Russian | German |
адресная область | Adressbereich (памяти) |
адресная область | Adressenbereich (памяти) |
активная область | aktiv-normaler Betriebsbereich |
активная область | aktiver normaler Betriebsbereich |
активная область | normaler Arbeitsbereich |
активная область | aktiver Bereich |
активная область | aktiv-normaler Bereich |
активная область базы | aktive Basiszone |
активная область базы | aktives Basisgebiet |
активная область базы | aktiver Basisbereich |
активная часть базовой области | aktive Basiszone |
активная часть базовой области | Aktivteil der Basiszone |
базовая область | Basis |
базовая область | Basisschicht |
базовая область | Basisgebiet |
базовая область с проводимостью р-типа | p-Basisgebiet |
время спада в области насыщения | Sättigungsabfallzeit |
вывод изображений на разделённый на области экран | Split-Screen-Darstellung |
высокоомная область | hochohmiger Bereich |
германиевый кристалл полупроводниковой ИС полупроводниковая область с проводимостью n-типа с электронной проводимостью | leitender Pfad leitender n-leitendes |
граница между линейным участком характеристики и областью насыщения | Abschnürgrenze |
граница области стеклования | Grenze des Verglasungsbereichs |
граничный слой коллекторной области | Kollektorrandschicht |
граничный слой коллекторной области | Kollektorgrenzschicht |
диффузионная коллекторная n+-область | n+-Kollektor-Diffusions-Gebiet |
диффузионная область | Diffusionszone |
диффузионная область | Diffusionsgebiet |
диффузионная область | eindiffundiertes Gebiet |
диффузионная p-область | p-diffundierte Zone |
диффузионная область | Diffusionsbereich |
запоминающий элемент с конусной изолирующей оксидной областью | taperisolierte Zelle |
запретная область | verbotenes Band |
запретная область | verbotene Zone |
запретная область | verbotener Energiebereich |
запретная область | Energielücke |
запрещённая область | verbotener Energiebereich |
запрещённая область | verbotenes Band |
запрещённая область | verbotene Zone |
запрещённая область | Energielücke |
затворная область | Gatezone |
изолирующая область | Isolationszone |
изолирующая область | Isolationsgebiet |
изолирующая p+-область | p+-Sperrschichtzaun |
изолирующая n-область | n-Isolationsgebiet |
изолирующая SiO2-область | SiO2-Isolationsgebiet |
изолирующая р-область | p-Isolationsgebiet |
имплантация каналоограничивающих областей | Kanalstopperimplantation |
имплантация областей с индуцированным каналом | Enhancementimplantation |
имплантация областей с МДП-структурой с обеднением канала | Depletionimplantation |
имплантированная каналоограничивающая область | Kanalstopperimplantation |
имплантированная область с индуцированным каналом | Enhancementimplantation |
имплантированная область с МДП-структурой с обеднением канала | Depletionimplantation |
интегральная структура с совмещёнными областями | verschmolzene Struktur |
истоковая область | Source-Zone |
истоковая область | Sourcegebiet |
истоковая область | Quellengebiet |
квазинейтральная область | quasineutrales Gebiet |
квазинейтральная область | quasineutraler Bereich |
коллекторная область | Kollektorschicht |
коллекторная область | Kollektorgebiet |
коллекторная область | Kollektorzone |
коллекторная область | Kollektor |
коллекторная n+-область | n+-Kollektorgebiet |
коллекторная область | Kollektorbereich |
контакт к области базы | Basiskontakt |
p+-контакт p+-области | p+-Kontakt |
контакт n+-области | n+-Kontakt |
контакт р+-области | p+-Kontakt |
контактная n+-область | n+-Kontaktgebiet |
контактная область истока | Sourcekontaktgebiet |
контактная область стока | Drainkontaktgebiet |
контактная р+-область | p+-Kontaktgebiet |
конусная изолирующая оксидная область | Taperregion |
легирование базовой области | Basisdotierung |
легированная область | Dotierungsgebiet |
легированная область | Dotierungsbereich |
линейная область | aktiver Bereich |
линейная область | ohmscher Bereich |
линейная область | linearer ohmscher Bereich |
линейная область | linearer Bereich |
линейная область | linearer Arbeitsbereich |
линейная область | Triodenbereich |
линейная область | Flussbereich (диода с p-n-переходом, транзистора) |
линейная область | Durchlassbereich (диода с p-n-переходом, транзистора) |
линейная область рабочих характеристик | linearer Kennlinienbereich (МДП-транзистора) |
малосигнальная область | Kleinsignalbereich |
маска для формирования изолирующих областей | Isolationsmaske |
меза-область | MesaBereich |
многодоменная область | Mehrdomänengebiet (в диоде Ганна) |
надпороговая область | Postthreshold-Bereich |
