| 主题类别 | 英语 | 俄语 |
| 马卡罗夫 | acid etches the material selectively in semiconductor manufacture | кислота травит материал селективно в производстве полупроводниковых приборов |
| 量子电子 | adjustable-bandgap semiconductor | полупроводник с изменяемой шириной запрещённой зоны |
| 马卡罗夫 | AIIIBV compound semiconductor | полупроводниковое соединение AIIIBV |
| 马卡罗夫 | AIIIBV semiconductor | полупроводниковое соединение AIIIBV |
| 马卡罗夫 | amplifying semiconductor detector | усиливающий полупроводниковый детектор |
| 军队, 航空 | anodized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor | МОП-транзистор с аноднооксидированным изолирующим слоем |
| 马卡罗夫 | antiferromagnet-semiconductor | антиферромагнетик-полупроводник |
| 军队, 航空 | antimonide-based compound semiconductor | полупроводниковое соединение на основе антимонида |
| 马卡罗夫 | artificially layered semiconductor | полупроводник с искусственной слоистой структурой |
| 技术 | automatic multiparameter semiconductor test set | автоматическая установка многопараметрического испытания полупроводниковых приборов |
| 马卡罗夫 | beam-accessed metal-oxide semiconductor | ЗУ на запоминающей ЭЛТ с полупроводниковой мишенью и электронным обращением |
| 马卡罗夫 | bipolar metal-oxide-semiconductor circuit | комбинированная ИС на биполярных и МОП-транзисторах (BIMOS) |
| 马卡罗夫 | bipolar metal-oxide-semiconductor circuit | ИС на биполярных и МОП-транзисторах (BIMOS) |
| 马卡罗夫 | boron-coated semiconductor detector | полупроводниковый детектор с покрытием из бора |
| 军队, 航空 | bulk avalanche semiconductor switch | объёмный лавинный полупроводниковый переключатель |
| 技术 | bulk metal-insulator-semiconductor structure | структура "металл-диэлектрик-полупроводник" с объёмным эффектом |
| 马卡罗夫 | bulk of semiconductor | объём полупроводника |
| радиоакт. | bulk semiconductor detector | гомогенный полупроводниковый детектор |
| 马卡罗夫 | chemical impurities in semiconductors | химические примеси в полупроводниках |
| 能源行业 | chemically sensitive semiconductor device | полупроводниковый химический датчик |
| 技术 | chemically sensitive semiconductor device | химически чувствительный полупроводниковый прибор |
| 马卡罗夫 | chemically sensitive semiconductor device | полупроводниковый химический датчик (CSSD) |
| радиоакт. | compensated semiconductor | собственный полупроводник |
| 技术 | complementary metal-oxide semiconductor | комплементарная МОП-структура |
| 技术 | complementary metal-oxide semiconductor | КМОП-структура |
| 军队, 航空 | complementary metal-oxide-semiconductor | комплементарная МОП-структура |
| 技术 | complementary metal-oxide semiconductor | комплементарная структура |
| 能源行业 | complementary metal-oxide-semiconductor | комплементарная структура металл-оксид-полупроводник |
| 技术 | complementary metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire | КМОП / КНС-структура |
| 技术 | complementary metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire | КМОП-структура типа "кремний на сапфире" |
| 技术 | complementary metal-oxide-semiconductor technology | технология комплементарных МОП ИС |
| 技术 | complementary metal-oxide-semiconductor technology | КМОП-технология (изготовления) |
| 技术 | complementary symmetrical metal-oxide-semiconductor structure | комплементарная МОП-структура |
| 技术 | complementary symmetrical metal-oxide-semiconductor structure | комплементарная симметричная МОП-структура |
| 技术 | complementary symmetrical metal-oxide-semiconductor structure | КМОП-структура |
| 技术 | complementary symmetry metal-oxide-semiconductor | комплементарная МОП-структура |
| 技术 | complementary symmetry metal-oxide-semiconductor | комплементарная симметричная МОП-структура |
| 技术 | complementary symmetry metal-oxide-semiconductor | КМОП-структура |
| 马卡罗夫 | conductor-insulator-semiconductor field-effect transistor | полевой МДП-транзистор |
| 技术 | crystalline semiconductor | кристаллический полупроводник |
| 马卡罗夫 | deficit semiconductor | полупроводник со стехиометрическим дефицитом |
| 技术 | degenerate semiconductor | вырожденный полупроводник |
| 技术 | degenerated semiconductor | вырожденный полупроводник |
| 技术 | degenerative semiconductor | вырожденный полупроводник |
| 技术 | degenerative semiconductor material | вырожденный полупроводник |
| 马卡罗夫 | depletion-mode metal-oxide-semiconductor transistor | МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения |
| 马卡罗夫 | detector, diffused junction semiconductor | детектор диффузионный полупроводниковый |
| 马卡罗夫 | differential dE/dx semiconductor detector | дифференциальный полупроводниковый детектор dE / dx |
| 马卡罗夫 | diffused junction semiconductor detector | полупроводниковый диффузионный детектор |
| радиоакт. | diffused junction semiconductor detector | диффузионный ППД |
| 马卡罗夫 | diffused junction semiconductor detector | диффузионный полупроводниковый детектор |
| 技术 | diode semiconductor device | диодный полупроводниковый прибор |
| 技术 | discrete semiconductor | дискретный полупроводниковый прибор |
| 马卡罗夫 | dope a semiconductor heavily | легировать полупроводник сильно |
| 马卡罗夫 | dope a semiconductor highly | легировать полупроводник сильно |
| 马卡罗夫 | dope a semiconductor with an acceptor impurity | вводить акцептор в полупроводник |
| 技术 | double diffused metal-oxide-semiconductor | двухдиффузионная МОП-структура |
| 技术 | double diffused metal-oxide-semiconductor | МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии |
| 技术 | double diffused metal-oxide-semiconductor | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии |
| 技术 | double diffused metal-oxide-semiconductor | ДМОП-структура |
| 马卡罗夫 | double-diffused metal-oxide semiconductor | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии |
| 马卡罗夫 | double-diffused metal-oxide semiconductor | ДМОП-структура |
| 技术 | double-diffusion metal oxide semiconductor technology | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии |
| 技术 | double-diffusion metal oxide semiconductor technology | технология двухдиффузионных МОП-структур |
