полевой транзистор с плоскостным p-n-переходом | Flächenfieldistor |
полевой транзистор с управляющим pn-переходом | Sperrschichtfeldeffekt-Transistor SFET |
полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | pn-gesteuerter Feldeffekttransistor |
пологий переход | flacher Übergang |
полоска с поперечным p-n-переходом | Transverse Junction Strip |
полупроводник с непрямыми переходами | indirekter Halbleiter |
полупроводник с прямыми переходами | direkter Halbleiter |
полупроводниковый переход | Halbleiterübergang |
полупроводниковый полосковый лазер с поперечным p-n-переходом | TJS-Laser |
полупроводниковый прибор с p-n-переходами | Sperrschicht-Halbleiterbauelement |
полупроводниковый прибор с p-n-переходом | Sperrschicht-Halbleiterbauelement |
полусферический переход | halbsphärischer Übergang |
полусферический переход | halbkugelförmiger Übergang |
последовательность слоев с p-n-переходом | pn-Folge |
последовательность слоев с p-n-переходом | pn-Schichtfolge |
потенциал перехода | Übergangspotential |
прибор на переходах Джозефсона | Josephson-Element |
прибор на переходах Джозефсона | Josephson-Bauelement |
прибор на эффекте междолинного перехода электронов | TED |
прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Transferred Electron Device |
прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Elektronentransferelement |
прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Elektronentransferbauelement |
приграничная область p-n-перехода | Sperrschichtrandzone |
примесный переход | Störstellenübergang |
пробой перехода в связи с увеличением напряжённости электрического поля в переходе | elektrischer Durchbruch |
пробой перехода в связи с увеличением напряжённости электрического поля в переходе | Felddurchbruch |
пробой pn-перехода | Durchschlag eines pn-Überganges |
пробой pn-перехода | Durchbruch eines pn-Überganges |
пробой перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Durchbruch |
пробой перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Durchbruch |
пробой перехода затвор сток | D-G-Durchbruch |
пробой перехода затвор-сток | D-G-Durchbruch |
пробой эмиттерного перехода | Basis-Emitter-Durchbruch |
прямое напряжение перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Schleusenspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
прямое напряжение перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Flussspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
прямое напряжение перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Schleusenspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
прямое напряжение перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Flussspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
прямое сопротивление перехода | Durchlaßwideretand |
прямой межзонный переход | direkter Bandübergang |
прямой переход | vertikaler Übergang |
прямой переход | Direktsprung |
прямосмещённый переход | in Durchlassrichtung vorgespannter Übergang |
прямосмещённый переход | in Flussrichtung vorgespannter Übergang |
прямосмещённый p-n-переход | in Durchlassrichtung vorgespannter pn-Struktur |
прямосмещённый p-n-переход | in Durchlassrichtung betriebener pn-Übergang |
прямосмещённый p-n-переход | in Durchlassrichtung betriebener pn-Struktur |
р+-n-переход | p+-n-Übergang |
размытый переход | unscharfer Übergang |
реактанц перехода | Übergangsreaktanz |
реактанц перехода | Reaktanz eines Übergangs |
резкий переход | steiler Übergang |
резкий p-n-переход | abrupter Übergang |
резконесимметричный p-n-переход | abrupter pn-Übergang |
резконесимметричный p-n-переход | abrupter pn-Struktur |
резонансная частота перехода | Übergangsresonanzfrequenz |
резонансный переход | Resonanzübergang |
резонансный переход | Resonanzdurchtritt |
рекомбинационный переход | Rekombinationsübergang |
рекристаллизационный переход | Rekristallisationsübergang |
рекристаллизационный p-n-переход | Rekristallisations-pn-Übergang |
р-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | p-Kanal-SFET |
сверхразрешённый бета-переход | übererlaubter Betaübergang |
сверхразрешённый бета-переход | höchsterlaubter Betaübergang |
сверхразрешённый переход | übererlaubter Übergang |
сверхразрешённый переход | höchsterlaubter Übergang |
сверхрезкий p-n-переход | hyperabrupter Übergang |
сверх-резкий p-n-переход | hyperabrupter pn-Übergang |
сверхрезкий переход | hyperabrupter Übergang |
сверхрезкий p-n-переход | hyperabrupter pn-Struktur |
светящийся переход | leuchtender Übergang |
светящийся переход | lumineszierender Übergang |
светящийся переход | Lumineszenzübergang |
сегнетоэлектрический переход | seignetteelektrischer Übergang |
симметричный p-n-переход | symmetrischer pn-Übergang |
