| Russian | English |
| адаптивный транзистор | flexible transistor (Alex_Odeychuk) |
| адаптивный транзистор | intelligent transistor (транзистор оснащен дополнительным управляющим электродом, который размещен на интерфейсах между германием и металлом. Он может динамически программировать функцию транзистора. С помощью управляющего электрода можно регулировать порог напряжения. Это дает возможность придать транзистору именно те свойства, которые нужны в данный момент.: Адаптивный транзистор позволяет целенаправленно изменять схемы вычислений прямо на кристалле. Alex_Odeychuk) |
| атомарно-тонкий транзистор | atomic-thin transistor (Sergei Aprelikov) |
| баллистический транзистор | ballistic transistor |
| биполярный транзистор | bipolar unit |
| биполярный транзистор | bipolar junction transistor |
| биполярный транзистор с базой в виде инверсионного канала | bipolar inversion channel FET |
| биполярный транзистор с заземлённым коллектором | collector-grounded transistor |
| биполярный транзистор с модулируемым затвором | gate-modulated bipolar transistor |
| биполярный транзистор с резкими p-n-переходами | abrupt heterojunction bipolar transistor |
| биполярный транзистор с резонансным квантовым туннелированием | bipolar quantum resonant tunneling transistor |
| биполярный транзистор с туннельным барьером в эмиттерной | barrier-emitter transistor |
| бракованный транзистор | transistor seconds |
| быстродействующий переключательный транзистор | fast switching transistor |
| вертикальный полевой транзистор | vertical-structure FET |
| вертикальный полевой транзистор | vertical transport field-effect transistor (Alex_Odeychuk) |
| вертикальный полевой транзистор | vertical-channel FET |
| вертикальный транзистор | vertical transport transistor (Alex_Odeychuk) |
| включение транзистора с общей базой | common-base connection |
| включение транзистора с общим коллектором | common-collector connection |
| включение транзистора с общим эмиттером | common-emitter connection |
| внутрисогласованный транзистор | internally matched transistor (jahmage) |
| входной транзистор | front-end transistor |
| входной транзистор | access transistor |
| вч-транзистор | radio-frequency transistor |
| высококачественный МОП-транзистор | h-mos transistor |
| высококачественный полевой транзистор | high-performance FET |
| высококачественный транзистор | high-performance transistor |
| высокочастотный транзистор | radio-frequency transistor |
| выходной транзистор с разомкнутым коллектором | open collector output |
| германиевый транзистор | germanium-based transistor (Alex_Odeychuk) |
| герметизированный транзистор | sealed transistor |
| гетероструктурный полевой транзистор | heterointerface FET |
| гетероструктурный полевой транзистор с изолированным затвором | heterostructure insulated-gate FET |
| ГИС на основе p-i-n-диодов и полевых транзисторов | pin-fet hybrid |
| горизонтальный полевой транзистор | metal-gate FET |
| горизонтальный полевой транзистор | lateral FET |
| двухгетеропереходной биполярный транзистор | double-heterojunction bipolar transistor |
| двухмерное моделирование транзисторов | two-dimensional device simulation |
| деградация параметров транзистора | slow death |
| динамическая интегральная микросхема на комплементарных МОП-транзисторах | dynamic complementary MOS integrated circuit |
| динамически программировать функцию транзистора | dynamically program the function of the transistor (Alex_Odeychuk) |
| динамически программируемый транзистор | intelligent transistor (способный переключаться между разными типами логических функций, как-то: NOR, NAND и др., что открывает новые возможности для вычислений в области искусственного интеллекта, нейронных сетей, машинного обучения: Этот транзистор оснащен дополнительным управляющим электродом, который размещен на интерфейсах между германием и металлом. Он может динамически программировать функцию транзистора. С помощью управляющего электрода можно регулировать порог напряжения. Это дает возможность придать транзистору именно те свойства, которые нужны в данный момент. Вычислительные возможности электроники сейчас зависят от количества кремниевых транзисторов, каждый из которых имеет примитивные функции. 24 транзистора из германия заменяют 160 кремниевых. Таким образом открывается возможность увеличить скорость работы и энергоэффективность вычислительных устройств. Alex_Odeychuk) |