| 技术 | double-polysilicon complementary metal-oxide semiconductor | КМОП-структура с двойным слоем поликристаллического кремния |
| 技术 | double-polysilicon complementary metal-oxide semiconductor technology | технология производства интегральных схем по комплементарной МОП-технологии с двумя слоями поликристаллического кремния |
| 马卡罗夫 | dynamics of electron injection from excited state dyes into semiconductors | динамика инжекции электронов из возбуждённых состояний красителей в полупроводники |
| 军队, 航空 | electron beam ionization of a semiconductor device | электронно-лучевая ионизация полупроводникового прибора |
| 技术 | electron beam semiconductor amplifier | усилитель на полупроводниковом диоде с управлением электронным лучом |
| 技术 | electron bombarded semiconductor | прибор на полупроводниковом диоде с управлением электронным лучом |
| 技术 | electron bombarded semiconductor amplifier | усилитель на полупроводниковом диоде с управлением электронным лучом |
| 马卡罗夫 | electron-beam semiconductor device | прибор на полупроводниковом диоде с управлением электронным лучом (EBS device) |
| 马卡罗夫 | electron-beam semiconductor diode | полупроводниковый диод с управлением электронным лучом (EBS diode) |
| 技术 | electron-bombarded semiconductor device | прибор на полупроводниковом диоде с управлением электронным лучом |
| 马卡罗夫 | electron-bombarded semiconductor diode | полупроводниковый диод с управлением электронным лучом |
| 马卡罗夫 | electron-bombarded semiconductor target | EBS target мишень трёхэлектродного полупроводникового прибора, управляемого электронным пучком |
| 马卡罗夫 | electron-bombardment semiconductor amplifier | усилитель на полупроводниковом диоде с управлением электронным лучом (EBS amplifier) |
| 军队, 航空 | Electronic Valve and Semiconductor manufacturers' Association | Ассоциация фирм-производителей электронных ламп и полупроводников |
| 技术 | elemental semiconductor | элементарный полупроводник |
| 技术 | elemental semiconductor | одноэлементный полупроводник |
| 马卡罗夫 | enhanced photocatalytic conversion of methane to methanol using a porous semiconductor membrane | увеличение фотокаталитической конверсии метана в метанол с использованием пористой полупроводящей мембраны |
| 马卡罗夫 | enhancement of optical processes by molecules adsorbed on semiconductor rough surfaces | усиление оптических процессов с помощью молекул, адсорбированных на шершавых поверхностях полупроводников |
| 技术 | enhancement-mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| 马卡罗夫 | enhancement-mode metal-oxide-semiconductor transistor | МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| 马卡罗夫 | ever-more compact semiconductor devices | более чем компактные полупроводниковые устройства |
| радиоакт. | excess semiconductor | электронный полупроводник |
| радиоакт. | excess semiconductor | полупроводник с электронной проводимостью |
| радиоакт. | excess semiconductor | полупроводник типа п |
| радиоакт. | excess semiconductor | примесный электронный проводник |
| 马卡罗夫 | extrinsic semiconductor properties | примесный свойства полупроводника |
| радиоакт. | fission semiconductor detector | детектор делений |
| радиоакт. | fission semiconductor detector | полупроводниковый детектор делений |
| 技术 | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor | МОП-транзистор с "плавающим" затвором и лавинной инжекцией заряда |
| 技术 | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor | МОП-структура с лавинной инжекцией и плавающим затвором |
| 技术 | four-layer semiconductor rectifier | четырёхслойный вентиль |
| 技术 | fully compensated semiconductor | компенсированный полупроводник |
| радиоакт. | gallium arsenide semiconductor detector | GaAs-детектор |
| радиоакт. | gallium arsenide semiconductor detector | арсенид-галлиевый полупроводниковый детектор |
| радиоакт. | gallium arsenide semiconductor detector | полупроводниковый детектор на арсениде галлия |
| 马卡罗夫 | galvanomagnetic semiconductor device | датчик Холла |
| 军队, 航空 | galvanometric semiconductor device | датчик Холла |
| радиоакт. | Ge Li semiconductor detector | германиевый детектор с дрейфом лития |
| радиоакт. | Ge Li semiconductor detector | дрейфовый германий-литиевый детектор |
| радиоакт. | Ge semiconductor detector | Ge-детектор |
| радиоакт. | Ge Li semiconductor detector | дрейфовый СеLi-детектор |
| радиоакт. | Ge semiconductor detector | германиевый детектор |
| радиоакт. | germanium semiconductor detector | Ge-детектор |
| радиоакт. | germanium semiconductor detector | германиевый детектор |
| 马卡罗夫 | glassy semiconductors | стеклообразные полупроводники |
| 马卡罗夫 | graded impurity semiconductor | полупроводник с изменяющейся по толщине плотностью примеси |
| 量子电子 | graded-gap semiconductor | полупроводник с изменяющейся шириной запрещённой зоны |
| 技术 | grow a semiconductor chip | выращивать кристалл полупроводника |
| 技术 | high density complementary metal-oxide-semiconductor | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки |
| 技术 | high density complementary metal-oxide-semiconductor | технология изготовления КМОП ИС с высокой плотностью упаковки элементов |
| 技术 | high density complementary metal-oxide-semiconductor | КМОП-структура с высокой плотностью упаковки элементов |
| 技术 | high-density complementary metal-oxide-semiconductor | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью компоновки |
| 技术 | high-density complementary metal-oxide-semiconductor | комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки элементов |
| 技术 | high-density complementary metal-oxide-semiconductor | КМОП интегральная схема с высокой плотностью упаковки |
| 技术 | high-mobility semiconductor | полупроводник с высокой подвижностью носителей |
| 技术 | high-performance complementary metal-oxide-semiconductor | технология изготовления высококачественных КМОП интегральных схем |
| 技术 | high-performance complementary metal-oxide-semiconductor | высококачественная КМОП структура |
| 技术 | high-performance metal-oxide-semiconductor | МОП ИС с высокими эксплуатационными характеристиками |
| 技术 | high-performance metal-oxide-semiconductor | МОП-структура с улучшенными характеристиками |