обеднённая область | Verarmungsbereich |
обеднённая область | Verarmungsgebiet |
обеднённая область | Sperrschichtbereich |
обеднённая область | Sperrschichtzone |
обеднённая область | Verarmungsraumladungszone |
обеднённая область | Entblößungszone |
область активного режима | aktiver normaler Betriebsbereich |
область активного режима | normaler Arbeitsbereich |
область активного режима | aktiv-normaler Betriebsbereich |
область активного режима | aktiv-normaler Bereich |
область базы | Basisgebiet |
область барьера | Übergangszone |
область барьера | Übergangsgebiet |
область барьера | Sperrzone |
область взаимодействия | Wechselwirkungszone |
область высоких характеристик | High-end-Bereich |
область генерации полупроводникового лазера в виде полоски с поперечным p-n-переходом | Transverse Junction Strip |
область фазового дрожания | Jitterbereich |
область дырочной проводимости | p-leitendes Gebiet |
область запирания | Sperrzone |
область затвора | Torbereich |
область затвора | Gatezone |
область захвата | Rekombinationsgebiet |
область захвата | Einfangzone |
область захватывания | Rekombinationsgebiet |
область захватывания | Einfangzone |
область сильной инверсии | Inversionsbereich |
область инверсно-активного режима | aktiv-inverser Betriebsbereich |
область истока | Sourcegebiet |
область истока | Source-Zone |
область истока | Quellengebiet |
область истощения | Erschöpfungsbereich |
область истощения | Verarmungsgebiet |
область истощения | Entblößungsgebiet |
область истощения примесных центров | Erschöpfungsbereich (диапазон температур, в котором ионизованы все примесные атомы в полупроводнике, но собственная проводимость ещё незначительна) |
область истощения примесных центров | Erschöpfungsgebiet (диапазон температур, в котором ионизованы все примесные атомы в полупроводнике, но собственная проводимость ещё незначительна) |
область истощения примесных центров | Bereich der Störstellenerschöpfung |
область колебаний | Schwingungsbereich |
область коллектора | Kollektorgebiet |
область коллектора | Kollektorzone |
область коллектора | Kollektorbereich |
область кристаллизации | Kristallisationsgebiet |
область модуляции | Aussteuerungsbereich |
область модуляции | Aussteuerbereich |
область надёжной работы | Safe Operation Area |
область надёжной работы | Safe Operation Area |
область надёжной работы | sicherer Arbeitsbereich (транзистора) |
область надёжной работы транзистора при обратном смещении | sicherer Arbeitsbereich bei in Sperrichtung gepolter Basis-Emitterstrecke |
область надёжной работы транзистора при обратном смещении | Reverse Bias Safe Operation Area |
область накопления | Speichergebiet |
область накопления заряда | Speichergebiet |
область накопления носителей | Akkumulationebereich (заряда) |
область насыщения | Übersteuerungebereich (биполярного транзистора) |
область насыщения | Einschnürgebiet (рабочих характеристик МДП-транзистора) |
область насыщения | Einschnürbereich (рабочих характеристик МДП-транзистора) |
область невысоких характеристик | Low-end-Bereich |
область неопределённости | Unbestimmtheitsbereich |
область низких характеристик | Low-end-Bereich |
область объёмного заряда | Raumladungsschicht |
область объёмного заряда | Raumladungszone |
область объёмного заряда | Raumladungsgebiet |
область объёмного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
область отсечки | Sperrbereich (напр., биполярного транзистора) |
область отсечки | Sperrzone |
область отсечки | Abschnürbereich |
область перевозбуждения | Übersteuerungsbereich |
область перекрытия канала | Einschnürgebiet |
область перекрытия канала | Einschnürbereich |
область перемодуляции | Übersteuerungsbereich |
область переноса носителей | Transferbereich |
область перехода | Übergangszone |
область перехода | Sperrzone |
область перехода | Übergangsschicht |
область p-n-перехода | pn-Übergangszone |
область поверхностного заряда | Oberflächenladungszone |
область поверхностного заряда | Oberflächenladungsgebiet |
область подпороговый напряжения | Unterschwellenspannungsbereich (Бадриддин Рахматов) |
область пробоя | Durchbruchsgebiet |
область пробоя | Durchschlagsgebiet |
область пробоя | Durchbruchgebiet |
область пропускания | Flussbereich |
область пространственного заряда | Raumladungsbereich |
область пространственного заряда | Raumladungszone |
область пространственного заряда | Raumladungsschicht |
область пространственного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
область работы транзистора | Betriebsbereich des Transistors |
область работы транзистора | Arbeitsbereich des Transistors |