| ДМОП-транзистор | double-diffused MOS transistor |
| закрытый транзистор | off transistor |
| запоминающий транзистор | memory transistor |
| затвор транзистора | transistor gate |
| ЗУ на МОП-транзисторах с плавающим затвором | floating-gate storage |
| измерительный полевой транзистор | sense FET (Pothead) |
| изображение транзистора | transistor pattern |
| инжекционный транзистор | charge-injection transistor |
| интегральная логика на транзисторах Шоттки | ISL (key2russia) |
| интегральный комбинированный транзистор | multiple integrated transistor |
| интегральный транзистор | integrated circuit transistor |
| интегральный транзистор с изолирующим охранным кольцом | GIMIC transistor |
| ИС инвертора на МОП-транзисторах | enhancement depletion inverter |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar-mos device |
| ИС на биполярных и полевых транзисторах | bipolar-fet integrated circuit |
| ИС на комплементарных транзисторах | complementary integrated circuit |
| ИС на МОП-транзисторах | MOS circuit |
| ИС на полевых транзисторах | unipolar integrated circuit |
| ИС на полевых транзисторах | field-effect integrated circuit |
| ИС на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и вертикальным каналом | static-induction transistor integrated circuit (ssn) |
| ИС на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и вертикальным каналом | static-induction transistor IC (ssn) |
| ИС на транзисторах с открытым коллектором | open-collector integrated circuit |
| ИС, совмещающая МОП- и биполярные транзисторы | mosbip integrated circuit |
| ИС усилителя на биполярных и полевых транзисторах | bi-fet amplifier |
| p-канальный МОП-транзистор | p-channel transistor |
| p-канальный МОП-транзистор | p-channel MOS transistor |
| n-канальный МОП-транзистор | n-channel MOS transistor |
| n-канальный статический индукционный транзистор | n-channel sit |
| квантово-размерный транзистор | quantum-effect transistor |
| КМОП-транзистор | CMOS device |
| комбинированная полупроводниковая структура на ПЗС и полевых транзисторах | charge-coupled FET |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bimos technique |
| конфигурация транзистора | transistor outline |
| конфигурация транзистора | transistor configuration |
| короткозатворный полевой транзистор | short gate-length field-effect transistor (key2russia) |
| короткозатворный полевой транзистор | short gate-length FET |
| короткоканальный полевой транзистор | short-channel FET |
| коэффициент передачи эмиттерного тока транзистора | common-base forward-current transfer ratio |
| коэффициент передачи эмиттерного тока транзистора с общей базой | common-base current gain |
| коэффициент передачи эмиттерного тока транзистора с общей базой | collector efficiency |
| коэффициент усиления транзистора по току с общим | common-emitter forward-current transfer ratio |
| кремниевый транзистор | silicon-based transistor (Alex_Odeychuk) |
| лабораторно-инжекционный МОП-транзистор | avalanche-injector MOS transistor |
| логика на полевых транзисторах с обогащением | enhancement logic (key2russia) |
| логические схемы на комплементарных транзисторах | complementary-transistor logic |
| логические схемы на полевом транзисторе с ёмкостными связями | capacitor-coupled FET logic |
| логические схемы на полевых транзисторах с барьерами Шотки | Schottky-diode FET logic (ssn) |
| логические схемы проходного типа на МОП-транзисторах | pass-transistor logic (ssn) |
| логические схемы с транзисторами Шоттки | Schottky-transistor logic |
| логические схемы с углублёнными нагрузочными транзисторами | buried-load logic |
| логический элемент на ИМОП-транзисторах | v-groove gate |
| логический элемент на МОП-транзисторах | MOS gate |
| мдп-транзистор | mis-type device |
| мдп-транзистор с изолирующим слоем затвора из оксида | metal-alumina-semiconductor transistor |
| механизм работы транзистора | transistor action |
| микроструктура транзистора | transistor microstructure |
| многоуровневый транзистор | stacked transistor |
| многоэмиттерный транзистор | multiemitter transistor |
| многоэмиттерный транзистор | emitter-coupled transistor |
| МНОП-транзистор | metal-nitride-oxide-semiconductor transistor |
| монолитный транзистор на горячих электронах | monolythic hot-electron transistor |
| МОП-транзистор | metal-oxide-semiconductor transistor |
| p-моп-транзистор | p-channel transistor |
| МОП-транзистор | mosfet |