| 技术 | high-performance metal-oxide-semiconductor | технология изготовления высококачественных МОП ИС |
| 技术 | high-performance metal-oxide-semiconductor | высококачественная МОП-структура |
| 马卡罗夫 | high-performance metal-oxide-semiconductor | МОП ИС с высокими эксплуатационными характеристиками (HMOS) |
| 技术 | high-resistance semiconductor | высокоомный полупроводник |
| 技术 | high-resistivity semiconductor | высокоомный полупроводник |
| 技术 | high-speed metal oxide semiconductor | быстродействующий МОП-прибор |
| 技术 | high-speed metal oxide semiconductor | быстродействующая МОП-схема |
| 马卡罗夫 | hole injection into a semiconductor | внесение дырок в полупроводник |
| 技术 | hole semiconductor | полупроводник p- типа |
| 技术 | hole semiconductor | полупроводник p -типа |
| радиоакт. | immersion-type silicon semiconductor detector | погружаемый кремниевый полупроводниковый детектор |
| радиоакт. | immersion-type silicon semiconductor detector | погружной кремниевый полупроводниковый детектор |
| 马卡罗夫 | importance of selenium and tellurium, in particular in proteins, semiconductors | важность селена и теллура, в особенности, в белках, полупроводниках, фотоэлектрических преобразователях (etc.; и т.д.) |
| 技术 | impurity semiconductor | примесный полупроводник |
| 马卡罗夫 | impurity semiconductor doping | примесное легирование полупроводников |
| 马卡罗夫 | indirect-band-gap semiconductor | полупроводник с непрямыми переходами |
| 马卡罗夫 | indirect-band-gap semiconductor | непрямозонный полупроводник |
| 马卡罗夫 | indirect-gap semiconductor | непрямозонный полупроводник |
| 技术 | indium oxide semiconductor layer | полупроводниковый слой из оксида индия (VladStrannik) |
| 马卡罗夫 | insulator-semiconductor interface | граница раздела диэлектрик-полупроводник |
| 技术 | intrinsic semiconductor | собственный полупроводник |
| 技术 | intrinsic semiconductor | полупроводник с собственной проводимостью |
| 技术 | intrinsic semiconductor | беспримесный полупроводник |
| радиоакт. | intrinsic semiconductor | полупроводник типа i |
| радиоакт. | intrinsic semiconductor | i-полупроводник |
| 天线和波导 | intrinsic semiconductor | чистый полупроводник (без примесей) |
| радиоакт. | ionic semiconductor | полупроводник с ионной проводимостью |
| 马卡罗夫 | ionization of proper atoms of a semiconductor | ионизация собственных атомов полупроводника |
| радиоакт. | I-type semiconductor | полупроводник с собственной проводимостью |
| радиоакт. | I-type semiconductor | полупроводник типа i |
| радиоакт. | I-type semiconductor | i-полупроводник |
| 技术 | lamellar semiconductor | слоистый полупроводник |
| радиоакт. | large volume germanium semiconductor detector | германиевый полупроводниковый детектор большого объёма |
| 马卡罗夫 | laser annealing of semiconductors | лазерный отжиг полупроводников |
| 马卡罗夫 | laser utilizing hot holes in semiconductors | лазер на горячих дырках в полупроводниках |
| радиоакт. | Li-drifted semiconductor detector | литий-дрейфовый полупроводниковый детектор |
| радиоакт. | Li-drifted semiconductor detector | полупроводниковый детектор, скомпенсированный литием |
| радиоакт. | Li-drifted semiconductor detector | детектор с дрейфом лития |
| 马卡罗夫 | lithium-coated semiconductor detector | полупроводниковый детектор с покрытием из лития |
| радиоакт. | lithium-drifted semiconductor detector | полупроводниковый детектор, скомпенсированный литием |
| радиоакт. | lithium-drifted semiconductor detector | детектор с дрейфом лития |
| 马卡罗夫 | lithium-drifted semiconductor detector | литий-дрейфовый полупроводниковый детектор |
| 马卡罗夫 | longitudinally pumped semiconductor laser | полупроводниковый лазер с продольной накачкой |
| 技术 | magnetic semiconductor | магнитный полупроводник |
| 马卡罗夫 | magnetic semiconductors | магнитные полупроводники |
| 军队, 航空 | magnetoelectric semiconductor device | магнитоэлектрический полупроводниковый прибор |
| 马卡罗夫 | membranes containing new large size calixarenes on semiconductor substrates for chemical microsensors | мембраны, содержащие новые каликсарены большого размера, на полупроводниковых субстратах для химических микросенсоров |
| 技术 | metal insulator semiconductor FET | полевой МДП-транзистор |
| 技术 | metal insulator semiconductor field-effect transistor | полевой МДП-транзистор |
| 计算 | metal nitride oxide semiconductor technology | МНОП-технология |
| 计算 | metal nitride oxide semiconductor technology | технология приборов со структурой "металл-нитрид-окисел-полупроводник" |
| 技术, 缩写 | metal oxide semiconductor | МОП-структура |
| 技术, 缩写 | metal oxide semiconductor | структура типа металл-оксид-полупроводник |
| 技术, 缩写 | metal oxide semiconductor | структура металл-оксид-полупроводник |
| 技术, 缩写 | metal oxide semiconductor | металлоксидный полупроводник |
| 技术 | metal oxide semiconductor capacitor | МОП конденсатор |
| 技术 | metal oxide semiconductor capacitor | металл-окисел-полупроводниковый конденсатор |
| 军队, 航空 | metal oxide semiconductor controlled thyristor | тиристор, управляемый полупроводником на оксиде металла |
| 技术 | metal oxide semiconductor field effect transistor | полевой МОП-транзистор |
| 技术 | metal oxide semiconductor field effect transistor | полевой транзистор с МОП структурой затвора |
| 技术 | metal oxide semiconductor field effect transistor | полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник |
| 技术 | metal oxide semiconductor field effect transistor | металлоксидный полевой полупроводниковый транзистор |
| 技术 | metal oxide semiconductor field effect transistor | канальный полевой униполярный МОП-транзистор |
| 一般 | metal-semiconductor | металло-полупроводниковый |
| 技术 | metal-semiconductor barrier | запорный слой на границе металл-полупроводник |
| 技术 | metal-semiconductor barrier | запорный барьер на границе металл-полупроводник |
| 马卡罗夫 | metal-semiconductor barrier diode | диод со структурой металл-полупроводник |
| 马卡罗夫 | metal-semiconductor contact | контакт металл-полупроводник |
| 马卡罗夫 | metal-semiconductor diode | диод со структурой металл-полупроводник |