область рабочих характеристик | Kennlinienbereich (транзистора) |
область распределённого сопротивления | Bahngebiet |
область распределённого сопротивления базы | Basisbahngebiet |
область распределённого сопротивления n+-коллектора | n+-Kollektorbahngebiet |
область распределённого сопротивления коллектора | Kollektorbahngebiet |
область распределённого сопротивления эмиттера | Emitterbahngebiet |
область рассеяния | Streübereich |
область расслаивания | Entmischungsgebiet |
область резерва неионизированных примесных центров | Bereich der Störstellenreserve |
область р-типа | p-Bereich |
область с проводимостью р-типа | p-leitendes Gebiet |
полупроводниковая область с проводимостью р-типа | p-leitendes Halbleitergebiet |
область с проводимостью р-типа | p-leitende Zone |
область р+-типа | p+-Zone |
область р+-типа | p+-Gebiet |
область Рэлея | Rayleigh-Bereich |
область с дырочной проводимостью | p-Zone |
область с дырочной проводимостью | p-Gebiet |
область с дырочной проводимостью | p-Bereich |
область с проводимостью р-типа | p-Gebiet |
область с проводимостью р-типа | p-Zone |
область с проводимостью р-типа | p-Bereich |
область с проводимостью n-типа | n-Gebiet |
область с проводимостью p-типа | p-Bereich |
область с проводимостью p-типа | p-Zone |
область с проводимостью n-типа | n-Zone |
область с проводимостью n-типа | n-Bereich |
область с электронной проводимостью | n-Gebiet |
область с электронной проводимостью | n-Zone |
область с электронной проводимостью | n-Bereich |
область сильной инверсии | Postthreshold-Bereich |
область скопления | Anhäufungszone (носителей) |
область слабой инверсии | Subthresholdbereich |
область собственного поглощения | Grundgitterabsorptionsgebiet |
область собственной проводимости | i-leitendes Gebiet |
область собственной проводимости | intrinsic-Zone |
область собственной проводимости | Eigenleitungszone |
область собственной проводимости | Eigenleitungsschicht |
область собственной проводимости | i-Gebiet |
область собственной проводимости | i-Zone |
область собственной проводимости | Eigenleitungsgebiet |
область средних характеристик | Midrange-Bereich |
область стабилизации | Z-Bereich |
область стеклования | Verglasungsbereich |
область стока | Senkengebiet |
область стока | Senkenzone |
область стока | Senkenbereich |
область стока | Draingebiet |
область стока | Drainzone |
область стока | Drainbereich |
область, сформированная методом ионной имплантации | Ionenimplantationszone |
область n+-типа | n+-Zone |
область n-типа | n-Bereich |
область с проводимостью n-типа | n-leitende Zone |
область с проводимостью n-типа | n-leitendes Gebiet |
полупроводниковая область с проводимостью n-типа | n-leitendes Halbleitergebiet |
полупроводниковая область с проводимостью n-типа | leitender n-leitendes Pfad |
область p+-типа | p+-Zone |
область p-типа | p-Bereich |
область p-типа | p-Zone |
область n-типа | n-Zone |
область n+-типа | n+-Gebiet |
область с проводимостью i-типа | i-Gebiet |
область тока насыщения | Sättigungsstromgebiet |
область торможения | Bremsbereich |
область усиления | aktiv-normaler Betriebsbereich |
область усиления | normaler Arbeitsbereich (биполярного транзистора) |
область усиления | aktiver normaler Betriebsbereich |
область усиления | aktiv-normaler Bereich (биполярного транзистора) |
область формирования рисунка на подложке | Substratschreibfläche |
область хранения команд | Befehlsraum |
область электронной проводимости | n-leitendes Gebiet |
область эмиттера | Emitterzone |
область эмиттера | Emittergebiet |
область эмиттера | Emitterbereich |
обогащённая область | Anreicherungsgebiet |
оверлейная область | Überlagerungsbereich (памяти) |
оксид на канальной области | Channel-Oxid |
омическая область | ohmscher Bereich |
омическая область | linearer ohmscher Bereich |
оттеснение эмиттерного тока к краю эмиттерной области | Stromverdrängung |
оттеснение эмиттерного тока к краю эмиттерной области | Stromverdrängungseffekt |
оттеснение эмиттерного тока к краю эмиттерной области | Feldverdrängung |
охранная p+-область | p+-Isolationsrahmen |
охранная p+-область | Isolationsrahmen |
охранная область | Isolationsrahmen |
охранная р+-область | p+-Isolationsrahmen |
охранная р+-область | Isolationsrahmen |
падение напряжения на области распределённого сопротивления | Bahnspannungsabfall |
пассивная часть базовой области | passive Basiszone |
пассивная часть базовой области | Passivteil der Basiszone |
перемещение многодоменной области | Mehrdomänenwanderung (в диоде Ганна) |
ПЗС с самосовмещёнными областями | selbstjustiertes |