симметричный переход | symmetrischer Übergang |
симметричный p-n-переход | symmetrischer pn-Struktur |
слаборазрешённый переход | unbegünstigter Übergang |
смещение перехода | Übergangsvorspannung |
смещённый переход | vorgespannter Übergang |
смещённый p-n-переход | vorgespannter pn-Struktur |
смыкание переходов | Durchgreifen |
солнечный элемент с pn-переходом | Sperrschichtsonnenenergiewandler auf dem Prinzip des Sperrschichtfotoeffekts beruhender Sonnenenergiewandler |
стоковый p-n-переход | Drain-pn-übergang |
стоковый p-n-переход | Senkenübergang |
структура перехода | Struktur des Übergangs |
ступенчатый переход | abrupter Übergang |
ступенчатый p-n-переход | abrupter Übergang |
ступенчатый p-n-переход | abrupter pn-Übergang |
ступенчатый p-n-переход | abrupter pn-Struktur |
таблица переходов | Zustandstabelle (триггера) |
таблица переходов | Übergangstabelle |
таблица переходов | Wahrheitstabelle (триггера) |
таблица переходов | Wahrheitstafel (триггера) |
таблица переходов | Funktionstabelle (триггера) |
таблица переходов | Funktionsmatrix (триггера) |
тактовый переход | Taktimpulsübergang |
температура перехода | Sperrschichttemperatur |
температура перехода | Sprungtemperatur (в сверхпроводящее состояние) |
температура перехода | Übergangstemperatur |
температура p-n-перехода | Sperrschichttemperatur |
температура перехода в жидкое состояние | Liquidustemperatur |
температура перехода в твёрдое состояние | Solidustemperatur |
термооптический переход | thermooptischer Übergang |
технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Technik |
технология КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами | Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS |
толщина pn-перехода | Weite des pn-Übergangs |
толщина pn-перехода | Dicke des pn-Übergangs |
тонкий переход | schmaler Übergang |
точечный переход | Spitzenkontaktübergang |
точечный переход | punktförmiger Übergang |
травление перехода | Ätzen des Übergangs |
транзистор с выращенными переходами | Rategrowntransistor |
биполярный транзистор с коллекторным переходом в виде барьера Шоттки | Schottky-Kollektor-Barrierentransistor |
биполярный транзистор с коллекторным переходом в виде барьера Шоттки | Schottky-Kollektor-Transistor |
биполярный транзистор с коллекторным переходом в виде барьера Шоттки | Schottky-Barrieren-Kollektor-Transistor |
биполярный транзистор с коллекторным переходом на барьере Шоттки | Schottky-Kollektor-Transistor |
биполярный транзистор с коллекторным переходом на барьере Шоттки | Schottky-Kollektor-Barrierentransistor |
биполярный транзистор с коллекторным переходом на барьере Шоттки | Schottky-Barrieren-Kollektor-Transistor |
транзистор с плоскостными p-n-переходами | Flächentransistor |
трёхфотонный переход | Dreiphotonenübergang |
узкий переход | schmaler Übergang |
управляемый p-n-переход | gesteuerter pn-Struktur |
управляющий переход | steuerbarer Übergang |
фотодиод с p-n-переходом | pn-Fotodiode |
характеристика перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Kennlinie |
характеристика перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Kennlinie |
характеристика эмиттерного перехода | Basis-Emitter-Kennlinie |
частота переходов | Übergangsfrequenz |
экспоненциальный переход | exponentieller Übergang |
электрический квадрупольный переход | elektrischer Quadrupolübergang |
электронно-фононный переход | Elektronen-Phononen-Übergang |
электронно-электронный переход | nn-Übergang |
эмиттерный p-n-переход | Emitter-pn-Übergang |
эмиттерный переход | E-B-Übergang |
эмиттерный p-n-переход | Emitter-Basis-pn-Übergang |
эмиттерный переход | Basis-Emitter-Übergang |
энергия перехода | Übergangsenergie |
эпипланарный переход | Epiplanarübergang |
эпитаксиально-планарный переход | Epiplanarübergang |
эпитаксиальный переход | Epitaxieübergang |
эпитаксиальный переход | Epitaxialübergang |
эпитаксиальный пленарный переход | Epiplanarübergang |
эффект перехода резистивных свойств субмикронных элементов микросхем в изолирующие при достижении предельной степени миниатюризации | Size-Induced Metal-Insulator Transition |
ёмкость коллекторного перехода | Kapazitat des Kollektorubergangs |
ёмкость коллекторного перехода | Kollektorkapazitat |
ёмкость обедненного слоя эмиттерного перехода | Emittersperrschichtkapazität |
ёмкость обеднённого слоя коллекторного перехода | Kollektorsperrschichtkapazitat |
ёмкость перехода | Kapazitat des pn-Übergangs |
ёмкость перехода | Kapazität des pn-Übergangs |
ёмкость перехода | Sperrschichtkapazität (напр., туннельного диода) |
ёмкость p-n-перехода перехода | Kapazitat des pn-Übergangs |
ёмкость эмиттерного перехода | Kapazitat des Emitterubergangs |
ёмкость эмиттерного перехода | Emitterkapazität |