| 技术 | metal semiconductor FET | полевой транзистор со структурой "металл-полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal semiconductor field-effect transistor | металлополупроводниковый полевой транзистор |
| 计算 | metal semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой "металл-полупроводник" |
| 技术 | metal-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор с барьером Шотки |
| 技术 | metal-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой "металл полупроводник" |
| 技术 | metal-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой металл – полупроводник |
| 马卡罗夫 | metal semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор с затвором Шотки |
| 计算 | metal semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор Шоттки |
| 马卡罗夫 | metal-semiconductor interface | граница раздела металл-полупроводник |
| 马卡罗夫 | metal-semiconductor junction | барьер Шотки |
| 军队, 航空 | metal-semiconductor-metal | структура "металл - полупроводник - металл" |
| 军队, 航空 | metal-semiconductor-metal | структура "металл – полупроводник – металл" |
| 马卡罗夫 | metal-alumina-semiconductor | структура типа металл-оксид алюминия-полупроводник (MAS) |
| 马卡罗夫 | metal-aluminium-oxide-semiconductor | структура типа металл-оксид алюминия-полупроводник (MAOS) |
| 军队, 航空 | metal-aluminum-semiconductor | МАП-структура |
| 军队, 航空 | metal-aluminum-semiconductor | структура металл-окись-алюминия-полупроводник |
| 军队, 航空 | metal-aluminum-oxide-semiconductor | МОП-структура с изоляцией из окиси кремния и окиси алюминия |
| 技术 | metal-ferroelectric semiconductor FET | полевой транзистор со структурой металл – сегнетоэлектрик – полупроводник |
| 军队, 航空 | metal-ferroelectric-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой "металл - сегнетоэлектрик - полупроводник" |
| 技术 | metal-ferroelectric-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой "металл сегнетоэлектрик полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-ferroelectric-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой "металл – сегнетоэлектрик – полупроводник" |
| 马卡罗夫 | metal-ferroelectric semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой металл-сегнетоэлектрик-полупроводник |
| 军队, 航空 | metal-ferroelectric-semiconductor transistor | транзистор со структурой "металл - сегнетоэлектрик - полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-ferroelectric-semiconductor transistor | транзистор со структурой "металл – сегнетоэлектрик – полупроводник" |
| 技术 | metal-film semiconductor diode | диод Шотки |
| 军队, 航空 | metal-graded oxide-semiconductor | МОП-структура с постепенно наращиваемым слоем окисла |
| 军队, 航空 | metal-insulator-semiconductor | структура "металл - диэлектрик - полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-insulator-semiconductor | структура "металл – диэлектрик – полупроводник" |
| 计算 | metal-insulator semiconductor device | МДП-прибор |
| 计算 | metal-insulator semiconductor device | полупроводниковый прибор со структурой "металл-диэлектрик-полупроводник" |
| 技术 | metal-insulator-semiconductor FET | полевой транзистор со структурой металл – диэлектрик – полупроводник |
| 计算 | metal-insulator semiconductor field effect transistor | МДП-транзистор |
| 计算 | metal-insulator semiconductor field effect transistor | транзистор со структурой "металл-диэлектрик-полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor | униполярный МДП-транзистор |
| 军队, 航空 | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor | канальный МДП-транзистор |
| 马卡罗夫 | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor | МДП-транзистор (полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник) |
| 马卡罗夫 | metal-insulator-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор) |
| 军队, 航空 | metal-insulator-semiconductor-insulator-metal | структура "МДП - диэлектрик - металл" |
| 军队, 航空 | metal-insulator-semiconductor-insulator-metal | МДП-варакторы в параллельном включении |
| 军队, 航空 | metal-insulator-semiconductor-insulator-metal | структура "МДП – диэлектрик – металл" |
| 军队, 航空 | metal-insulator-semiconductor-insulator-semiconductor | структура "МДП - диэлектрик - полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-insulator-semiconductor-insulator-semiconductor | структура "МДП – диэлектрик – полупроводник" |
| 马卡罗夫 | metal-insulator-semiconductor solar cell | солнечный элемент с МДП-структурой |
| 马卡罗夫 | metal-insulator-semiconductor structure | структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) |
| 马卡罗夫 | metal-insulator-semiconductor structure | структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структура) |
| 马卡罗夫 | metal-insulator-semiconductor structure | МДП-структура (структура металл-диэлектрик-полупроводник) |
| 军队, 航空 | metal-insulator-semiconductor switch | МДП-переключатель |
| 军队, 航空 | metal-insulator-metal-insulator-semiconductor | структура "металл -диэлектрик - металл - диэлектрик - полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-insulator-metal-insulator-semiconductor | структура "металл -диэлектрик – металл – диэлектрик – полупроводник" |
| 马卡罗夫 | metal-insulator-n-semiconductor solar cell | солнечный элемент со структурой металл-диэлектрик-полупроводник n-типа |
| 军队, 航空 | metal-insulator-piezoelectric semiconductor | структура "металл - диэлектрик - пьезоэлектрический полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-insulator-piezoelectric semiconductor | структура "металл – диэлектрик – пьезоэлектрический полупроводник" |
| 马卡罗夫 | metal-insulator-piezoelectric semiconductor device | прибор на структуре металл-диэлектрик-пьезополупроводник (MIPS device) |
| 技术 | metalized semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор с барьером Шотки |
| 技术 | metalized semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор с затвором, образованным контактом Шотки |
| 军队, 航空 | metallized semiconductor field-effect transistor | металлополупроводниковый полевой транзистор |
| 马卡罗夫 | metallized semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор с затвором Шотки |