| p-моп-транзистор | p-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной ионной имплантации | double-implanted MOS transistor |
| МОП-транзистор на арсениде галлия | GaAs mosfet |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion-mode MOS transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion MOS transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode MOS transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement MOS transistor |
| МОП-транзистор с замкнутым затвором | closed-gate MOS transistor |
| МОП-транзистор с и-образной канавкой | grooved-gate MOS transistor |
| МОП-транзистор с и-образным затвором | recessed-gate transistor |
| МОП-транзистор с и-образными канавками | v-groove device |
| МОП-транзистор с каналом p-типа | p-channel transistor |
| МОП-транзистор с каналом p-типа | p-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор с кремниевым затвором | silicon-gate transistor |
| МОП-транзистор с металлическим затвором | metal-gate MOS transistor |
| МОП-транзистор с плавающим затвором | floating-gate MOS transistor |
| МОП-транзистор с пропорционально уменьшенными размерами элементов | downward-scaled MOS transistor |
| МОП-транзистор с силицидными слоями | silicide mosfet |
| МОП-транзистор с субмикронными размерами | submicron-scale MOS device |
| МОП-транзистор с углублённым оксидным слоем | buried-oxide MOS transistor |
| МОП-транзистор с х-образной структурой | xmos transistor |
| МОП-транзистор с щелевой структурой | t-mos transistor |
| МОП-транзистор со скрытым каналом | buried-channel MOS transistor |
| МОП-структура с вертикальными транзисторами | vertical MOS |
| нагрузочный вертикальный n-p-n-транзистор | merged vertical n-p-n load |
| нагрузочный МОП-транзистор | MOS transistor load |
| нагрузочный МОП-транзистор | MOS load |
| нагрузочный транзистор | pull-up transistor |
| нагрузочный транзистор | fan-out transistor |
| насыщение транзистора | transistor saturation |
| нитевидный транзистор | filamentary transistor |
| номинальные параметры транзистора | transistor ratings |
| обогащённый транзистор | inverted transistor |
| окно к базовой области n-р-n-транзистора | n-p-n base window |
| окно к базовой области p-n-р-транзистора | p-n-p base window |
| память на комплементарных МОП-транзисторах | complementary MOS memory (ssn) |
| память на транзисторах | bipolar memory |
| параметры транзистора | transistor parameters |
| переключатель на полевых транзисторах | FET switch |
| переключающий полевой транзистор | pass-gate transistor |
| ПЗС на полевых транзисторах с p-n-переходом | junction CCD |
| планарно-эпитаксиальный транзистор | epitaxial planar transistor |
| планарный транзистор | diffused planar transistor |
| планарный-эпитаксиальный транзистор | planar epitaxial transistor |
| полевой транзистор | field-effect-transistor element |
| полевой транзистор | field-effect device |
| полевой транзистор к-диапазона | k-band FET |
| полевой транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion FET |
| полевой транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement FET |
| полевой транзистор с а-легированным каналом | a-doped field-effect transistor |
| полевой транзистор с вертикальной структурой | vertical transport field-effect transistor (Alex_Odeychuk) |
| полевой транзистор с гребенчатыми затворами | multiple-gate finger FET |
| полевой транзистор с двумерным электронным газом | two-dimensional electron-gas FET |
| полевой транзистор с замкнутой геометрией | closed-geometry FET |
| полевой транзистор с затвором Шоттки | metal-Schottky FET |
| полевой транзистор с затвором Шоттки | metal-semiconductor FET |
| полевой транзистор с затвором Шоттки | Schottky gated transistor |
| полевой транзистор с затвором Шоттки | Schottky-diode FET |
| полевой транзистор с затвором Шоттки | Schottky-gate FET |
| полевой транзистор с затвором Шоттки | barrier-gate FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором | igfet |
| полевой транзистор с изолированным затвором работающий в обеднении | depletion-type igfet |
| полевой транзистор с изолированным затвором работающий с обогащением | enhancement-type igfet |
| полевой транзистор с и-образным затвором | v-gate FET |
| полевой транзистор с каналом p-типа | positive-type FET |
| полевой транзистор с каналом n-типа | negative FET |
| полевой транзистор с коротким затвором, ПТ с коротким затвором | short gate-length field-effect transistor (key2russia) |