ПЗС с самосовмещёнными областями | selbstjustiertes CCD |
пограничная область | Kontaktzone |
пограничная область | Randbereich |
пограничная область | Berührungsschicht |
подзатворная область | Gatezone |
подпороговое область | Unterschwellbereich (Бадриддин Рахматов) |
полевой транзистор с гексагональными p-областями | Hexagonal FET |
полевой транзистор с гексагональными р-областями | HEXFET |
полевой транзистор с гексагональными р-областями | Hexagonal FET |
полевой транзистор с затвором Шоттки на арсениде галлия с самосовмещёнными n+-областями истока и стока | n+selbstjustierender GaAs-MESFET |
полупроводниковая область | Halbleiterzone |
полупроводниковая область | Halbleitergebiet |
пределы области модуляции | Aussteuerungsgrenzen |
предпороговая область | Subthresholdbereich |
предпробойная область | Vordurchbruchsbereich |
предпробойная область | Vordurchbruchsgebiet |
приграничная область объёмного заряда | Raumladungsrandschicht |
приграничная область p-n-перехода | Sperrschichtrandzone |
приграничный слой коллекторной области | Kollektorrandschicht |
приграничный слой коллекторной области | Kollektorgrenzschicht |
приграничный слой обеднённой области | Sperrschichtrand |
примесная область | Störstellenbereich |
примесная область | Störstellengebiet |
примесная область | Fremdstoffgebiet |
приповерхностная область | oberflächennahe Zone |
приповерхностная область | Oberflächenzone |
приповерхностная область | Randschicht |
приповерхностная область | Oberflächengebiet |
приповерхностная область пространственного заряда | Oberflächenraumladungszone |
пролётная область | Laufzeitgebiet |
промежуточная область | Zwischengebiet |
промежуточная область | Zwischenzone |
р+-область | p+-Zone |
р+-область | p+-leitendes Gebiet |
р-область | p-Bereich |
полупроводниковая р-область | p-leitendes Halbleitergebiet |
р+-область | p+-Gebiet |
рабочая область | Betriebsbereich |
разделительная n-область | n-Isolationsgebiet |
разделительная р-область | p-Isolationsgebiet |
разупорядоченная область | ungeordneter Bereich |
рассасывание неосновных носителей в области базы | Ausräumen der Basis |
резистивная область | Widerstandsgebiet |
резистивная область | Widerstandsbereich |
рекристаллизационная область | Rekristallisationszone |
рекристаллизационная область | Rekristallisationsgebiet |
рекристаллизованная область | Rekristallisationsgebiet |
рекристаллизованная область | Rekristallisationszone |
сильное легирование контактной области коллектора | n+Kollektoranschlussdotierung |
сильное легирование контактной области коллектора | n+-Kollektoranschlussdotierung |
скрытая область распределённого сопротивления коллектора | vergrabenes Kollektorbahngebiet |
слаболегированный слой кремния между p и n-областями | PSN |
стоковая область | Senkenzone |
стоковая область | Drainzone |
стоковая область | Senkengebiet |
стоковая область | Draingebiet |
стоковая область | Drainbereich |
технология биполярных БИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA |
технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
ток рассасывания неосновных носителей в базовой области | Basisausräumstrom (биполярного транзистора при переключении) |
транзистор с обеднённой нагрузочной областью | Verarmungslasttransistor |
транзистор с обеднённой нагрузочной областью | Depletion Load Transistor |
транзисторные схемы с совмещёнными областями | MTL-Schaltkreise |
триодная область | Triodenbereich |
указатель рабочей области | Arbeitsbereichzeiger (памяти) |
уровень легирования базовой области | Basisdotierung |
характеристика полупроводникового прибора в области насыщения | Sättigungscharakteristik |
четырёхслойный транзистор с областью собственной проводимости между базой и коллектором | Intrinsic-Barrier-Transistor |
четырёхслойный транзистор с областью собственной проводимости между базой и коллектором | Intrinsic-Barrier-Transistor |
шаблон для формирования диффузионных областей | Diffusionsmaske |
экран, разделённый на области | geteilter Bildschirm |
электрод n+-области | n+-Elektrode |
электрод р+-области | p+-Elektrode |
электронный ток, протекающий через область базы | Basisflussstrom (при нормальном включении транзистора) |
элементарная область Вейса | Weißscher Elementarbezirk |
эмиттерная область | Emitterbereich |
эмиттерная область | Emittergebiet |
эмиттерная область | Emitter |
эмиттер-ная область | Emittergebiet |
эмиттер-ная область | Emitterzone |
эмиттер-ная область | Emitterbereich |
эпитаксиальная область | Epitaxialbereich |
ёмкость области объёмного заряда | Raumladungskapazität |
ёмкость области пространственного заряда | Raumladungskapazität |