| 计算 | metall-oxide semiconductor device | прибор на МОП-структурах |
| 计算 | metall-oxide semiconductor device | прибор со структурой "металл-окисел-полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-nitride-semiconductor | структура "металл - нитрид - полупроводник" |
| 技术 | metal-nitride-semiconductor | структура металл-нитрид-полупроводник |
| 马卡罗夫 | metal-nitride-semiconductor | структура типа металл-нитрид-полупроводник (MNS; МНП-структура) |
| 马卡罗夫 | metal-nitride-semiconductor | МНП-структура (структура (типа) металл-нитрид-полупроводник) |
| 军队, 航空 | metal-nitride-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой "металл - нитрид кремния - полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-nitride-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой "металл – нитрид кремния – полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-nitride-semiconductor/insulated gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором и нитридным изолирующим слоем |
| 技术 | metal-nitride-semiconductor structure | структура "металл нитрид полупроводник" |
| 马卡罗夫 | metal-nitride-semiconductor structure | структура металл-нитрид-полупроводник (МНП) |
| 军队, 航空 | metal-nitride-semiconductor transistor | транзистор со структурой "металл - нитрид - полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-nitride-semiconductor transistor | транзистор со структурой "металл – нитрид – полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-nitride-molybdenum-oxide-semiconductor | структура "металл - нитрид - молибден - оксид - полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-nitride-molybdenum-oxide-semiconductor | структура "металл – нитрид – молибден – оксид – полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-nitride-oxide-semiconductor | структура "металл - нитрид - оксид -полупроводник" |
| 技术 | metal-nitride-oxide-semiconductor | структура металл-нитрид-оксид-полупроводник |
| 技术 | metal-nitride-oxide-semiconductor | МНОП-структура |
| 军队, 航空 | metal-nitride-oxide-semiconductor | структура "металл – нитрид – оксид -полупроводник" |
| 技术 | metal-nitride-oxide-semiconductor structure | структура "металл нитрид -оксид полупроводник" |
| 技术 | metal-nitride-oxide-semiconductor structure | структура металл – нитрид -оксид – полупроводник |
| 马卡罗夫 | metal-nitride-oxide-semiconductor structure | структура металл-нитрид-оксид-полупроводник (МНОП) |
| 军队, 航空 | metal-nitride-oxide-semiconductor technology | технология создания и использования МНОП-структуры |
| 技术 | metal-nitride-oxide-semiconductor technology | технология изготовления приборов со структурой "металл нитрид оксид полупроводник" |
| 技术 | metal-nitride-oxide-semiconductor technology | технология приборов со структурой металл – нитрид – оксид – полупроводник |
| 马卡罗夫 | metal-nitride-oxide-semiconductor technology | МНОП-технология |
| 技术 | metal-nitride-oxide-semiconductor transistor | транзистор со структурой металл – оксид – полупроводник |
| 技术 | metal-nitride-oxide-semiconductor transistor | МОП-транзистор |
| 技术 | metal-nitride-oxide-semiconductor transistor | транзистор со структурой "металл нитрид оксид полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-nitride-oxide-semiconductor transistor | транзистор с несколькими слоями нитрида кремния между затвором и каналом |
| 技术 | metal-oxide semiconductor | структура металл-оксид-полупроводник |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor | структура металл - оксид - полупроводник |
| 技术 | metal-oxide semiconductor | металлооксидный полупроводник (lxu5) |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor | структура металл-оксид-полупроводник |
| 技术 | metal-oxide-semiconductor array integral circuit | матричная МОП БИС |
| 技术 | metal-oxide-semiconductor array integral circuit | матричная интегральная схема со структурой "металл-оксид-полупроводник" |
| 技术 | metal-oxide-semiconductor array integral circuit | матричная БИС на МОП-транзисторах |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor array integrated circuit | матричная большая интегральная схема на МОП-транзисторах |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor-bipolar | комбинация биполярного и МОП транзисторов (combination) |
| 军队 | metal-oxide-semiconductor circuit | схема со структурой металл-окисел-полупроводник (микроэлектронная) |
| 技术 | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory | электрически программируемое постоянное запоминающее устройство на МОП-структурах (MOS EAROM) |
| 技术 | metal-oxide-semiconductor FET | МОП-транзистор |
| 技术 | metal-oxide-semiconductor FET | полевой транзистор со структурой металл – оксид – полупроводник |
| 非正式的 | metal-oxide-semiconductor field effect transistor | мосфет (MichaelBurov) |
| 过时/过时 | metal-oxide-semiconductor field effect transistor | полевик с изолированным затвором (уст. русск. MichaelBurov) |
| 计算 | metal-oxide-semiconductor field effect transistor | транзистор со структурой "металл-окисел-полупроводник" |
| 马卡罗夫 | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor | МОП-транзистор (полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник) |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor | униполярный МОП-транзистор |
| 马卡罗夫 | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник (МОП-транзистор) |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor integrated circuit | интегральная схема на полевых МОП-транзисторах |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor image device | устройство отображения на МОП-элементах |
| 技术 | metal-oxide-semiconductor integrated circuit | интегральная схема на структурах металл-оксид-полупроводник |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor integrated circuit | интегральная схема на МОП-структурах |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor large scale integrated circuit | большая интегральная схема на МОП-структурах |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor large scale integrated circuit | большая интегральная схема на МОП-транзисторах |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor large scale integration | большая интегральная схема на МОП-структурах |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor large scale integration | большая интегральная схема на МОП-транзисторах |