| полевой транзистор с кремниевым затвором | silicon-gate FET |
| полевой транзистор с нанометровыми размерами элементов | nanometer-scale FET |
| полевой транзистор с неоднородным легированием | modulation-doped FET |
| полевой транзистор с обеднением | depletion mode device (key2russia) |
| полевой транзистор с обогащением | enhancement mode device (key2russia) |
| полевой транзистор с отрицательным сопротивлением | negative resistance FET |
| полевой транзистор с p-n переходом | JFET (key2russia) |
| полевой транзистор с p-n-переходом | p-n-junction FET |
| полевой транзистор с поликремниевым затвором | poly-gate device (key2russia) |
| полевой транзистор с резонансным туннелированием | resonant tunneling FET |
| полевой транзистор с туннельным переносом | tunneling-transfer FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n переходом | JFET (key2russia) |
| полевой транзистор со смещённым затвором | offset-gate FET |
| полевой транзистор со смыканием | punch-through transistor |
| полевой транзистор, сформированный молекулярно-пучковой эпитаксией | MBE FET |
| полевой транзистор, чувствительный к определённым ионам | ion-sensitive FET |
| полевой транзистор, чувствительный к УФ-излучению | infrared FET |
| поликремниевый тонкоплёночный транзистор | polysilicon thin-film transistor |
| поликремниевый тонкоплёночный транзистор | polysilicon TFT |
| пороговое напряжение полевого транзистора | field threshold |
| последовательно соединённые транзисторы | series-connected transistors |
| последовательно соединённые транзисторы | series transistors |
| проектирование на уровне транзисторов | transistor design |
| n-р-n-транзистор | n-p-n transistor |
| p-n-р транзистор | p-n-p transistor |
| n-р-n-транзистор | n-p-n device |
| p-n-р-транзистор | p-n-p device |
| резистор со структурой полевого транзистора | field-effect transistor resistor |
| самосовмещённые полевые транзисторы | self-aligned FET |
| сверхпроводящий транзистор | superconducting transistor |
| смыкание стокового и истокового p-n переходов короткоканального МДП транзистора | punchthrough (surface punchthrough – смыкание переходов короткоканального МДП транзистора в точке, расположенной на границе полупроводник-диэлектрик, bulk punchthrough – смыкание переходов короткоканального МДП транзистора в объёме полупроводника, но не у его поверхности Maoreene) |
| составной полевой транзистор | compound field effect transistor (ssn) |
| статический индукционный транзистор | static induction transistor |
| статический индукционный транзистор | sit |
| статический индукционный транзистор с поверхностным затвором | surface-gate structure sit |
| статический индукционный транзистор с поверхностным затвором | surface-gate sit |
| статический индукционный транзистор свч-диапазона | microware sit |
| статический индукционный транзистор широкого применения | multipurpose sit |
| структура вертикального p-n-р-транзистора | vertical p-n-p construction |
| структура горизонтального p-n-р-транзистора | lateral p-n-p construction |
| структура горизонтального транзистора | lateral transistor structure |
| структура полевого транзистора с замкнутым затвором | closed-gate structure (ssn) |
| технология изготовления транзисторов с эпитаксиальной базой | epibase technology |
| технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bimos technology |
| технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bi-mos technology |
| технология ИС на полевых транзисторах с диэлектрической | difet process |
| технология логических ИС с транзисторами Шоттки | Schottky transistor logic technology |
| технология полевых транзисторов | unipolar technology |
| технология полевых транзисторов с p-n-переходами | j-fet technology |
| технология производства германиевых транзисторов | germanium-based transistor technology (Alex_Odeychuk) |
| технология производства кремниевых транзисторов | silicon-based transistor technology (Alex_Odeychuk) |
| технология создания полевых транзисторов с силицидным затвором | silicide-gate technology |
| технология транзисторов с высокой подвижностью электронов | high-electron mobility transistor technology |
| тонкоплёночный транзистор | tft |
| тонкоплёночный транзистор с кремниевым самосовмещённым затвором | self-aligned silicon gate thin-film transistor |
| тонкоплёночный транзистор с кремниевым самосовмещённым затвором | self-aligned silicon gate tft |
| транзистор без подлегирования | natural transistor (key2russia) |