| 技术, 缩写 | metal-oxide-semiconductor large-scale integrated circuit | БИС на МОП-транзисторах |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor random access memory | запоминающее устройство с произвольной выборкой на МОП-структурах |
| 军队, 航空 | metal-oxide-semiconductor read-only memory | постоянное запоминающее устройство на МОП-структурах |
| 技术 | metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire | МОП-структура типа "кремний на сапфире" |
| 技术 | metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire | МОП-структура на сапфире |
| 技术 | metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire | МОП структура "кремний на сапфире" |
| 马卡罗夫 | metal-oxide-semiconductor structure | структура металл-оксид-полупроводник (MOS structure; МОП-структура) |
| 马卡罗夫 | metal-oxide-semiconductor structure | структура металл-оксид-полупроводник (МОП) |
| 马卡罗夫 | metal-oxide-semiconductor structure | МОП-структура (MOS structure; структура металл-оксид-полупроводник) |
| 计算 | metal-oxide semiconductor technology | МОП-технология |
| 量子电子 | metal-oxide-semiconductor transistor | МДП-транзистор |
| 量子电子 | metal-oxide-semiconductor transistor | транзистор со структурой металл-диэлектрик—полупроводник |
| 技术 | metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor | структура металл-оксид-нитрид-оксид-полупроводник |
| 技术 | metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor | МОНОП-структура |
| 军队, 航空 | metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor | структура металл - оксид - нитрид - оксид - полупроводник |
| 军队, 航空 | metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor | структура металл – оксид – нитрид – оксид – полупроводник |
| 军队, 航空 | metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor | металлооксидный полупроводник |
| 军队, 航空 | metal-phosphosilicate glass-oxide-semiconductor | полевой МОП-транзистор с фосфорной стабилизацией затворного окисла (transistor) |
| 马卡罗夫 | metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor structure | структура металл-нитрид кремния-двуокись кремния-полупроводник (MNOS structure; МНОП-структура) |
| 马卡罗夫 | metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor structure | МНОП-структура (MNOS structure; структура металл-нитрид кремния-двуокись кремния-полупроводник) |
| 技术 | metal-silicon-nitride-semiconductor field-effect transistor | полевой МНП-транзистор |
| 技术 | metal-silicon-nitride-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой металл-нитрид кремния-полупроводник |
| 军队, 航空 | metal-silicon-nitride-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой "металл - нитрид кремния - полупроводник" |
| 军队, 航空 | metal-silicon-nitride-semiconductor field-effect transistor | полевой транзистор со структурой "металл – нитрид кремния – полупроводник" |
| 技术 | metal-thick nitride-semiconductor | структура "металл-толстый слой нитрида-полупроводник" |
| 技术 | metal-thick oxide-semiconductor | структура "металл-толстый слой оксида-полупроводник" |
| 马卡罗夫 | metal-to-semiconductor junction | барьер Шотки |
| 马卡罗夫 | method for etching a dielectric layer over a semiconductor substrate | метод травления диэлектрического слоя на полупроводниковой подложке |
| 军队, 航空 | Microwave Semiconductor Corporation | компания "Микроуэйв семикондактор корпорейшн" |
| радиоакт. | mixed semiconductor | полупроводник смешанного типа |
| 技术 | molecular semiconductor | молекулярный полупроводник |
| 马卡罗夫 | monolithic semiconductor display | матричный светодиодный дисплей на монолитной ИС |
| 军队, 航空 | Motorola complementary metal-oxide-semiconductor | комплементарная МОП-интегральная схема фирмы "Моторола" |
| 马卡罗夫 | multicomponent semiconductor laser | многоэлементный полупроводниковый лазер |
| 军队, 航空 | multi-drain metal-oxide-semiconductor | многостоковая МОП-структура |
| 军队, 航空 | multiple-layer metal-silicon gate complementary metal-oxide-semiconductor | многослойные КМОП схемы с барьером Шотки |
| 天线和波导 | multiple-unit semiconductor device | полупроводниковый прибор с двумя или более независимыми электродами |
| 马卡罗夫 | narrow-gap semiconductor | полупроводник с узкой запрещённой зоной |
| 马卡罗夫 | narrow-gap semiconductor | узкозонный полупроводник |
| 军队, 航空 | National Advisory Committee on Semiconductors | национальный консультативный комитет по полупроводникам |
| 军队, 航空 | n-channel metal-insulator-semiconductor | n-канальная структура "металл -диэлектрик - полупроводник" |
| 军队, 航空 | n-channel metal-insulator-semiconductor | n-канальная структура "металл -диэлектрик – полупроводник" |
| 技术 | n-channel metal-oxide-semiconductor | МОП-прибор с каналом n-типа |
| 技术 | n-channel metal-oxide-semiconductor | металл-окисел-полупроводник структура с N-каналом |
| 技术 | n-channel metal-oxide-semiconductor | МОП-структура с каналом n-типа |
| 技术 | n-channel metal-oxide-semiconductor | n-канальный МОП-прибор |
| 技术 | n-channel metal-oxide-semiconductor | n-МОП-структура |
| 技术 | n-channel metal-oxide-semiconductor | n-канальная МОП-структура |
| 技术 | n-channel metal-oxide-semiconductor | N-канал металлооксидного полупроводника |
| 计算 | n-channel metal-oxide-semiconductor technology | n-МОП технология |
| 计算 | n-channel metal-oxide-semiconductor technology | n-канальная МОП-технология |
| 军队, 航空 | near-room-temperature semiconductor | полупроводник для работы при почти комнатной температуре |
| 军队, 航空 | n-type metal-oxide semiconductor | интегральная схема с МОП-структурой n-типа |
| 技术 | n-type metal-oxide-semiconductor transistor | МОП-транзистор с каналом n-типа |
| 马卡罗夫 | n-type semiconductor | полупроводник типа n |
| 马卡罗夫 | n+-type semiconductor | сильнолегированный электронный полупроводник |
| 马卡罗夫 | n-type semiconductor | примесный полупроводник с электронной проводимостью |