| транзистор в пластиковом корпусе | plastic transistor |
| транзистор, включённый по схеме с общим | common-emitter transistor |
| транзистор ИС | integrated circuit transistor |
| транзистор на аморфном полупроводниковом материале | amorphous transistor |
| транзистор на квантовой проволоке | quantum wire transistor |
| транзистор на квантовом эффекте | quantum-effect transistor |
| транзистор с баллистическим переносом носителей заряда | ballistic transistor |
| транзистор с балочными выводами | beam-lead transistor |
| транзистор с вертикальной структурой | vertical transport transistor (Alex_Odeychuk) |
| транзистор с верхним расположением затвора | top gate transistor (I. Havkin) |
| транзистор с встроенно-гребенчатой эмиттерной структурой | interdigitated transistor |
| транзистор с высокой подвижностью электронов | high-electron mobility transistor |
| транзистор с выступающими электродами | stepped electrode transistor |
| транзистор с глубокообедненным слоем | deep depletion transistor |
| транзистор с диффузионным эмиттером и базой | diffused-emitter-and-base transistor |
| транзистор с КНС-структурой | silicon-on-sapphire transistor |
| транзистор с коллекторным переходом на барьере Шоттки | Schottky-barrier collector transistor |
| транзистор с коллекторным переходом на барьере Шоттки | Schottky-diode clamped transistor |
| транзистор с коллекторным переходом на барьере Шоттки | Schottky collector transistor |
| транзистор с коллектором, шунтированным диодом Шоттки | clamped transistor |
| транзистор с контролируемыми ловушками | trap-controlled transistor |
| транзистор с мезаструктурой | mesa-type transistor |
| транзистор с мезаструктурой | mesa transistor |
| транзистор с мелкими переходами | shallow-junction transistor |
| транзистор с металлической базой | metal-base transistor |
| транзистор с отрицательным полным сопротивлением | negative-interdance transistor |
| транзистор с p-n-переходами | junction transistor |
| транзистор с плавающим затвором | floating-gate transistor (key2russia) |
| транзистор с поверхностным зарядом | surface-charge transistor |
| транзистор с проволочным монтажом | chip-and-wire transistor |
| транзистор с проницаемой базой | permeable transistor |
| транзистор с резонансным затвором | resonant-gate transistor |
| транзистор с туннельным эмиттером | tunnel emitter transistor |
| транзистор с функционально-совмещёнными областями | merged transistor |
| транзистор с эмиттером ячеистого типа | mesh-emitter transistor |
| транзистор с эпитаксиальной базой | epibase transistor |
| транзистор со структурой глубокого диода | deep-diode transistor |
| транзистор со структурой типа кремний на сапфире | silicon-on-sapphire transistor |
| транзистор со структурой типа металл-диэлектрик- полупроводник | metal-insulator-semiconductor transistor |
| транзистор со структурой типа металл-нитрид-оксид- полупроводник | metal-nitride-oxide-semiconductor transistor |
| транзистор со структурой типа металл-оксид-полупроводник | metal-oxide-semiconductor transistor |
| транзистор Шоттки | Schottky transistor |
| трёхмерный транзистор с щелевой структурой | 3d trench transistor |
| ТТЛ с транзисторами Шоттки | Schottky-coupled transistor logic |
| ТТЛ с транзисторами Шоттки | Schottky-coupled logic |
| управляемый лавинно-пролётный транзистор | controlled avalanche transit-time triode |
| управляемый лавинно-пролётный транзистор | CATT triode |
| управляющий затвор транзистора | program gate (Alex_Odeychuk) |
| управляющий электрод затвора транзистора | program gate electrode (Alex_Odeychuk) |
| уравнение транзистора | transistor equation |
| усилитель на транзисторах | transistor repeater |
| устройство на комплементарных транзисторах | complementary-transistor means |
| фиксирующий транзистор | clamp device |
| формирователь на транзисторах, работающих в режиме обеднения | depletion-mode drive |
| формирователь на транзисторах, работающих в режиме обогащения | enhancement-mode drive |
| электрод затвора МОП-транзистора, работающего в режиме обеднения | depletion-mode gate electrode |
| электрод затвора МОП-транзистора, работающего в режиме обогащения | enhancement-mode-gate electrode |
| электростатистический индукционный транзистор | electrostatic induction transistor |
| эмиттерный повторитель на p-n-р-транзисторе | p-n-p emitter follower |
| ячейка памяти на МОП-транзисторах | MOS memory cell |