| 技术 | n-type semiconductor | полупроводник n- типа |
| 技术 | n-type semiconductor | электронный полупроводник |
| 技术 | n-type semiconductor | полупроводник n-типа |
| радиоакт. | n-type semiconductor | n-полупроводник |
| радиоакт. | n-type semiconductor | полупроводник типа п |
| радиоакт. | n-type semiconductor | примесный электронный проводник |
| 马卡罗夫 | n+-type semiconductor | полупроводник п+-типа |
| 马卡罗夫 | one-dimensional semiconductor structure | одномерная полупроводниковая структура |
| 马卡罗夫 | organic-semiconductor solar cell | солнечный элемент на органическом полупроводнике |
| 技术 | oxide semiconductor | оксидный полупроводник |
| 军队 | Pacific Semiconductors, Incorporated | фирма "Пасифик семикондакторз инкорпорейтед" |
| 马卡罗夫 | paramagnetic susceptibility of semiconductor | парамагнитная восприимчивость полупроводника |
| 马卡罗夫 | passivated metal-semiconductor diode | пассивированный диод Шотки |
| радиоакт. | passivated semiconductor detector | пассивированный полупроводниковый детектор |
| 军队, 航空 | p-channel aluminium gate metal-oxide-semiconductor | p-канальная МОП-структура с алюминиевым затвором |
| 军队, 航空 | photo-conductive/semiconductor switch | полупроводниковый переключатель с эффектом фотопроводимости |
| 马卡罗夫 | photoelectric semiconductor spectroscopy | фотоэлектрическая полупроводниковая спектроскопия |
| 技术 | photointercalation of lamellar semiconductor | фотоинтерколлирование слоистых полупроводников |
| радиоакт. | p-i-n semiconductor detector | полупроводниковый детектор с внутренним рп-переходом |
| радиоакт. | PIN semiconductor detector | полупроводниковый детектор с внутренним рп-переходом |
| 军队 | p-n junction semiconductor laser | лазер на полупроводниковый |
| 马卡罗夫 | p-type semiconductor | примесный полупроводник с дырочной проводимостью |
| радиоакт. | P-type semiconductor | р-полупроводник |
| 马卡罗夫 | p-type semiconductor | полупроводник типа p |
| 马卡罗夫 | p+-type semiconductor | сильнолегированный дырочный полупроводник |
| 马卡罗夫 | recrystallization of amorphous semiconductors | рекристаллизация аморфных полупроводников |
| 技术 | resistive gate-insulator-semiconductor | структура "резистивный затвор-изолятор-полупроводник" |
| 马卡罗夫 | resistive semiconductor detector | резистивный полупроводниковый детектор |
| 军队, 航空 | resistor-insulator-semiconductor | структура "резистор – изолятор – полупроводник" |
| 军队, 航空 | resistor-insulator-semiconductor | структура "резистор - изолятор - полупроводник" |
| 马卡罗夫 | resistor-insulator-semiconductor | структура типа резистивный материал-диэлектрик-полупроводник (RIS) |
| радиоакт. | sealed semiconductor detector | герметичный полупроводниковый детектор |
| 一般 | self-aligned gate metal-oxide-semiconductor | МОП-структура с самосовмещёнными затворами |
| 一般 | self-aligned-gate metal-oxide-semiconductor | МОП-структура с самосовмещёнными затворами |
| 航海 | semiconductor amplifier | усилитель на полупроводниках |
| 马卡罗夫 | semiconductor-barrier sandwich superconductor junction | переход сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник |
| 马卡罗夫 | semiconductor-barrier superconductor junction | переход сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник |
| 马卡罗夫 | semiconductor-based micro-biosensors | микробиосенсоры на основе полупроводников |
| 马卡罗夫 | semiconductor clusters | полупроводниковые кластеры |
| 马卡罗夫 | semiconductor degradation | деградация полупроводников |
| 军队 | semiconductor diode capacitor | варикап |
| 马卡罗夫 | semiconductor disk | внешняя полупроводниковая память с форматом дискового ЗУ |
| 马卡罗夫 | semiconductor disk memory | полупроводниковое ЗУ с форматом данных, принятым для дисковой памяти |
| 马卡罗夫 | semiconductor doping | легирование полупроводников |
| радиоакт. | semiconductor dosemeter | дозиметр полупроводникового типа (dose meter, dosimeter) |
| 马卡罗夫 | semiconductor electrochemistry | электрохимия полупроводников |
| 马卡罗夫 | semiconductor fabrication | изготовление полупроводников |
| 马卡罗夫 | semiconductor-filled waveguide | волновод c полупроводниковым заполнением |
| 马卡罗夫 | semiconductor grade reagents | реагенты полупроводниковой чистоты |
| 量子电子 | semiconductor heteroepitaxy | гетероэпитаксия полупроводников |
| 马卡罗夫 | Semiconductor Industries Association | Ассоциация полупроводниковой промышленности (SIA; США) |
| 马卡罗夫 | semiconductor-insulator interface | граница полупроводник-диэлектрик |
| 军队, 航空 | semiconductor-insulator-semiconductor | структура "полупроводник - диэлектрик - полупроводник" |
| 军队, 航空 | semiconductor-insulator-semiconductor | структура "полупроводник – диэлектрик – полупроводник" |
| 军队, 航空 | semiconductor integrated circuits | полупроводниковые интегральные схемы |
| 马卡罗夫 | semiconductor jacket | полупроводниковая оболочка |
| 马卡罗夫 | semiconductor laser diodes | полупроводниковые лазерные диоды |
| 天线和波导 | semiconductor-loaded waveguide | волновод с полупроводниковыми вставками |
| 天线和波导 | semiconductor-loaded waveguide | волновод, частично заполненный полупроводником |
| 天线和波导 | semiconductor-loaded waveguide | волновод, нагруженный полупроводником |
| 马卡罗夫 | semiconductor manufacturing | производство полупроводников |
| 马卡罗夫 | semiconductor-metal | полупроводник-металл |
| 马卡罗夫 | semiconductor-metal transition | переход полупроводник-металл |
| 马卡罗夫 | semiconductor-metal-semiconductor structure | структура полупроводник-металл-полупроводник (ПМП-структура) |
| 马卡罗夫 | semiconductor-metal-semiconductor structure | ПМП-структура (структура полупроводник-металл-полупроводник) |
| 一般 | semiconductor-metal-semiconductor structure | структура полупроводник-металл-полупроводник (SMS structure) |
| 马卡罗夫 | semiconductor microchip manufacturing | изготовление полупроводниковых микросхем |
| 马卡罗夫 | semiconductor models | полупроводниковые модели |
| 马卡罗夫 | semiconductor nanocrystals | полупроводниковые нанокристаллы |
| 量子电子 | semiconductor noise | фликер-шум |
| 马卡罗夫 | semiconductor physics | физика полупроводников |
| 马卡罗夫 | semiconductor plasma | плазма полупроводников |
| 马卡罗夫 | semiconductor plasma | плазма в полупроводниках |
| 一般 | semiconductor process | технология производства полупроводниковых приборов |
| 马卡罗夫 | semiconductor quantumstructures | полупроводниковые квантовые структуры |
| 马卡罗夫 | semiconductor-semiconductor interface | граница раздела полупроводник-полупроводник |
| 马卡罗夫 | semiconductor sieves as nonlinear optical materials | полупроводниковые сита как нелинейно-оптические материалы |
| 马卡罗夫 | semiconductor-superconductor transition | переход полупроводник-сверхпроводник |
| 马卡罗夫 | semiconductor switch | полупроводниковая переключательная система |
| 马卡罗夫 | semiconductor thermoelectric cooling device | полупроводниковое термоэлектрическое охлаждающее устройство |
| 马卡罗夫 | semiconductor-to-metal transition | переход полупроводник-металл |
| 计算 | semiconductor topography | топология интегральных микросхем (Markbusiness) |
| 马卡罗夫 | semiconductor wafer | полупроводниковая пластинка |
| радиоакт. | Si Li semiconductor detector | дрейфовый SiLi-детектор |
| радиоакт. | Si Li semiconductor detector | кремниевый детектор с дрейфом лития |
| радиоакт. | Si Li semiconductor detector | дрейфовый кремний-литиевый детектор |
| радиоакт. | silicon semiconductor detector | кремниевый полупроводниковый детектор |
| 技术 | silicon-gate-oxide-semiconductor | МОП-структура с кремниевым затвором |
| 技术 | silicon-on-sapphire complementary metal-oxide semiconductor | комплементарная МОП-структура на сапфировой подложке |
| 技术 | silicon-on-sapphire complementary metal-oxide semiconductor | кремний-сапфировая МОП-структура |
| 马卡罗夫 | silicon-on-sapphire complementary metal-oxide-semiconductor | комплементарная МОП-структура на сапфировой подложке (SOS-CMOS) |
| 技术 | simple semiconductor | одноэлементный полупроводник |
| 技术 | simple semiconductor | простой полупроводник |
| 技术 | single-element semiconductor | одноэлементный полупроводник |
| 天线和波导 | single-unit semiconductor device | одноэлементный полупроводниковый прибор |
| 马卡罗夫 | single-unit semiconductor device | монофункциональный полупроводниковый прибор |
| 技术 | sintered semiconductor | синтерированный полупроводник |
| 马卡罗夫 | sol-gel template synthesis of semiconductor oxide micro- and nanostructures | золь-гель синтез полупроводниковых оксидных микро- и наноструктур с использованием матрицы |
| 马卡罗夫 | source material is an intrinsic semiconductor | исходным материалом служит беспримесный полупроводник |
| 马卡罗夫 | spectrometric semiconductor detector | спектрометрический полупроводниковый детектор |
| 马卡罗夫 | stacked avalanche-injection metal-oxide-semiconductor | МОП-структура с многоуровневыми затворами (SAMOS) |
| 一般 | stacked avalanche-injection metal-oxide-semiconductor | МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| 马卡罗夫 | stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor | МОП-структура с многоуровневыми затворами (SAMOS) |
| 一般 | stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor | МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| 马卡罗夫 | streamer semiconductor laser | стримерный полупроводниковый лазер |
| 马卡罗夫 | superconductor-semiconductor phase transition | фазовый переход сверхпроводник-полупроводник |
| радиоакт. | surface barrier semiconductor detector | полупроводниковый детектор с поверхностным запирающим слоем |
| радиоакт. | surface barrier semiconductor detector | барьерный детектор |
| 马卡罗夫 | surface barrier semiconductor detector | полупроводниковый детектор с поверхностным барьером |
| радиоакт. | surface barrier semiconductor detector | поверхностно-барьерный полупроводниковый детектор |
| радиоакт. | surface barrier semiconductor detector | полупроводниковый детектор с барьерным слоем |
| радиоакт. | surface barrier semiconductor detector | поверхностно-барьерный детектор |
| 马卡罗夫 | surface barrier semiconductor detector | поверхностнобарьерный полупроводниковый детектор |
| 马卡罗夫 | surface-barrier semiconductor detector | поверхностно-барьерный полупроводниковый детектор |
| 马卡罗夫 | susceptibility of semiconductor | восприимчивость полупроводника |
| 马卡罗夫 | tailored semiconductor | полупроводник с заданной структурой |
| 马卡罗夫 | temporal semiconductor detector | временной полупроводниковый детектор |
| 马卡罗夫 | the acid etches the material selectively in semiconductor manufacture | кислота травит материал селективно в производстве полупроводниковых приборов |
| 马卡罗夫 | the dynamics of electron injection from excited state dyes into semiconductors | динамика инжекции электронов из возбуждённых состояний красителей в полупроводники |
| радиоакт. | totally depleted semiconductor detector | полностью истощённый полупроводниковый детектор |
| радиоакт. | totally depleted semiconductor detector | полностью обедненный детектор |
| радиоакт. | totally depleted semiconductor detector | полностью истощённый детектор |
| 马卡罗夫 | totally depleted semiconductor detector | полностью обедненный полупроводниковый детектор |
| 马卡罗夫 | transmission semiconductor detector | пролётный полупроводниковый детектор |
| 马卡罗夫 | transversely pumped semiconductor laser | полупроводниковый лазер с поперечной накачкой |
| 马卡罗夫 | two-band semiconductor structure | двухзонная полупроводниковая структура |
| 技术 | two-valley semiconductor | двухдолинный полупроводник |
| 技术 | vertical double-diffused metal oxide-semiconductor | двухдиффузионная вертикальная МОП-структура (MOS) |
| 技术 | vertical metal-oxide semiconductor | вертикальная МОП-структура |
| 技术 | vertical metal-oxide semiconductor | полупроводниковый прибор с вертикальной МОП-структурой |
| 技术 | very low mesastrip semiconductor | полупроводниковая мезаструктура с очень малой высотой полос |
| 技术 | very low mesastrip semiconductor | полосковая мезаструктура с очень малой высотой полос |
| 马卡罗夫 | vitreous semiconductor | аморфный полупроводник |
| 技术 | wide-band-gap semiconductor | широкозонный полупроводник |
| 技术 | wide-gap semiconductor | широкозонный полупроводник |
| 马卡罗夫 | wide-gap semiconductor | полупроводник с широкой запрещённой зоной |
| 马卡罗夫 | zero-gap semiconductor | бесщелевой полупроводник |
